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河源至盛ACM8628

来源: 发布时间:2025年10月07日

至盛功放芯片通过其先进的音频处理技术,能够呈现出纯净细腻的音质。这种音质不仅表现在声音的清晰度和透明度上,更体现在对音色细节的精细捕捉和呈现上。无论是低音的深沉、中音的饱满还是高音的明亮,至盛功放芯片都能将其表现得淋漓尽致。至盛功放芯片拥有宽广的音域和出色的动态范围,这意味着它能够处理从低音到高音的各种频率,并且在各种音量下都能保持音质的稳定性和一致性。这种特性使得至盛功放芯片在播放音乐时能够呈现出更为丰富的声音层次和动态效果。ACM8623的架构能有效防止POP音的产生,提升音质体验。河源至盛ACM8628

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ACM8636内置动态均衡器可根据音频内容自动调整EQ参数,在播放流行音乐时增强中高频,播放古典音乐时提升低频表现。在B&O Beosound A9音箱中,该功能使不同音乐类型的听感一致性提升50%,用户无需手动切换音效模式。实测显示,动态均衡算法使频响曲线波动范围从±6dB缩小至±2dB。多级音量控制提供硬件音量控制(0-255级)和软件音量控制(-120dB至0dB)双重机制,满足精细调音需求。在专业录音设备中,硬件音量控制用于粗调,软件音量控制用于微调,实现0.1dB级的音量精度。该特性使音量调节过程更平滑,避免传统方案中的“跳跃感”。音频信号监测支持输出信号峰值检测和RMS值计算,可实时监控音频电平。在广播电台应用中,该功能使调音师能精细控制节目音量,避免过载或欠载。实测显示,峰值检测精度达±0.1dB,RMS计算误差小于0.5%,满足广播级标准要求。韶关数据链至盛ACM8623在温度控制器应用中,至盛 ACM 芯片准确把控温度变化。

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ACM8815从电路和布局两方面优化EMC性能:电路级优化:展频技术(SSG):DSP引擎生成伪随机调制信号,对开关频率进行±5%的抖动调制,将EMI峰值降低10dB以上。边沿速率控制:通过调节GaNMOSFET栅极驱动电阻(典型值5Ω),将开关边沿时间控制在10ns以内,避免过慢边沿导致高频谐波增多。共模滤波:在PVDD和GND之间并联10μF+0.1μF陶瓷电容,滤除电源噪声;在输出端串联10Ω电阻+100nF电容组成LC滤波器,抑制共模干扰。布局级优化:关键信号隔离:将数字电路(DSP、I2S接口)与模拟电路(输入缓冲、误差放大器)分区布局,中间用地平面隔离。电源路径优化:PVDD和AVCC采用星形接地,避免地回路干扰;DVDD电源引脚附近放置10μF钽电容和0.1μF陶瓷电容,形成低阻抗电源路径。输出走线控制:输出差分对走线长度差<50mil,阻抗控制在50Ω±10%,减少反射干扰。实测在CISPR25标准下,ACM8815的EMI辐射强度比传统方案低15dB,无需额外屏蔽即可通过汽车电子级EMC认证。

    面对复杂多变的电磁干扰环境,至盛 ACM 芯片构建了完善的抗干扰机制。芯片内部采用了多层屏蔽技术,有效阻挡外界电磁干扰信号的入侵。同时,配合先进的数字信号滤波算法,对接收的蓝牙音频信号进行实时滤波处理,去除夹杂在其中的干扰噪声。在实际应用场景中,如在地铁、商场等人员密集且电磁干扰强烈的场所,搭载至盛 ACM 芯片的蓝牙音响能够稳定运行,音频播放流畅,声音清晰,不受周围环境干扰的影响。即使在同时存在多个蓝牙设备的环境中,芯片也能通过准确的信号识别与抗干扰技术,确保自身蓝牙连接的稳定与音频传输的质量,为用户提供可靠的音乐播放体验。ACM8816芯片具备过载保护、短路保护等功能,确保设备安全运行。

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芯片支持4.5V至15.5V宽电压输入,数字电源为3.3V**供电。采用Class-H动态升压技术,结合ACM5618 DC-DC升压芯片,可将单节锂电池升压至12V供电,实现立体声2×15W输出。内置电源电压监测电路,当输入电压低于4.5V时自动降低输出功率,避免电池过放。待机功耗低于10mW,符合能效6级标准。ACM8623内置多重保护机制:过流保护(OCP)通过采样电阻实时监测输出电流,超过阈值时关闭功率级;过温保护(OTP)在芯片温度达150℃时启动,温度降至130℃后自动恢复;短路保护(SCP)检测输出端短路时立即关断输出。欠压锁定(UVLO)确保供电电压低于4.2V时停止工作,防止芯片损坏。至盛 ACM 芯片凭借先进架构,在温度控制器产品中实现准确的温度调控。河源至盛ACM8628

至盛12S数字功放芯片集成无霍尔传感器正弦波驱动算法,电机控制振动噪声降低至30dB以下。河源至盛ACM8628

ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用ALD(原子层沉积)技术生长5nm厚Al2O3栅氧层,确保栅极漏电流<1nA,提高器件可靠性。金属互连:采用铜互连技术,线宽/线距达0.8μm/0.8μm,寄生电阻<5mΩ,寄生电感<1nH,减少信号延迟。封装方面,ACM8815采用QFN-40封装(尺寸7mm×7mm×1.2mm),底部暴露散热焊盘,通过金线键合实现芯片与引脚的电气连接。封装热阻(RθJC)*2℃/W,满足无散热器设计要求。河源至盛ACM8628