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上海 PH200-40-PCC10A加热板国内总代理

来源: 发布时间:2022年12月20日

    本实用新型涉及等离子体cvd晶圆加热器的领域,尤其涉及一种等离子体cvd晶圆加热器用表面修磨装置。背景技术:随着半导体技术的不断飞速发展,单个芯片上所承载的晶体管数量以惊人的速度增长,与此同时,半导体制造商们出于节约成本的需要迫切地希望单个晶圆上能够容纳更多的芯片,这要求更加精细的制造工艺.一种常用的工艺是等离子体化学汽相淀积(pecvd).化学汽相淀积(pecvd)一般用来在半导体晶圆衬底上淀积薄膜,气体起反应在晶圆加热器表面形成一层材料;等离子体cvd晶圆加热器是半导体芯片加工的关键设备,起承载吸附晶圆及提供加热的作用,随着使用次数增加,晶圆在工艺过程中和等离子体cvd晶圆加热器表面接触,高温状态晶圆加热表面的铝材会被晶圆不停磨损,导致晶圆加热器表面平整度及吸附区域尺寸变差,吸附力下降,导致工艺无法正常完成,工艺结果变差。因此就需要将等离子体cvd晶圆加热器表面进行修复,保证表面的平整度和吸附区域尺寸,保证工艺正常进行;现有技术的修复方法是使用数控机床或手工进行修复,但是存在材料去除量较大,数控机床一次去除量为,导致晶圆加热器的可修磨次数少,使用成本高;另外晶圆加热器表面沟槽多、材料太软,导致不好控制表面平整度。陶瓷加热板可以消解土壤、淤泥、矿泥等。上海 PH200-40-PCC10A加热板国内总代理

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    加热板搅拌器加热搅拌器加热板&搅拌器附件优异的性能与智能技术令人印象深深的高性能、高安全性和操作简便性,使您能够轻松找到**合乎您实验室要求的加热装置。我们普遍的加热板、搅拌器、加热搅拌器以及相关附件可以全然满足任何实验室需要。广受欢迎的加热板和搅拌器RT2高级加热搅拌器实验室加热板和搅拌器专题目录实验室加热板我们均匀加热的加热板能够提供多种赢得可再现结果的能力,包括温度稳定性、耐用性以及远程支配访问的能力,以实现安全性和便捷性。搅拌器我们的搅拌器产品组合在大多数应用中可达到2400rpm的转速,且在严格的细胞培养应用中保证可靠性、安全性和运行性能,将根据您的全部实验室需要为您提供解决方案。加热搅拌器从**基本的搅拌设计到合适凶险运用的防爆型加热搅拌器,我们的加热搅拌器可以提供精细的控制和可重复性,满足您的各种应用需要。加热板与搅拌器附件我们普遍的搅拌器控制装置和附件能够补充您的加热板和搅拌器,协助保证您得到正确配备以迅速设立好您的搅拌器。可靠的精度和控制***系列加热板、搅拌器以及加热搅拌器可实现优异的结果准确性和重现性,而且可通过智能StirTrac技术和HOTTOP警报系统实现安全性。本发明关乎mocvd装置。PA4025-WP-PCC20A加热板价格调节支撑圆柱与圆环之间均设置为螺纹连接。

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    所述线圈截面为正方形,线圈上端距离顶部端面不低于150mm;所述线圈缠绕密度从上端至底部依次减少;所述中心加热筒上端开口连接汽水引出管,下端开口连接汽水引进管,所述外筒体一侧与辅助加热水套汽水引入管连接。进一步地,所述线圈固定装置包括绝缘支柱,所述绝缘支柱上端通过支柱定位管与支柱固定块固定连接,下端与固定于底端平面的支柱底座连接;所述绝缘支柱上设有若干用于线圈定位的定位螺栓。进一步地,所述线圈固定装置设有三组,以中心加热筒轴线为中心呈正三角形分布。进一步地,所述绝缘支柱采用耐高温二苯醚层压板,压板外侧设有陶瓷套。进一步地,所述汽水引出管连接锅筒;所述锅筒还设有分别与汽水引进管以及辅助加热水套汽水引入管连接的下降管,形成完整的汽水循环。进一步地,所述电磁感应加热单元结构设置有若干组,每两组电磁感应加热单元未封闭端面距离不低于500mm。有益效果:本发明提供的电磁感应加热单元具有以下优点:(1)采用全包覆紧凑型设计,一方面减少电磁场泄漏,另一方面可以缩减加热单元之间或加热单元与周边金属框架之间的间距。(2)采用线圈的分区段设计,针对立式管内被加热工质存在预热段、过冷沸腾段、核态沸腾段等不同区段。

    设计不同的热流密度;防止工质进入过渡沸腾区,从而导致传热恶化,壁温过热。由于采用竖管加热,筒体上部的含汽率远高于下部,筒体上部容易产生传热恶化,所以必须减少筒体上部的热流密度,故此在水冷线圈7设计时采用下密上稀的结构,确保在同样长度内,底部的线圈匝数多,热流密度大;顶部的线圈匝数少,热流密度小。这样通过分区段计算,从理论上上降低了筒体壁温高的可能性,**提高了设备的安全性和使用寿命。图4为本发明实施例用于蒸汽炉加热的汽水流程示意图。其中锅筒下方通过下降管连接水平连通管,水平连通管分别与汽水引进管5和辅助加热水套汽水引入管6相连,锅筒中的饱和水从下降管,经底部联通管分别流向中心加热筒体2和外侧辅助加热水套,在中心加热筒体2和外侧辅助加热水套内通过电磁感应加热后,变成汽水混合物,通过顶部汇总,流经汽水引出管进入锅筒,一部分蒸汽经分离后,从锅筒顶部引出,完成一个汽水循环。当设计大吨位锅炉时,可以用多个加热单元组装设计,由于采用外侧水套屏蔽了电磁感应场向周边扩散,所以每个单元之间的距离没有要求,可以紧挨着;只需考虑未封闭端距离周边至少500mm以上的距离即可。实际未封闭端均是向下布置。本实用新型涉及等离子体cvd晶圆加热器的领域。

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    4为限位柱;5为温度传感器;6为过温保护器;7为隔热环;11为***加热区域;12为第二加热区域;13为第三加热区域;14为第四加热区域;15为第五加热区域;16为第六加热区域;17为第七加热区域。具体实施方式下面结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不能用来限制本发明的范围。实施例一、本实施例的晶圆加热器的结构如图1至4所示包括:加热盘1、底板2和垫柱3加热盘1第二面上设有七个加热区域,分别为***加热区域11、第二加热区域12、第三加热区域13、第四加热区域14、第五加热区域15、第六加热区域16和第七加热区域17;***加热区域11设置于中心区域,第二加热区域12和第三加热区域13设置于***加热区域11外圆周,第四加热区域14、第五加热区域15、第六加热区域16和第七加热区域17设置于第二加热区域12和第三加热区域13外圆周;每个加热区域上均设置有若干弧形凹槽,且每个加热区域内的弧形凹槽均与相邻的弧形凹槽连接,使每个加热区域内的弧形凹槽形成串联;每个加热区域内均设置有一根加热丝,加热丝嵌于弧形凹槽内;底板2与加热盘1,使加热丝固定于加热盘1上。垫柱3为peek材料,高度为,设置在加热盘1上。信号调理模块根据电压值的大小反比例调节高频机的功率输出。MSA FACTORYPA8020-CC-PCC200V加热板

该锅炉因不易发生、不易泄漏有害气体、噪音小而普遍使用。上海 PH200-40-PCC10A加热板国内总代理

    同义词wafer一般指晶圆本词条由“科普中国”科学百科词条编写与应用工作项目审核。晶圆指制造半导体晶体管或集成电路的衬底(也叫基片)。由于是晶体材料,其形状为圆形,所以称为晶圆。衬底材料有硅、锗、GaAs、InP、GaN等。由于硅**为常用,如果没有特别指明晶体材料,通常指硅晶圆。[1]在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能的集成电路产品。晶圆的原始材料是硅,而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼,**化,并经蒸馏后,制成了高纯度的多晶硅,其纯度高达99.%。中文名晶圆外文名Wafer本质硅晶片纯度99.%作用制作硅半导体集成电路形状圆形目录1制造过程2基本原料3制造工艺▪表面清洗▪初次氧化▪热CVD▪热处理▪晶圆的背面研磨工艺▪除氮化硅▪离子注入晶圆制造过程编辑晶圆是制造半导体芯片的基本材料,半导体集成电路**主要的原料是硅,因此对应的就是硅晶圆。硅在自然界中以硅酸盐或二氧化硅的形式***存在于岩石、砂砾中,硅晶圆的制造可以归纳为三个基本步骤:硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型。首先是硅提纯,将沙石原料放入一个温度约为2000℃,并且有碳源存在的电弧熔炉中,在高温下。上海 PH200-40-PCC10A加热板国内总代理

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