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    以恢复晶格的完整性。使植入的掺杂原子扩散到替代位置，产生电特性。去除氮化硅层用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷(P+5)离子，形成N型阱，并使原先的SiO2膜厚度增加，达到阻止下一步中n型杂质注入P型阱中。去除SIO2层退火处理，然后用HF去除SiO2层。干法氧化法干法氧化法生成一层SiO2层，然后LPCVD沉积一层氮化硅。此时P阱的表面因SiO2层的生长与刻蚀已低于N阱的表面水平面。这里的SiO2层和氮化硅的作用与前面一样。接下来的步骤是为了隔离区和栅极与晶面之间的隔离层。光刻技术和离子刻蚀技术利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层。湿法氧化生长未有氮化硅保护的SiO2层，形成PN之间的隔离区。生成SIO2薄膜热磷酸去除氮化硅，然后用HF溶液去除栅隔离层位置的SiO2，并重新生成品质更好的SiO2薄膜,作为栅极氧化层。氧化LPCVD沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成SiO2保护层。形成源漏极表面涂敷光阻，去除P阱区的光阻，注入砷(As)离子，形成NMOS的源漏极。用同样的方法，在N阱区，注入B离子形成PMOS的源漏极。沉积利用PECVD沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。实施方式所涉及的加热器具备发光管、发热体及反射膜。上海 PH132-PCC10A加热板代理商

    4为限位柱；5为温度传感器；6为过温保护器；7为隔热环；11为***加热区域；12为第二加热区域；13为第三加热区域；14为第四加热区域；15为第五加热区域；16为第六加热区域；17为第七加热区域。具体实施方式下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不能用来限制本发明的范围。实施例一、本实施例的晶圆加热器的结构如图1至4所示包括：加热盘1、底板2和垫柱3加热盘1第二面上设有七个加热区域，分别为***加热区域11、第二加热区域12、第三加热区域13、第四加热区域14、第五加热区域15、第六加热区域16和第七加热区域17；***加热区域11设置于中心区域，第二加热区域12和第三加热区域13设置于***加热区域11外圆周，第四加热区域14、第五加热区域15、第六加热区域16和第七加热区域17设置于第二加热区域12和第三加热区域13外圆周；每个加热区域上均设置有若干弧形凹槽，且每个加热区域内的弧形凹槽均与相邻的弧形凹槽连接，使每个加热区域内的弧形凹槽形成串联；每个加热区域内均设置有一根加热丝，加热丝嵌于弧形凹槽内；底板2与加热盘1，使加热丝固定于加热盘1上。垫柱3为peek材料，高度为，设置在加热盘1上。MSA FACTORYPA3003-PCC10A加热板代理再用化学机械抛光工艺使其至少一面光滑如镜，晶圆片制造就完成了。

    晶圆加热装置的制作方法文档序号：30596935发布日期：2022-07-0120:52阅读：35来源：国知局导航：X技术>*****>电气元件制品的制造及其应用技术1.本技术属于晶圆加工技术领域，尤其涉及一种晶圆加热装置。背景技术：2.目前，常用的晶圆加热设备的加热丝呈螺旋状从中心向**旋转，加热丝在热盘中的分布不够均匀，无法达到均匀加热的目的，无法满足晶圆的高精度加热要求，而高精度加热对半导体工艺至关重要。3.另外，在晶圆加热前需要先行对晶圆进行定位，在先技术中通常通过真空吸盘定位，但现有的真空吸盘对晶圆的吸附力通常不够均匀，晶圆和真空吸盘间的间隙存在差异，这也会导致晶圆加热不均匀，导致无法满足晶圆加热的精度要求。技术实现要素：4.针对上述问题，本技术提供了一种晶圆加热装置，至少解决了在先技术中真空吸盘吸附力不均匀、晶圆加热不均匀的问题。5.本技术实施例提供一种晶圆加热装置，包括：6.基座；7.真空吸盘，设于所述基座上且用于吸附工件，所述真空吸盘上设有进气孔与气路，所述气路包括若干同心设置的环形气路以及沿若干沿所述真空吸盘的径向延伸的径向气路，每个所述径向气路与各所述环形气路均连通。

    如表1:表16月18日高频系统改进效果分析原始数据(°C)权利要求1.一种精确控温的高频加热装置，包括有对物件进行升温的高频机，其特征在于，还包括有监测物件温度并反馈正比电压信号的温度测控模块和接收电压信号并控制高频机输出功率的信号调理模块。2.一种利用如权利要求1所述的精确控温的高频加热装置的加热方法，其特征在于包括有如下步骤第一步，开始高频加热，高频机满负荷加热升温，温度测控模块监测物件温度，当物件温度距目标温度80120°C时，改为动态功率加热；第二步，温度测控模块根据不同温度，反馈与温度成正比的电压值，信号调理模块根据电压值的大小反比例调节高频机的功率输出，使其越接近目标温度，输出功率越小；第三步，信号调理模块动态调节高频机的功率输出，物件温度保持在目标温度值的士5°C的范围内。3.根据权利要求1所述的精确控温的高频加热装置，其特征在于所述的温度测控模块为红外线温度测控模块。全文摘要本发明涉及一种高频加热时温度控制的方法，具体涉及一种晶体管高频加热时精确控制温度的装置及方法；包括高频机、温度测控模块和信号调理模块；方法为1，开始高频机满负荷加热升温，温度测控模块监测物件温度。陶瓷加热板可以消解土壤、淤泥、矿泥等。

    ***温度检测模块和第二检测模块均采用型号为pt1000的铂热电阻；***加热模块包括***功率继电器和***加热丝；第二加热模块包括第二功率继电器和第二加热丝；在本实施中，晶圆加热处于温度稳定阶段，并且将控制模块的温度稳定阶段的精度值设置为℃，本领域普通技术人员可根据实际需求设置该阶段的精度值。为了更好地解释本发明，假设***温度检测模块检测到的温度值为℃，第二温度检测模块检测到的温度值为℃，控制模块接收到上述两个温度值后，通过下述公式得到差值：差值＝|℃℃|＝℃控制模块将上述计算得到的差值与精度值进行比较，在本实施中，差值为℃，大于精度值℃；控制模块通过增大第二功率继电器的输出功率，提高第二加热丝的工作功率，直到***温度检测模块检测到的温度值和第二温度检测模块检测到的温度值之间的差值小于℃；当然本领域普通技术人员也可以通过减小***加热丝的工作功率，使得***温度检测模块检测到的温度值和第二温度检测模块检测到的温度值之间的差值小于℃。通过对热盘进行分区化的温度管理，使得热盘温度均匀，满足了高精度晶圆的加工需求。实施例2：本实施与实施例1的不同点是晶圆加热处于加热升温阶段，在该阶段控制模块的精度值设置为℃。发热体设置在发光管的内部，且发热体以碳作为主要成分。MSA FACTORYPA3003-PCC10A加热板代理

晶圆放置在垫柱3上，使晶圆与加热盘1之间形成间隙。上海 PH132-PCC10A加热板代理商

    每组加热片的形状均是拱形包抄着由中心点o向外拓展；相邻两组加热片包抄的拐点彼此错开，每组加热片的自由端分别连结电源的两极。其中，加热片的数目可以是如图4所示为两组，包括：***加热片6和第二加热片7；所述***加热片6的***迂回端61和第二加热片7的第二迂回端71彼此纵横组成曲折的留置区8。本发明的***个实施例：如图4所示，所述每组加热片为单独设立彼此分离，座落中心点o附近的加热片的自由端连结着相同电极，***热弧片60和第二热弧片70分别与***加热片6和第二加热片7连结。在该实行例中，由于多组加热片是单独设立的，因此当加热片受热后，其自身可以具足够大的延展空间，不会影响总体的变形，从而化解了技术疑问一；而中心对称设立的多组加热片可以合理摆设加热片的电极，如图4所示，在中心对称的外边沿可以设立相同的电极，而中心点o的附近连通相同的另一个电极，这种长距离分布，可以防范电源短路，进而化解了技术疑问二。同时，为了确保加热的平稳，中心对称的加热片可以很好的通过错位，让相邻两组加热片之间的留置区8布置的更合理，而这种合理的相距可以避免图3所示的，两组加热片附近的加热片变形等，进而化解了技术疑问三。上海 PH132-PCC10A加热板代理商

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