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浙江PA3015-PCC20A加热板

来源: 发布时间:2022年11月24日

    4为限位柱;5为温度传感器;6为过温保护器;7为隔热环;11为***加热区域;12为第二加热区域;13为第三加热区域;14为第四加热区域;15为第五加热区域;16为第六加热区域;17为第七加热区域。具体实施方式下面结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不能用来限制本发明的范围。实施例一、本实施例的晶圆加热器的结构如图1至4所示包括:加热盘1、底板2和垫柱3加热盘1第二面上设有七个加热区域,分别为***加热区域11、第二加热区域12、第三加热区域13、第四加热区域14、第五加热区域15、第六加热区域16和第七加热区域17;***加热区域11设置于中心区域,第二加热区域12和第三加热区域13设置于***加热区域11外圆周,第四加热区域14、第五加热区域15、第六加热区域16和第七加热区域17设置于第二加热区域12和第三加热区域13外圆周;每个加热区域上均设置有若干弧形凹槽,且每个加热区域内的弧形凹槽均与相邻的弧形凹槽连接,使每个加热区域内的弧形凹槽形成串联;每个加热区域内均设置有一根加热丝,加热丝嵌于弧形凹槽内;底板2与加热盘1,使加热丝固定于加热盘1上。垫柱3为peek材料,高度为,设置在加热盘1上。再用化学机械抛光工艺使其至少一面光滑如镜,晶圆片制造就完成了。浙江PA3015-PCC20A加热板

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    实际关乎一种mocvd反应腔用加热板。背景技术:半导体芯片在发育时,对温场的均匀性要求较高,因此一种加热均匀且使用寿命较久的加热板对半导体芯片的制作具有至关关键的效用。通过检索,在**称谓:一种用以mocvd装置的钨涂层加热片及其制备方式(cnb)中公开了一种加热片,但是这种加热片由于中心为镂空构造并不适合半导体领域的芯片发育采用。在目前,芯片生长中用到到的加热板的构造如附图1所示,中间是形状为ω的热弧板1,在热弧板1的两侧分别连通两组拱形热片2,两组半圆形热片2是直线对称的,在半圆形热片2的自由端是分别接着电源的左电极和右电极。将这种传统的加热片放在陶瓷上通电后给上方的芯片提供平稳的热源。这种平板型加热板是一种电阻式加热方法,通过热辐射的方法,给上方的生长芯片的载体(石墨盘)加热,提供芯片生长所需的热能和温场。由于加热板的空隙22部分对应上方的载盘位置的是从未直接热辐射加热的,石墨盘此部分的受热能量是靠其他部分的热传导。另外,石墨盘是通过高速转动的(1000rpm)实现载体(石墨盘)的表面温场的均匀性(±℃)。传统的对称式构造加热片中,加热板的空隙22部分是分布在同一个同心圆圆弧上。PA2020-FC-PCC20A加热板一级代理在半圆形热片2的自由端是分别接着电源的左电极和右电极。

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    同时,氮化铝耐熔融状态下金属的侵蚀,几乎不受酸的稳定。因氮化铝表面暴露在湿空气中会反应生成极薄的氧化膜,人们利用此特性,将它用作铝、铜、银、铅等金属熔炼的坩埚和烧铸模具材料。也因为氮化铝陶瓷的金属化性能较好,可替代有毒性的氧化铍陶瓷在电子工业中广泛应用。氮化铝的化学式为AlN,化学组成AI约占,N约占。它的粉体为一般是白色或灰白色,单晶状态下则是无色透明的,常压下的升华分解温度达到2450℃。氮化铝陶瓷导热率在170~210W/()之间,而单晶体更可高达275W/()以上。热导率高(>170W/m·K),接近BeO和SiC;热膨胀系数(×10-6℃)与Si(×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配;各种电性能(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)优良;机械性能好,抗折强度高于Al2O3和BeO陶瓷,可以常压烧结;可采用流延工艺制作。氮化铝陶瓷作为一种硬脆材料,烧结后的氮化铝陶瓷加工起来十分的困难,它的各种性质优异于其他的陶瓷材料也意味着它的加工难度比其他陶瓷高,并且氮化铝陶瓷加工还有一个致命难点,它脆性大,十分容易白边。在此情况下,用氮化铝制作陶瓷加热盘也变得分外艰难。8英寸的氮化铝陶瓷加热盘约莫是315mm直径、19mm厚度的圆盘。

    ***圆形温控晶圆夹盘系统是为晶圆和半导体测试设计的。根据客户的需求有不同尺寸、不同温度段的型号供选。并有台面电接地/电悬空,还有同轴/三同轴接口的细节差异。温控晶圆夹盘的台面温度梯度很低,并且厚度设计的很薄,可以集成进探针台。并且台体设有真空吸气槽,可以利用负压来吸附样品。功能特点:结构紧凑,可集成到晶圆探针台上,设计用于探针测试可编程控温,涵盖不同温度段(具体由型号而定)适用不同尺寸晶圆的真空吸附槽设计可降温至80K可选三同轴接口,以实现pA级测试可从温控器或电脑软件控制,可提供软件SDK基本配置:温控晶圆卡盘、mK2000B温控器可选配件安装支架、液氮制冷系统、外壳循环水冷系统台面选项标准:本色氧化可选:镀金晶圆样品真空吸附多个**的真空吸附通道可定制真空吸附方案晶圆顶杆默认无,可定制底座冷却可通循环水,以维持底座温度在常温附近安装可集成到探针台上,可定制安装支架台面电位电接地(R),电悬空(RF),可选三同轴(RT)BNC接口同轴,电悬空或三同轴传感器/温控方式100Ω铂RTD/PID控制(含LVDC降噪电源)温度分辨率℃温度稳定性±℃(>25℃),±℃(<。 具有在显影液中溶解性的性质,同时具有耐腐蚀性的材料。

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    受国际形势的影响,国内很难再从国外进口氮化铝陶瓷加热盘,导致国内对氮化铝陶瓷加热盘的需求变得紧张起来。氮化铝陶瓷加热盘被应用于半导体行业中,常见的加热盘一般是8英寸的,国内对氮化铝陶瓷加热盘需求紧张,但是国内能加工氮化铝陶瓷加热盘的厂家却很少。导致这种情况的原因主要是由于氮化铝陶瓷加热盘的加工难度很高,那么为什么氮化铝陶瓷加热盘加工难呢?下面就由钧杰东家为您解答。氮化铝陶瓷加热盘-钧杰陶瓷首先,我们需要了解一下氮化铝陶瓷是什么:陶瓷行业的行家都知道,氮化铝陶瓷是一直具有高导热性能和电绝缘性能的先进陶瓷材料,被广泛应用于电子工业。氮化铝晶体属于六方晶系,它以四面体为结构单元共价键化合物,乃纤锌矿型结构。同时它也是一种耐高温的陶瓷材料,它的单晶体导热率是氧化铝的5倍左右,并且可以在2200℃的环境中使用,具有良好的耐热冲击性能。 发热体设置在发光管的内部,且发热体以碳作为主要成分。天津PA6010-PCC10A加热板

格芯的9HP延续了成熟的高性能硅锗BiCMOS技术的优势。浙江PA3015-PCC20A加热板

    晶圆加热装置的制作方法文档序号:30596935发布日期:2022-07-0120:52阅读:35来源:国知局导航:X技术>*****>电气元件制品的制造及其应用技术1.本技术属于晶圆加工技术领域,尤其涉及一种晶圆加热装置。背景技术:2.目前,常用的晶圆加热设备的加热丝呈螺旋状从中心向**旋转,加热丝在热盘中的分布不够均匀,无法达到均匀加热的目的,无法满足晶圆的高精度加热要求,而高精度加热对半导体工艺至关重要。3.另外,在晶圆加热前需要先行对晶圆进行定位,在先技术中通常通过真空吸盘定位,但现有的真空吸盘对晶圆的吸附力通常不够均匀,晶圆和真空吸盘间的间隙存在差异,这也会导致晶圆加热不均匀,导致无法满足晶圆加热的精度要求。技术实现要素:4.针对上述问题,本技术提供了一种晶圆加热装置,至少解决了在先技术中真空吸盘吸附力不均匀、晶圆加热不均匀的问题。5.本技术实施例提供一种晶圆加热装置,包括:6.基座;7.真空吸盘,设于所述基座上且用于吸附工件,所述真空吸盘上设有进气孔与气路,所述气路包括若干同心设置的环形气路以及沿若干沿所述真空吸盘的径向延伸的径向气路,每个所述径向气路与各所述环形气路均连通。


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