可控硅(Silicon Controlled Rectifier, SCR),又称晶闸管,是一种大功率半导体开关器件。它通过门极(G)信号控制导通,具有单向导电性,广泛应用于电力电子控制领域。,包括:交流调压:通过相位控制调节输出电压,用于灯光调光、电炉控温等。电机驱动:在变频器和软启动器中控制电机转速,降低启动电流冲击。电源整流:将交流电转换为直流电,常见于电镀电源和充电设备。无功补偿:在SVG(静态无功发生器)中快速投切电容组。其高效率和快速响应能力(开关时间可低至微秒级)使其成为工业自动化不可或缺的组件。 Infineon英飞凌智能可控硅模块集成温度保护和故障诊断功能。单管可控硅供应
单向可控硅(Silicon Controlled Rectifier,SCR)是**基础的可控硅类型,其重要特点是只允许电流单向流动,即从阳极(A)到阴极(K)。这种器件通过门极(G)触发后,只有在正向偏置条件下才能维持导通,反向时则完全阻断。SCR广泛应用于直流电路或交流半波整流,如电镀电源、电池充电器等场景。典型型号如2N5060(1A/100V)和TYN612(12A/600V)。相比之下,双向可控硅(TRIAC)可视为两个反向并联的SCR,能同时控制交流电的正负半周。这种特性使其成为交流调光、电机调速等应用的理想选择,如BT136(4A/600V)和BTA41(40A/800V)。从结构上看,TRIAC虽然集成度更高,但其开关速度和dv/dt耐受能力通常略逊于SCR。 大电流可控硅原装可控硅的动态均流技术可提升并联模块的可靠性。
触发机制是可控硅工作原理的关键环节,决定了其导通的时机和条件。控制极与阴极间的正向电压是触发的重要信号,当该电压达到触发阈值时,控制极会产生触发电流,此电流流入内部等效三极管的基极,引发正反馈过程。触发信号需满足一定的电流和电压强度,不同型号可控硅的触发阈值差异较大,设计电路时需精确匹配。触发方式分为直流触发和脉冲触发:直流触发通过持续电压信号保持导通,适用于低频率场景;脉冲触发需短暂脉冲即可触发,能减少控制极功耗,多用于高频电路。触发信号的稳定性直接影响可控硅的导通可靠性,需避免噪声干扰导致误触发。
单向可控硅与双向可控硅对比单向可控硅和双向可控硅虽都属于可控硅家族,但在诸多方面存在明显差异。从结构上看,单向可控硅为四层三端结构,由PNPN组成;双向可控硅则是NPNPN五层结构,有三个电极。工作特性方面,单向可控硅只能在一个方向导通电流,在交流电路中只在正半周或负半周的正向电压期间,且有触发信号时导通,电压过零自动关断;双向可控硅可在交流电路的正、负半周均导通,能双向控制电流。应用场景上,单向可控硅常用于直流电路控制,如直流电机调速、电池充电控制等,在交流电路中主要用于交流调压、整流等;双向可控硅更适用于交流控制电路,像灯光亮度调节、交流电机正反转控制等。在选择使用时,需根据电路的具体需求,综合考虑二者的特性,来确定合适的可控硅器件。 可控硅易受电压/电流冲击,需增加保护。
单向可控硅,作为一种重要的半导体器件,在电子领域有着广泛应用。从结构上看,它是由四层半导体材料构成,呈现出 PNPN 的交替排列方式,这种结构形成了三个 PN 结。基于此,从外层的 P 层引出阳极 A,N 层引出阴极 K,中间的 P 层引出控制极 G 。其电路符号类似二极管,不过多了一个控制极 G 。在工作原理上,当阳极 A 与阴极 K 间施加正向电压,且控制极 G 也加上正向电压时,单向可控硅导通。一旦导通,即便控制极电压消失,只要阳极电流维持在一定值以上,它仍会保持导通状态。只有阳极电流小于维持电流,或者阳极电压变为反向,它才会关断。正是这种独特的导通与关断特性,使得单向可控硅在众多电路中发挥关键作用。
可控硅通过门极(G)信号控制导通,具有单向导电性。SEMIKRON赛米控可控硅价格是多少
可控硅又称晶闸管,是一种大功率半导体开关器件。单管可控硅供应
英飞凌可控硅的封装技术特点英飞凌在可控硅封装技术上独具匠心,采用多种先进封装形式。螺栓式封装设计巧妙,螺纹部分便于安装在散热器上,确保良好的散热效果,适用于中小功率可控硅在一般电子设备中的安装,操作简单且维护方便。平板式封装则充分考虑了大功率散热需求,大面积的平板结构能与散热器紧密贴合,有效将热量散发出去,保证了大功率可控硅在高负荷工作时的稳定性。模块式封装更是英飞凌的一大特色,它将多个可控硅芯片集成在一个模块中,不仅结构紧凑,减少了电路板空间占用,而且外部接线简单,互换性强。在工业自动化生产线中,英飞凌模块式封装的可控硅方便设备的组装与维护,提高了生产效率,降低了设备故障率。 单管可控硅供应