江苏苏州芯片封装厂

中清航科MIL-STD-883认证产线实现金锡共晶焊接工艺。在宇航级FPGA封装中，气密封装漏率<5×10⁻⁸ atm·cc/s，耐辐照总剂量达100krad。三防涂层通过96小时盐雾试验，服务12个卫星型号项目。中清航科推出玻璃基板中介层技术，介电常数低至5.2@10GHz。通过TGV玻璃通孔实现光子芯片与电芯片混合集成，耦合损耗<1dB。该平台已用于CPO共封装光学引擎开发，传输功耗降低45%。中清航科建立全维度失效分析实验室。通过3D X-Ray实时监测BGA焊点裂纹，结合声扫显微镜定位分层缺陷。其加速寿命测试模型可精确预测封装产品在高温高湿（85℃/85%RH）条件下的10年失效率。量子芯片封装要求极高，中清航科低温封装技术，助力量子态稳定保持。江苏苏州芯片封装厂

针对Micro LED巨量转移，中航清科开发激光释放转印技术。通过动态能量控制实现99.99%转移良率，支持每小时500万颗芯片贴装。AR眼镜像素密度突破5000PPI。基于忆阻器交叉阵列，中清航科实现类脑芯片3D封装。128×128阵列集成于1mm²面积，突触操作功耗＜10pJ。脉冲神经网络识别准确率超96%。中清航科超导芯片低温封装解决热应力难题。采用因瓦合金基板，在4K温区热失配＜5ppm/K。量子比特频率漂移控制在±0.1GHz，提升多比特纠缠保真度。江苏苏州芯片封装厂先进封装需多学科协同，中清航科跨领域团队，攻克材料与结构难题。

为应对Chiplet集成挑战，中清航科推出自主知识产权的混合键合（Hybrid Bonding）平台。采用铜-铜直接键合工艺，凸点间距降至5μm，互连密度达10⁴/mm²。其测试芯片在16核处理器集成中实现8Tbps/mm带宽，功耗只为传统方案的1/3。中清航科研发的纳米银烧结胶材料突破高温封装瓶颈。在SiC功率模块封装中，烧结层导热系数达250W/mK，耐受温度600℃，使模块寿命延长5倍。该材料已通过ISO 26262认证，成为新能源汽车OBC充电模组优先选择方案。

中清航科超细间距倒装焊工艺突破10μm极限。采用激光辅助自对准技术，使30μm微凸点对位精度达±1μm。在CIS图像传感器封装中，该技术消除微透镜偏移问题，提升低光照下15%成像质量。中清航科开发出超薄中心less基板，厚度100μm。通过半加成法（mSAP）实现2μm线宽/间距，传输损耗低于0.3dB/mm@56GHz。其5G毫米波AiP天线封装方案已通过CTIA OTA认证，辐射效率达72%。为响应欧盟RoHS 2.0标准，中清航科推出无铅高可靠性封装方案。采用Sn-Bi-Ag合金凸点，熔点138℃且抗跌落性能提升3倍。其绿色电镀工艺使废水重金属含量降低99%，获三星Eco-Partner认证。车载芯片振动环境严苛，中清航科加固封装，提升抗机械冲击能力。

先进芯片封装技术 - 系统级封装（SiP）：SiP 是将多个不同功能的芯片以并排或叠加的方式，封装在一个单一的封装体内，实现系统级的功能集成。与 SoC（系统级芯片）相比，SiP 无需复杂的 IP 授权，设计更灵活、成本更低。中清航科在 SiP 技术上积累了丰富经验，能够根据客户需求，将多种芯片高效整合在一个封装内，为客户提供具有成本优势的系统级封装解决方案，广泛应用于消费电子、汽车电子等领域。想要了解更多详细内容可以关注我司官网。中清航科芯片封装技术，支持三维堆叠，突破平面集成的性能天花板。江苏苏州芯片封装厂

中清航科芯片封装技术，支持系统级封装，实现芯片与被动元件一体化。江苏苏州芯片封装厂

先进芯片封装技术 - 2.5D/3D 封装：2.5D 封装技术可将多种类型芯片放入单个封装，通过硅中介层实现信号横向传送，提升封装尺寸和性能，需用到硅通孔（TSV）、重布线层（RDL）、微型凸块等主要技术。3D 封装则是在垂直方向叠放两个以上芯片，直接在芯片上打孔和布线连接上下层芯片堆叠，集成度更高。中清航科在 2.5D/3D 封装技术方面持续创新，已成功应用于高性能计算、人工智能等领域，帮助客户实现芯片性能的跨越式提升。有相关需求欢迎随时联系。江苏苏州芯片封装厂