成熟制程架构创新成亮点，中国芯片成果密集亮相ISSCC

纵观本届ISSCC（国际固态电路大会）上来自中国的研究成果，一个鲜明的特点是：利用成熟制程结合架构创新，在能效比和集成度上实现了对先进制程的局部赶超。在近日于美国旧金山举行的第七十三届大会上，多项来自中国高校及企业的芯片成果集中亮相，展现了中国在集成电路设计领域的技术积累与创新路径。

南京大学集成电路学院共有两篇高水平论文入选。曹鹏团队提出了一种面向电致变色智能玻璃的电源转换器芯片，在国际上率先攻克了传统四象限电源难以兼顾单片集成与高转换效率的难题。该芯片通过拓扑创新与控制创新，在5V至12V输入范围内，实现了-5V至5V连续可调输出与±3A负载电流，峰值转换效率达94.6%。杜力、杜源团队联合平头哥半导体，在28nm CMOS工艺下设计出一款集成4源串扰抵消技术的收发机，攻克了高密度短距离存储接口的信号完整性难题。这一合作模式中，高校团队负责理论突破与架构设计，企业提供工程化落地支持，从立项到流片用时10个月。

在新型存储器领域，合肥睿科微电子携手南方科技大学、犀灵视觉，依托55nm成熟CMOS制程推出两款创新芯片。针对大语言模型推理中"参数规模大、内存带宽紧张"的痛点，团队采用自主研发的ReRAM-on-Logic 3D堆叠技术，在LLaMA2-7B模型上实现了解码吞吐量14.08至135.69token/s，能耗123.41mJ/token——相当于点亮一盏LED灯的功耗即可完成一次推理任务。另一款全模拟智能视觉SoC，实现了从图像传感、特征提取到神经网络推理全程保持模拟形态，系统级能效接近346 TOPS/W的行业前列。

北京大学电子学院邱晨光研究员—彭练矛院士团队成功研制出"纳米栅低功耗铁电晶体管"，将晶体管栅极长度缩小至1纳米，需施加0.6伏电压即可完成数据存储，开关能耗比国际同类成果降低一个数量级。这些成果共同表明，在先进制程之外，通过架构创新、先进封装与成熟制程的深度结合，同样可以开辟提升芯片性能的差异化路径。