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Femto Science等离子体技术,让混合键合从实验室走

来源: 发布时间:2025-09-29

当半导体行业朝着 “更精细、更高集成” 狂奔时,封装技术正迎来一场关键变革 —— 混合键合(Hybrid Bonding)的出现,彻底打破了传统封装的物理局限。

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混合键合工艺流程


它无需焊料,就能实现直接的铜 - 铜键合与介质 - 介质键合,不仅支持小于 10 微米的超精细间距,还能***提升 I/O 密度、优化电气性能与热管理。可就是这项被寄予厚望的 “下一代技术”,却面临一个 “反直觉” 的挑战:一项价值数十亿美元的工艺,成败竟取决于肉眼看不见的原子级表面控制。

一、混合键合的 3 大 “隐形敌人”:看不见的缺陷,毁所有的风险

与传统倒装芯片 “大间距、高容忍度” 不同,混合键合对界面缺陷几乎 “零容忍”—— 只要表面存在一丝污染物、氧化层或低表面能状态,就可能引发灾难性后果。而这三大 “隐形敌人”,恰恰是工艺中**容易被忽视的痛点:

1. 微观污染物:湿法清洗也除不掉的 “拦路虎”

即便经过化学清洗,晶圆表面仍会残留纳米级有机残留物与颗粒。这些肉眼不可见的 “小家伙”,会成为键合的物理阻隔,不仅让工艺重复性变差,还会让**终结果依赖于不可控因素 —— 可能同一批次产品,良率天差地别。

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2. 原生氧化铜:偷走电气性能的 “隐形电阻”

铜是键合的**材料,但暴露在空气中极易形成原生氧化铜(CuOx)。哪怕只是部分覆盖,这层绝缘氧化层也会***增加界面电阻,直接拖累器件的电气性能。

3. 表面能失控:扛不住高温的 “弱结合”

键合需要强初始附着力,但未经处理的表面往往是化学惰性的 “疏水状态”—— 表面能低、水接触角大于 90°,连基础的粘接都难以实现。更麻烦的是,这种弱结合根本扛不住后续高温退火工艺的应力,分层、空隙等问题会接踵而至。

一旦这三大问题没解决,后果不堪设想:键合直接失效、良率大幅下滑、长期可靠性堪忧,前期投入的研发与生产成本可能瞬间 “打水漂”。

二、等离子体技术:一招解决 3 大难题的 “一体化武器”

面对原子级的表面挑战,常规的清洗或处理方式早已力不从心。而 Femto Science 提出的先进等离子体技术,正是目前***能实现 “原子级清洁 + 表面活化” 的可行方案 —— 它像一把精细的 “手术刀”,在原子层面逐个攻克难题:

1. 清洁:物理 + 化学双重 “去污”

等离子体是由离子与活性物质构成的高能气体,能通过物理剥离作用直接 “刮掉” 表面污染物,同时与有机残留物发生化学反应,将其彻底分解***。经过处理后,晶圆表面能达到真正的 “无杂质” 状态。

2. 还原:让氧化铜变回 “导电铜”

针对原生氧化铜,等离子体可通过还原作用(如使用氢气、氮氢混合气),将绝缘的 CuOx 转化为具有良好导电性的纯铜,从根源上消除界面电阻隐患,确保金属键合的稳定性。

3. 活化:从 “疏水” 到 “亲水” 的关键转变

**关键的是,等离子体能改性介质表面:将原本低表面能的疏水状态,转化为高表面能的亲水状态 —— 水接触角从 > 90° 骤降至 < 10°。这种高表面能状态能提供强初始附着力,足以承受后续高温退火的应力,为键合成功打下基础。

一句话总结:等离子体技术用单一高效的工艺,同时解决了混合键合的三大**痛点,成为从 “预处理” 到 “键合” 的关键桥梁。


初始状态:不利的表面状态

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**终状态:理想表面

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三、经《自然・电子学》验证:Femto Science 的技术硬实力

技术好不好,得用实践说话。Femto Science 的等离子体技术,早已在前沿研究中得到**认可 —— 在 2022 年《自然・电子学》(Nature Electronics)的一篇论文中,其系统成为 “二维材料集成突破” 的关键推手:

当时研究团队面临的难题是:二维材料 “湿法转移” 时,基底表面的隐形污染物会导致材料褶皱、缺陷,**终损坏器件。而通过 Femto Science 的 CIONE 等离子体设备,*用 5 分钟的氧等离子体处理,就构建出原子级洁净的亲水表面,成功实现了全球***大面积、单晶高 κ 氧化物薄片的完美转移,**终制造出高性能晶体管。

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发表于《自然・电子学》(2022 年第 5 卷,第 233 至 240 页)


论文中明确提及:“基底采用氧等离子体进行处理…… 所使用的设备为 Femto Science系统”。这一背书不仅证明了Femto在界面控制领域的技术精通,更说明其**原理可复用于混合键合等更高要求的场景。

四、CIONE 平台:混合键合研发与量产的 “理想搭档”

如果说等离子体技术是 “**武器”,那么 Femto Science 的CIONE 平台就是承载这一武器的 “比较好载体”。针对混合键合的全流程需求,CIONE 系列(CIONE4/CIONE6/CIONE8)具备三大**能力:

1. 精密清洗:温和无损伤,适配脆弱基底

针对化学机械抛光(CMP)后的脆弱晶圆,CIONE 能以 “温和模式” 去除微观污染物,避免对基底造成损伤,确保后续工艺的稳定性。

2. 高效氧化物去除:多气体适配,还原更彻底

支持氢气、氮氢混合气等多种还原性气体,可根据不同工艺需求调整参数,高效***铜氧化层,确保金属键合的完美性。

3. 可控表面活化:灵活调控,比较大化键合强度

通过 PE 模式(等离子体增强化学气相沉积模式),可精细调控介质表面的活化程度,确保表面能处于比较好状态,比较大化初始键合强度。


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CIONE 平台

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从实验室研发到大批量生产,CIONE 平台的精细度与可重复性,能全程支撑混合键合技术的落地 —— 降低研发风险,缩短周期,帮企业更快抢占市场先机。

五、成为你的混合键合战略伙伴

混合键合的成功,本质是表面工程的胜利。而 Femto Science 不仅提供 “从理论到实践” 的完整解决方案 —— 从等离子体技术到 CIONE 平台,更愿成为你在下一代封装赛道上的合作伙伴:

可开展联合评估,为你的材料定制比较好工艺方案;

从研发到量产,全程提供专业支持,帮你稳固行业**地位。

下一代封装的未来,从原子级的表面控制开始 —— 而你需要的,只是一个靠谱的伙伴。

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