南京片式陶瓷电容生产厂家

电容与直流偏置电压的关系：***类型电介质电容器的电容与DC偏置电压无关。第二类型电介质电容器的电容随DC偏压而变化，陶瓷电容器允许负载的交流电压与电流和频率的关系主要受电容器ESR的影响；相对来说，C0G的ESR比较低，所以可以承受比较大的电流，对应的允许施加的交流电压也比较大；X7R、X5R、Y5V、Z5U的ESR比较大，可以承受C0G以下。同时由于电容远大于C0G，所以施加的电压会比C0G小很多。1类介质电容器允许电压、电流和频率的解释当负载频率较低时，即使负载的交流电压为额定交流电压，当流经电容器的电流低于额定电流时，允许电容器负载额定交流电压，即平坦部分；电容两极间的绝缘材料，介电常数大的(如铁电陶瓷，电解液)适合于制作大容量小体积的电容，但损耗也大。南京片式陶瓷电容生产厂家

频率特性：电参量随电场频率一起变化的。高频率工作的电容，其介电常数比低频率时小，因此高频电流比低频率时低。频率越高，损耗也越大。此外，在高频率工作时，电容器的分布参数，如极片电阻、导线与极片之间的电阻等，都会对电容的性能产生影响。这一切，使电容器的使用频率受到限制。绝缘电阻：表示漏电流大小。通常，容量较小的电容，绝缘电阻可达数百兆欧姆或数千兆欧姆。电解电容一般是绝缘电阻小。相对来说，绝缘电阻越大，漏电流越小。南京片式陶瓷电容生产厂家无极性电容体积小，价格低，高频特性好，但它不适合做大容量。

I类陶瓷电容器按照美国电工协会(EIA)的标准，是C0G(数字0，不是字母O，部分文件笔误COG)或NP0(数字0，不是字母O，部分文件笔误NPO)，以及中国标准CC系列等各类陶瓷介质(温度系数为030ppm/)，极其稳定，温度系数极低，不会出现老化现象和损耗因子。这种介质非常适用于高频(特别是用于工业高频感应加热、高频无线传输等应用的高频电力电容器)、超高频以及对电容和稳定性有严格要求的定时和振荡电路的工作环境。这种介质电容的缺点就是电容不能做得很大(因为介电系数比较小)。通常情况下，1206表贴C0G介质电容的电容范围为0.5pf至0.01f。

随着频率的升高，容抗下降、感抗上升，容抗等于感抗并相互抵消时的频率为铝电解电容器的谐振频率，这时的阻抗比较低，只剩下ESR。如果ESR为零，则这时的阻抗也为零；频率继续上升，感抗开始大于容抗，当感抗接近于ESR时，阻抗频率特性开始上升，呈感性，从这个频率开始以上的频率下电容器时间上就是一个电感。由于制造工艺的原因，电容量越大，寄生电感也越大，谐振频率也越低，电容器呈感性的频率也越低。这就要求它在开关稳压电源的工作频段内要有低的等效阻抗，同时，对于电源内部，由于半导体器件开始工作所产生高达数百千赫的尖峰噪声，亦能有良好的滤波作用，一般低频用普通电解电容器在10kHz左右，其阻抗便开始呈现感性，无法满足开关电源使用要求。电容作为基本元器件之一，实际生产的电容都不是理想的，会有寄生电感，等效串联电阻存在。

MLCC的主要材料和重要技术及LCC的优点：1、材料技术(陶瓷粉料的制备)现在MLCC用陶瓷粉料主要分为三大类(Y5V、X7R和COG)。其中X7R材料是各国竞争较激烈的规格，也是市场需求、电子整机用量较大的品种之一，其制造原理是基于纳米级的钛酸钡陶瓷料(BaTiO3)改性。日本厂家（如村田muRata）根据大容量(10μF以上)的需求，在D50为100纳米的湿法BaTiO3基础上添加稀土金属氧化物改性，制造成高可靠性的X7R陶瓷粉料，较终制作出10μF-100μF小尺寸(如0402、0201等)MLCC。国内厂家则在D50为300-500纳米的BaTiO3基础上添加稀土金属氧化物改性制作X7R陶瓷粉料，跟国外先进粉体技术还有一段差距。片式铝电解电容是没有套管的，所以在铝壳的底部印有容量、电压、正负极等相关信息。南京片式陶瓷电容生产厂家

钽电解电容器具有储藏电量、进行充放电等性能，主要应用于滤波、能量贮存与转换以及作时间常数元件等。南京片式陶瓷电容生产厂家

一般来说，它是一个去耦电容。或者数字电路通断时，对电源影响很大，造成电源波动，需要用电容去耦。通常，容量是芯片开关频率的倒数。如果频率为1MHz，选择1/1M，即1uF。你可以拿一个大一点的。比较好有芯片和去耦电容，电源处应该有，用的量还是蛮大的。在一般设计中，提到通常使用0.1uF和10uF、2.2uF和47uF进行电源去耦。在实际应用中如何选择它们？根据不同的功率输出或后续电路？通常并联两个电容就够了，但在某些电路中并联更多的电容可能会更好。不同电容值的电容器并联可以在很宽的频率范围内保证较低的交流阻抗。在运算放大器的电源抑制(PSR)能力下降的频率范围内，电源旁路尤为重要。电容可以补偿放大器PSR的下降。在很宽的频率范围内，这种低阻路径可以保证噪声不进入芯片。南京片式陶瓷电容生产厂家