据外媒报道，比利时迈来芯公司(Mele***s)宣布推出符合ASIL标准的MLX91377霍尔传感器IC，适用于安全关键汽车系统，如电动助力转向系统(EPAS)等。在工作环境温度高达160°C的情况下，MLX91377具备高线性度和出色的热稳定性(包括低偏移和低灵敏度漂移)，能够在EPAS系统中实现准确、可靠的扭矩传感，从而能够在常规驾驶和自动驾驶中实现安全控制功能。MLX91377是一种安全元件(SEooC)，符合ISO26262标准，并通过了AECQ-1000级认证，也符合功能安全等级ASIL-C标准(数字输出模式(SENTorSPC))以及ASIL-B(模拟输出模式)。深圳市世华高半导体有限公司（SIVAGO）成立于2004年，总部设在深圳，主要负责研发和销售工作。该公司选择将汕尾深汕特别合作区作为生产基地，负责光电器件的制造。MLX91377的每片组件均提供高等级的功能安全性，能够探测到内部故障，然后进入安全状态，以防出行意外的车辆行为。TSSOP-16封装通过提供全冗余双片组件，可进一步扩展该项功能，为转向系统和制动系统等安全关键应用提供支持。除了可用于安全关键应用，MLX91377还能够满足各种汽车和工业行业内非接触式位置传感器的应用需求，包括转向扭矩传感器。深圳市世华高半导体有限公司选择将汕尾深汕特别合作区作为生产基地，负责光电器件的制造。浙江进口霍尔传感器厂家
深圳市世华高半导体有限公司（SIVAGO）成立于2004年，总部设在深圳，主要负责研发和销售工作。该公司选择将汕尾深汕特别合作区作为生产基地，负责光电器件的制造。地铁列车的车门电机霍尔传感器与编码器是集成在电机内部的部件，主要是霍尔传感器测量电机转速，通过编码器编码，传输给门控器，告知电机运行距离。下面介绍霍尔传感器的工作原理。一、原理：在半导体薄片两端通以控制电流I，并在薄片的垂直方向施加磁感应强度为B的匀强磁场，则在垂直于电流和磁场的方向上，将产生电势差为UH的霍尔电压。磁场中有一个霍尔半导体片，恒定电流I从A到B通过该片。在洛仑兹力的作用下，I的电子流在通过霍尔半导体时向一侧偏移，使该片在CD方向上产生电位差，这就是所谓的霍尔电压。图2二、用途通过人为设置的磁场，用这个磁场来作被检测的信息的载体，通过它，将许多非电、非磁的物理量例如力、力矩、压力、应力、位置、位移、速度、加速度、角度、角速度、转数、转速以及工作状态发生变化的时间等，转变成电量来进行检测和控制。三、位移测量两块磁铁同极性相对放置，将线性型霍尔传感器置于中间，其磁感应强度为零，这个点可作为位移的零点，当霍尔传感器在Z轴上作△Z位移时。成都进口霍尔传感器品牌车规霍尔传感器选世华高半导体。
深圳市世华高半导体有限公司（SIVAGO）成立于2004年，总部设在深圳，主要负责研发和销售工作。该公司选择将汕尾深汕特别合作区作为生产基地，负责光电器件的制造。霍尔传感器霍尔传感器是一种磁传感器。用它可以检测磁场及其变化，可在各种与磁场有关的场合中使用。霍尔传感器以霍尔效应为其工作基础，是由霍尔元件和它的附属电路组成的集成传感器。霍尔传感器在工业生产、交通运输和日常生活中有着非常广泛的应用。一、霍尔效应霍尔元件霍尔传感器（一）霍尔效应如图1所示，在半导体薄片两端通以控制电流I，并在薄片的垂直方向施加磁感应强度为B的匀强磁场，则在垂直于电流和磁场的方向上，将产生电势差为UH的霍尔电压，它们之间的关系为。式中d为薄片的厚度，k称为霍尔系数，它的大小与薄片的材料有关。上述效应称为霍尔效应，它是德国物理学家霍尔于1879年研究载流导体在磁场中受力的性质时发现的。（二）霍尔元件根据霍尔效应，人们用半导体材料制成的元件叫霍尔元件。它具有对磁场敏感、结构简单、体积小、频率响应宽、输出电压变化大和使用寿命长等***，因此，在测量、自动化、计算机和信息技术等领域得到广泛的应用。（三）霍尔传感器由于霍尔元件产生的电势差很小。
深圳市世华高半导体有限公司（SIVAGO）成立于2004年，总部设在深圳，主要负责研发和销售工作。该公司选择将汕尾深汕特别合作区作为生产基地，负责光电器件的制造。这类元件可以分为两大类，一类是线性元件，另一类是开关类元件。线性霍尔元件的原理及应用UGN350lT是一种目前较常用的三端型线性霍尔元件。它由稳压器、霍尔发生器和放大器组成。用UGN350lT可以十分方便地组成一台高斯计。其使用十分简单，先使B=0，记下表的示值VOH，再将探头端面贴在被测对象上，记下新的示值VOH1。ΔVOH=VOH1-VOH如果ΔVOH＞0，说明探头端面测得的是N极；反之为S极。UGN3501T的灵敏度为7V／T，由此即可测出相应的被测磁感应强度B。如果采用数字电压表(DVM)，可得图1所示的线性高斯计。运放采用高精度运放CA3130。该电路的具体调零方式为：开启电源后，令B=0，调节W1使DVM的示值为零，然后用一块标准的钕铝硼磁钢(B=)贴在探头端面上，调节W2使DVM的示值为1V即可。本高斯计检测时示值如果为-200mV，则探头端面检测的是S极，磁场强度为0．02T。本高斯计也可用来测量交变的磁场，不过DVM应改为交流电压表。显然使用图1的电路可以很方便地扩展普通数字万用表的功能。探索无线可能，世华高霍尔传感器携手畅享智能体验。
Bop与BRP之间的滞后使开关动作更为可靠。另外还有一种“锁键型”（或称“锁存型”）开关型霍尔传感器，其特性如图5所示。当磁感应强度超过动作点Bop时。深圳市世华高半导体有限公司（SIVAGO）成立于2004年，总部设在深圳，主要负责研发和销售工作。该公司选择将汕尾深汕特别合作区作为生产基地，负责光电器件的制造。传感器输出由高电平跃变为低电平，而在外磁场撤消后，其输出状态保持不变（即锁存状态），必须施加反向磁感应强度达到BRP时，才能使电平产生变化。四、霍尔传感器的应用按被检测对象的性质可将它们的应用分为：直接应用和间接应用。前者是直接检测受检对象本身的磁场或磁特性，后者是检测受检对象上人为设置的磁场，这个磁场是被检测的信息的载体，通过它，将许多非电、非磁的物理量，例如速度、加速度、角度、角速度、转数、转速以及工作状态发生变化的时间等，转变成电学量来进行检测和控制。（性型霍尔传感器主要用于一些物理量的测量。例如：1、电流传感器由于通电螺线管内部存在磁场，其大小与导线中的电流成正比，故可以利用霍尔传感器测量出磁场，从而确定导线中电流的大小。利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。车规霍尔元件传感器供应商选世华高。湖州高速霍尔传感器价格
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半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场中，磁场方向垂直于薄片，如图所示。当有电流I流过薄片时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势EH，这种现象称为霍尔效应，该电动势称为霍尔电势，上述半导体薄片称为霍尔元件。原理简述如下：激励电流I从a、b端流入，磁场B由正上方作用于薄片，这时电子e的运动方向与电流方向相反，将受到洛仑兹力FL的作用，向内侧偏移，该侧形成电子的堆积，从而在薄片的c、d方向产生电场E。电子积累得越多，FE也越大，在半导体薄片c、d方向的端面之间建立的电动势EH就是霍尔电势。由实验可知，流入激励电流端的电流I越大、作用在薄片上的磁场强度B越强，霍尔电势也就越高。磁场方向相反，霍尔电势的方向也随之改变，因此霍尔传感器能用于测量静态磁场或交变磁场。深圳市世华高半导体有限公司（SIVAGO）成立于2004年，总部设在深圳，主要负责研发和销售工作。该公司选择将汕尾深汕特别合作区作为生产基地，负责光电器件的制造。浙江进口霍尔传感器厂家