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工业氢氟酸生产商

来源: 发布时间:2023年11月13日

我国标准中Ⅰ型产品氟硅酸含量(小于0.05%)的测定采用硅钼蓝分光光度法,Ⅱ型产品的氟硅酸含量的测定(含量大于2.5%)采用酸碱滴定法。而日本标准(包括无水氢氟酸)关于氟硅酸含量的测定规定了两种测定方法,日本标准中对于有水产品的高氟硅酸含量(含量小于0.05%)采用酸碱滴定法,对于无水产品的氟硅酸含量(小于0.01%)采用硅钼蓝分光光度法。各国标准基本也是采用加热的方法,将氟化氢蒸发至尽,剩余的不挥发酸(硫酸)用酸碱滴定法以酚酞为指标剂滴定至粉红色。日本标准和我国标准均采用酸碱滴定法,俄罗斯标准中除了酸碱滴定法外还同时规定目视比浊法测定硫酸含量。为保证测定结果的精确度,本标准中不挥发酸含量的测定采用酸碱滴定法,对于含量较低的产品(Ⅰ型产品)采用加大称样量办法提高滴定的准确度。在使用氢氟酸时必须避免暴露于长时间高温环境中。工业氢氟酸生产商

电子级氢氟酸是由无水氢氟酸经进一步处理得到的优越氢氟酸产品。电子级氢氟酸主要用于集成电路和超大规模集成电路芯片的清洗和腐蚀领域,是微电子行业生产所需的关键基础化工原材料之一。随着我国集成电路、半导体等行业快速发展,电子级氢氟酸市场需求不断增长,推动我国电子级氢氟酸行业产量不断上升。2010-2016年,我国电子级氢氟酸行业产量由3.9万吨增长至12.5万吨,年均复合增长率为21.4%;2017年,我国电子级氢氟酸行业产量达到15.0万吨以上。受下游市场需求不断增长的推动,我国电子级氢氟酸行业产量快速上升。目前,国产电子级氢氟酸用量只占到国内需求的不足5%,仍几乎完全依赖进口。工业氢氟酸生产商氢氟酸在制造光学玻璃和陶瓷时有重要的应用。

电子级氢氟酸的生产壁垒在于对金属离子含量的高标准。半导体中的金属离 子杂质会影响半导体中少子的寿命、表面的导电性、门氧化物的完整性和稳定性 等参数,且金属离子杂质在高温下或电场下会向半导体本体扩散或在表面扩大分 布,导致半导体性能下降,因此氢氟酸对其中的金属离子含量有比较严格的要求, 且适用的晶圆半径越大,制程越好,对金属离子含量的要求越高。半导体用的氢 氟酸所有单项金属杂质的质量分数≤0.1μg/L,对应 SEMI 为 G4 以上等级的氢氟 酸,对应国内行业标准则是 UP-SS 及以上等级的氢氟酸。对于现在国际上主流的 12 寸晶圆,其制造过程中需要金属离子含量低于 0.0001μg/L,对应 SEMI G5 或者 UP-SSS 标准。

各国标准中所采用的原理是一致,对于氟硅酸含量较低的测定主要采用分光光度法,原理为:硅酸盐与钼酸盐反应形成硅钼杂多酸(黄色),用还原液将硅钼杂多酸还原,在波长795 nm处测量蓝色络合物的吸光度。各国标准中所不同的是将硅钼杂多酸还原所用的还原剂,国标和日本标准中采用以亚硫酸根为主还原液,而俄罗斯标准中则采用抗坏血酸为还原剂。另外测定波长在各标准中规定也有所不同,国标中只规定波长795 nm,日本标准除规定波长795 nm外,还可以采用波长680nm,俄罗斯标准中规定波长650~700nm。对于氟硅酸含量较高的测定是采用在测定主含量时连续测定的方法,该方法在测定时利用了酸碱滴定法的原理。在使用氢氟酸时必须遵循相关规定和标准。

泄漏应急处理:泄漏:迅速撤离泄漏污染区人员至安全区,并进行隔离,严格限制出入。建议应急处理人员戴自给正压式呼吸器,穿防酸碱工作服。不要直接接触泄漏物。尽可能切断泄漏源,防止进入下水道、排洪沟等限制性空间。小量泄露:用砂土、干燥石灰或苏打灰混合。也可用大量水冲洗,洗水稀释后放入废水系统。大量泄露:构筑围堤或挖坑收容;用泵转移至槽车或专业收集器内,回收或运至废物处理场所处置。灭火方法:燃烧性:不燃。灭火剂:雾状水、泡沫。灭火注意事项:消防人员必须佩戴氧气呼吸器、穿全身防护服。食入:1、若患者即将丧失意识、已经失去意识或痉挛,勿经口喂食任何东西。2、用冷水彻底漱口。3、切勿催吐。4、让患者喝下240-300mL的10%葡萄糖酸钙溶液,以稀释胃中的物质。5、若患者自发性呕吐,让患者身体向前以避免吸入呕吐物。6、 反复给患者喝水。7、送医。泼洒氢氟酸的区域应当迅速用大量水冲洗,并立即通知应急人员。北京电子级氢氟酸价格多少

废氢氟酸必须依照法律和规定妥善处理。工业氢氟酸生产商

由于氢氟酸溶解氧化物的能力,它在铝和铀的提纯中起着重要作用。氢氟酸也用来蚀刻玻璃,可以雕刻图案、标注刻度和文字。随着电子产品的发展,对产品的纯度也越来越高。一般称之为湿电子化学品。等级从EL级到UPSSS级不等。不同行业作用也有差异。随着大规模集成电路技术的发展,虽然图形加工的线宽越来越细,对转移图形的重视精度和尺寸的要求越来越高,形成精细图形的刻蚀多采用干法刻蚀,但 越来越复杂的器件结构和新材料的引入对独特刻蚀工艺的要求使其必须采用湿法刻蚀或干湿相结合的刻蚀。多栅结构的器件大都采用稀释氢氟酸刻蚀栅氧来尽可能减小对硅基片的损伤,提高器件的性能。工业氢氟酸生产商

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