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线性稳压器（Linear Regulator）使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET，从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。其产品均采用小型封装，具有出色的性能，并且提供热过载保护、安全限流等增值特性，关断模式还能大幅降低功耗。实际的线性稳压器还应当具有许多其它的功能，比如负载短路保护、过压关断、过热关断、反接保护等，而且串联调整管也可以采用MOSFET。P沟道的场效应管不需要基极电流驱动，所以较大降低了器件本身的电源电流；另一方面，在采用PNP管的结构中，为了防止PNP晶体管进入饱和状态降低输出能力，必须保证较大的输入输出压差驱动器，就选深圳市凯轩业科技，用户的信赖之选，欢迎新老客户来电咨询！上海新型驱动器

线性稳压器的应用线性稳压器的主要应用体现在以下几个方面：1. 简单/低成本的解决方案。线性稳压器和LDO简单易用，特别适合于那些具有低输出电流、热应力不很关键的低功率应用。无需外部功率电感器。2. 低噪声/低纹波应用。对于那些对噪声敏感的应用（例如：通信和无线电设备）而言，较大限度地抑制电源噪声是非常关键的。线性稳压器具有非常低的输出电压纹波（因为没有频繁接通和关断的组件），而且线性稳压器还可以拥有非常高的带宽。所以，几乎不存在EMI问题。有些特殊的LDO（比如：凌力尔特的 LT1761 LDO系列）在输出端的噪声电压低至20μVRMS.这么低的噪声水平SMPS几乎是不可能实现的。即使采用ESR非常低的电容器，SMPS的输出纹波往往也将达到mV级。 上海新型驱动器原装，厂家直销驱动器就选择凯轩业电子有限公司。

MCS-51单片机定时器和计数器的4种工作方式解析一、定时器/计数器定时器/计数器T0由特殊功能寄存器TH0、TL0构成定时器/计数器T1由特殊功能寄存器TH1、TL1构成特殊功能寄存器TMOD用于控制和确定 定时器/计数器 T0、T1的工作模式和工作方式。特殊功能寄存器TCON用于控制T0、T1的启动和停止计数，同时包含了T0、T1的状态。工作方式控制寄存器TMODTMOD用于控制定时器/计数器的工作模式及工作方式，它的字节地址为89H。D7 D6 D5D4|D3 D2 D1D0GATE C/TM1M0深圳市凯轩业科技有限公司在同行业领域中，一直处在一个不断锐意进取，不断制造创新的市场高度，多年以来致力于发展富有创新价值理念的产品标准，在广东省等地区的电子元器件中始终保持良好的商业口碑，成绩让我们喜悦，但不会让我们止步，残酷的市场磨炼了我们坚强不屈的意志

P沟道的场效应管不需要基极电流驱动，所以较大降低了器件本身的电流；另一面，在采用PNP管的结构中，为了防止PNP晶体管进入饱和状态降低输出能力，必须保证较大的输入输出压差；而P沟道场效应管的压差大致等于输出电流与其导通电阻的乘积，极小的导通电阻使其压差非常低。当系统中输入电压和输出电压接近时，线性稳压器是较好的选择，可达到很高的效率。所以在将锂离子电池电压转换为3V 电压的应用中大多选用线性稳压器，尽管电池较后放电能量的百分之十没有使用，但是线性稳压器仍然能够在低噪声结构中提供较长的电池寿命。线性稳压电源，线性稳压电源和整流原理：将380VAC转换为所需的DC。凯轩业电子。

对于嵌入式应用而言，NPN旁路晶体管稳压器是一种不错的选择，因为它的压差小，而且非常容易使用。不过这种稳压器仍不适合具有很低压差要求的电池供电设备使用，因为它的压差不够低。它的高增益NPN旁路管可使接地电流稳定在几个毫安，而且它的公共发射极结构具有很低的输出阻抗。PNP 旁路晶体管是一种低压差稳压器，其中的旁路元件就是PNP晶体管。它的输入输出压差一般在0.3到0.7V之间。因为压差低，因此这种PNP旁路晶体管稳压器非常适合电池供电的嵌入式设备使用。不过它的大接地电流会缩短电池的寿命。另外，PNP晶体管增益较低，会形成数毫安的不稳定接地电流。由于采用公共发射极结构，因此它的输出阻抗比较高，这意味着需要外接特定范围容量和等效串联电阻（ESR）的电容才能够稳定工作-驱动器原装厂家直销选凯轩业电子科技有限公司。上海新型驱动器

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由于P沟道FET稳压器具有较低的压差和接地电流，因此被广大用于许多电池供电的设备。该类型稳压器将P沟道FET用作它的旁路元件。这种稳压器的电压差可以很低，因为很容易通过调整FET尺寸将漏-源阻抗调整到较低值。另一个有用的特性是低的接地电流，因为P沟道FET的“栅极电流”很低。然而，由于 P沟道FET具有相对大的栅极电容，因此它需要外接具有特定范围容量与ESR的电容才能稳定工作。N沟道FET稳压器非常适合那些要求低压差、低接地电流和高负载电流的设备使用。用于旁路管采用的是N沟道FET，因此这种稳压器的压差和接地电流都很低。虽然它也需要外接电容才能稳定工作，但电容值不用很大，ESR也不重要。N沟道FET稳压器需要充电泵来建立栅极偏置电压，因此电路相对复杂一些。幸运的是，相同负载电流下N沟道FET尺寸较多时可比P沟道FET小50%.kxy上海新型驱动器