光电二极管的关键要求之一是收集光的合适区域。在标准PN结内,这相对较小,但可以通过使用PIN二极管来增加面积。由于本征区域包含在用于集光的有源结中,因此用于集光的区域要大得多,从而使PIN光电二极管更有效。在光电二极管制造过程中,在P型和N型层之间插入了厚的本征层。该中间本征层可以是完全本征的,或者是非常轻掺杂的以使其成为N-层。在某些情况下,它可以作为外延层生长到衬底上,或者它可以包含在衬底本身内。P+扩散层的开发可以在重掺杂的N型外延层上进行。触点采用金属设计,可制成阳极和阴极等两个端子。二极管的前部区域可以分为两种类型,例如有源表面和无源表面。非活性表面的设计可以用二氧化硅(SiO2)完成。在活动表面上,光线可以照射在其上,而在非活动表面上,光线不能照射。通过抗反射材料覆盖活性表面,使光的能量不会损失,比较高可以转化为电流。+太阳能电池是一种半导体器件。当阳光照射到半导体上时一部分被反射,其余部分被吸收或穿透半导体。重庆多功能光电三极管厂家供应
光电三极管的特点是不仅能实现光电转换,而且同时还具有放大功能。光电三极管可以等效为光电二极管和普通三极管的组合元件。光电三极管基极与集电极间的PN相当于一个光电二极管,在光照下产生的光电流又从基极进入三极管放大,因此光电三极管输出的光电流可达光电二极管的N倍。光电三极管的主要作用是光控。由于光电三极管本身具有放大作用,给使用带来了很大方便。由于光控器件采用了光电三极管,因此该电路比使用光电二极管的同类同路简化许多。光电二极管和光电三极管各有所长。光电二极管温度特性和输出线性度好、响应时间快;光电三极管灵敏度高、输出光电流大。因此,在对输出线性要求较高或工作频率较高的场合应选光电二极管;而一般的光电控制电路要求灵敏度高,应选光电三极管。北京使用光电三极管厂家报价三极管,全称为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。
光照特性是指在阴极和阳极之间的光电二极管电压恒定时,光通量与光电流的关系。光特性曲线的斜率称为光电二极管灵敏度。光谱特性光电流与入射光波长之间的关系称为光谱特性。光子能量与光波长有关:波长越长,光子能量越小;波长越短,光子能量越大。光电二极管的作用与用途光电二极管的功能光电二极管***用于:1、光控光电二极管可用作光电开关,其电路如下图所示。当没有光时,光电二极管VD1由于反向电压而截止。晶体管VT1和VT2也因无基极电流而截止。继电器处于释放状态。当光在VD1上发射时,它从截止过渡到导通。于是,VT1、VT2依次导通,继电器K吸合,接通控制电路。
光电三极管也是一种晶体管,它有三个电极。当光照强弱变化时,电极之间的电阻会随之变化。光电三极管是在光电二极管的基础上发展起来的光电器件,它本身具有放大功能。目前的光电三极管是采用硅材料制作而成的。这是由于硅元件较锗元件有小得多的暗电流和较小的温度系数。硅光电三极管是用N型硅单晶做成N—P—N结构的。管芯基区面积做得较大,发射区面积却做得较小,入射光线主要被基区吸收。与光电二极管一样,入射光在基区中激发出电子与空穴。在基区漂移场的作用下,电子被拉向集电区,而空穴被积聚在靠近发射区的一边。由于空穴的积累而引起发射区势垒的降低,其结果相当于在发射区两端加上一个正向电压,从而引起了倍率为β+1(相当于三极管共发射极电路中的电流增益)的电子注入,这就是硅光电三极管的工作原理。光电二三极管,就选深圳市凯轩业科技,让您满意,欢迎您光临哦!
光电二极管是pn结或PIN配置。如果光子撞击二极管,它将产生电子和带正电的空穴。当在结的耗尽区发生任何吸收时,这些载流子已从该耗尽区的内置区域捕获在结中,从而产生了光电流。光电二极管在反偏压下或无偏压下被广大使用。光或光子可以驱动电流流过该电路,从而产生正向偏置,从而导致从反方向到光电流的“暗电流”。这被称为自然效应,可以作为太阳能电池设计的基础。太阳能电池板只是多个有效光电二极管的组合。反向偏置会沿完全相同的方向产生较小的电流。除此之外,光电二极管的噪声较小。雪崩光电二极管具有类似的预先布置,但通常在更大的反向偏置下运行。这样一来,每个由光产生的提供者就可以与雪崩击穿次数相乘,从而导致光电二极管的内部效应,并提高器件的整体响应度。用户的信赖之选,有想法可以来我司咨询!晶体管二三极管,就选深圳市凯轩业电子科技。安徽光电三极管制造公司
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基本原理:当光照在二极管上时,被吸收的光能转换成电能。光电二极管工作在反向电压作用下,只通过微弱的电流(一般小于0.1微安),称为暗电流,有光照时,携带能量的光子进入PN结后,把能量传给共价键上的电子,使有些电子挣脱共价键,而产生电子-空穴对,称为光生载流子,因为光生载流子的数目是有限的,而光照前多子的数目远大于光生载流子的数目,所以光生载流子对多子的影响是很小的,但少子的数目少有比较大的影响,这就是为什么光电二极管是工作在反向电压下而不是正向电压下,于是在反向电压作用下被光生载流子影响而增加的少子参加漂流运动,在P区,光生电子扩散到PN结,如果P区厚度小于电子扩散长度,那么大部分光生电子将能穿过P区到达PN结,在N区也是相同的道理,也因此光电二极管在制作时,PN结的结深很浅,以促使少子的漂移重庆多功能光电三极管厂家供应