主要由PN结的结电容及扩散电容决定,若工作频率超过fm,则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。反向恢复时间trr:指在规定的负载、正向电流及较大反向瞬态电压下的反向恢复时间。零偏压电容CO:指二极管两端电压为零时,扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是,由于制造工艺的限制,即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围,若测试条件改变,则相应的参数也会发生变化,例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于10uA,而在100°C时IR则变为小于500uA 原装,厂家直销控制芯片就选择凯轩业电子有限公司。江苏通用二极管哪种好
整流二极管还能够起到保护作用,当整流二极管外加反向电压不超过一定范围时,通过整流二极管的电流少数载流子漂移运动从而形成的反向电流,可以防止接错正负极。整流二极管的作用中的反向击穿,反向击穿按机理原理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。整流二极管在高掺杂浓度的情况下,整流二极管因势垒区宽度很小,反向电压较大会破坏势垒区内共价键结构,使电子脱离共价键束缚,产生电子空穴,整流二极管的作用中的另一种击穿为雪崩击穿。当整流二极管反向电压增加到较大数值时,外加电场会使电子漂移速度加快,从而使整流二极管共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子空穴对。江苏通用二极管哪种好深圳市凯轩业电子专业设计控制芯片,欢迎咨询来电。
较高反向工作电压VR:指二极管两端允许施加的较大反向电压。若大于此值,则反向电流(IR)剧增,二极管的单向导电性被破坏,从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。较大反向电流IR:它是二极管在较高反向工作电压下允许流过的反向电流,此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。这个电流值越小,表明二极管质量越好。击穿电压VB:指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时,则指给定反向漏电流条件下的电压值。较高工作频率fm:它是二极管在正常情况下的较高工作频率。
6、平面型二极管在半导体单晶片(主要地是 N 型硅单晶片)上,扩散 P 型杂质,利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在 N 型硅单晶片上但选择性地扩散一部分而形成的 PN 结。因此,不需要为调整 PN 结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整,故而得名。并且,PN 结合的表面,因被氧化膜覆盖,所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。较初,对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的,故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言,似乎使用于大电流整流用的型号很少,而作小电流开关用的型号则很多。 用户的信赖之选,圳市凯轩业科技是一家专业控制芯片方案设计公司,期待您的光临!
二极管的工作原理晶体二极管为一个由 p 型半导体和 n 型半导体形成的 p-n 结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于 p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流 I0。当外加的反向电压高到一定程度时,p-n 结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。凯轩业电子控制芯片,只做原装,欢迎咨询。江苏通用二极管哪种好
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反向恢复时间 (trr) 是指开关二极管从导通状态到完全关闭状态所经过的时间。一般关断后电子不能瞬间停止,有一定量的反向电流流过。其漏电流越大损耗也越大。还正在开发优化材料或扩散重金属从而缩短trr,抑制反冲后振荡(振铃)的FRD (Fast Recovery Diode) 等产品。trr是指电压变为反向后,直到电流变为零的时间。trr快速,则可以实现低损耗、高速开关使用稳压二极管的关键是设计好它的电流值。稳压二极管的特点就是击穿后,其两端的电压基本保持不变。 这样,当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路中各点电压变动时,负载两端的电压将基本保持不变。江苏通用二极管哪种好