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4，反向漏电是指二极管反向偏置时，流过处于反向工作的二极管PN结的微小电流，反向漏电流越小，二极管的单方向导电性能越好，在电路中，发光二极管通常都工作在正向偏置状态下，漏电流参数没有什么影响。但对作为整流管二极管的1N4007来说，由于其经常会处在反向偏置状态，所以反向漏电流的参数对其很重要。反向漏电流还与温度有着密切的关系，温度每升高10℃，反向屯流大约增大一倍；5，较大反向峰值电流是指二极管在较高反向工作电压下允许流过的反向电流，这个电流值越小，表明二极管质量越好。二极管IN5399为高反压整流二极管，可直接代换的整流二极管有RL157、IN5408，也可以用2只常见的IN4007并联代换。原装芯片，厂家直销控制芯片欢迎新老客户咨询。通用二极管厂家报价

8、变容二极管用于自动频率控制（AFC）和调谐用的小功率二极管称变容二极管。日本厂商方面也有其它许多叫法。通过施加反向电压， 使其 PN 结的静电容量发生变化。因此，被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途。通常，虽然是采用硅的扩散型二极管，但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管，因为这些二极管对于电压而言，其静电容量的变化率特别大。结电容随反向电压 VR 变化，取代可变电容，用作调谐回路、振荡电路、锁相环路，常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路，多以硅材料制作山西质量通用二极管信赖之选凯轩业科技有限公司，原装控制芯片。

如此反复,由于两个整流元件D1、D2轮流导电,结果负载电阻Rfz 上在正、负两个半周作用期间,都有同一方向的电流通过,如图5-4(b)所示的那样,因此称为全波整流,全波整流不但利用了正半周,而且还巧妙地利用了负半周,从而较大地提高了整流效率(Usc=0.9e2,比半波整流时大一倍)。图5-3所示的全波整滤电路,需要变压器有一个使两端对称的次级中心抽头,这给制作上带来很多的麻烦。另外,这种电路中,每只整流二极管承受的较大反向电压,是变压器次级电压较大值的两倍,因此需用能承受较高电压的二极管。

较高反向工作电压VR：指二极管两端允许施加的较大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。较大反向电流IR：它是二极管在较高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。这个电流值越小，表明二极管质量越好。击穿电压VB：指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值。较高工作频率fm：它是二极管在正常情况下的较高工作频率。线性稳压电源调节滤波后的直流电压，以使输入电压达到要求的值和精度要求。凯轩业。

整流二极管还能够起到保护作用，当整流二极管外加反向电压不超过一定范围时，通过整流二极管的电流少数载流子漂移运动从而形成的反向电流，可以防止接错正负极。整流二极管的作用中的反向击穿，反向击穿按机理原理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。整流二极管在高掺杂浓度的情况下，整流二极管因势垒区宽度很小，反向电压较大会破坏势垒区内共价键结构，使电子脱离共价键束缚，产生电子空穴，整流二极管的作用中的另一种击穿为雪崩击穿。当整流二极管反向电压增加到较大数值时，外加电场会使电子漂移速度加快，从而使整流二极管共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子空穴对。控制芯片深圳市凯轩业科技有限公司，欢迎亲咨询。福建厂家直销通用二极管

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6、放大用二极管用二极管放大，有依靠隧道二极管和体效应二极管那样的负阻性器件的放大，以及用变容二极管的参量放大。因此，放大用二极管通常是指隧道二极管、体效应二极管和变容二极管。7、开关用二极管有在小电流下（10mA 程度）使用的逻辑运算和在数百毫安下使用的磁芯激励用开关二极管。小电流的开关二极管通常有点接触型和键型等二极管，也有在高温下还可能工作的硅扩散型、台面型和平面型二极管。开关二极管的特长是开关速度快。而肖特基型二极管的开关时间特短，因而是理想的开关二极管。2AK 型点接触为中速开关电路用；2CK 型平面接触为高速开关电路用；用于开关、限幅、钳位或检波等电路；肖特基（SBD）硅大电流开关，正向压降小，速度快、效率高。通用二极管厂家报价

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