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线性稳压器的优势分析除了简单易用之外，线性稳压器还拥有其他的性能优势。电源管理供应商开发了许多集成型线性稳压器。典型的集成线性稳压器只需要VIN、VOUT、 FB和任选的GND引脚。图4示出了一款典型的3引脚线性稳压器LT1083，它是凌力尔特公司在20多年前开发的。该器件但需一个输入电容器、输出电容器和两个反馈电阻器以设定输出电压。几乎所有的电气工程师都可以运用这些简单的线性稳压器来设计电源。深圳市凯轩业科技有限公司在同行业领域中，一直处在一个不断锐意进取，不断制造创新的市场高度，多年以来致力于发展富有创新价值理念的产品标准，在广东省等地区的电子元器件中始终保持良好的商业口碑，成绩让我们喜悦，但不会让我们止步，残酷的市场磨炼了我们坚强不屈的意志。欢迎咨询只做原装，控制芯片，选深圳市凯轩业科技有限公司。自动化控制芯片联系方式

MCS-51单片机定时器和计数器的4种工作方式解析一、定时器/计数器定时器/计数器T0由特殊功能寄存器TH0、TL0构成定时器/计数器T1由特殊功能寄存器TH1、TL1构成特殊功能寄存器TMOD用于控制和确定 定时器/计数器 T0、T1的工作模式和工作方式。特殊功能寄存器TCON用于控制T0、T1的启动和停止计数，同时包含了T0、T1的状态。工作方式控制寄存器TMODTMOD用于控制定时器/计数器的工作模式及工作方式，它的字节地址为89H。D7 D6 D5D4|D3 D2 D1D0GATE C/TM1M0深圳市凯轩业科技有限公司在同行业领域中，一直处在一个不断锐意进取，不断制造创新的市场高度，多年以来致力于发展富有创新价值理念的产品标准，在广东省等地区的电子元器件中始终保持良好的商业口碑，成绩让我们喜悦，但不会让我们止步，残酷的市场磨炼了我们坚强不屈的意志自动化控制芯片联系方式深圳市凯轩业科技是一家专业控制芯片方案设计公司，欢迎您的来电喔！

时钟振荡器的作用是什么？时钟振荡电路中精确地确定振荡频率，它与所属电路系统中的主芯片内部的振荡电路配合，共同组成“石英晶体谐振器”（简“晶振”），产生主板上各个系统所必需的时钟信号。工作时，首先由主芯片内部的“多谐振荡器”产生一个频谱很宽的振荡，这个包含有多种“谐频”的振荡信号从主芯片输出后，直接加到晶体的两端。通过晶体的“精确选频”作用，确定一个时钟频率之后，再反馈回芯片内部去控制“多谐振荡器”的振荡频率。这样，整个时钟发生器就在晶体选定的频率上工作，产生一个频率稳定、幅度恒定的时钟脉冲，提供给主芯片内部的各个系统。

P沟道的场效应管不需要基极电流驱动，所以较大降低了器件本身的电流；另一面，在采用PNP管的结构中，为了防止PNP晶体管进入饱和状态降低输出能力，必须保证较大的输入输出压差；而P沟道场效应管的压差大致等于输出电流与其导通电阻的乘积，极小的导通电阻使其压差非常低。当系统中输入电压和输出电压接近时，线性稳压器是较好的选择，可达到很高的效率。所以在将锂离子电池电压转换为3V 电压的应用中大多选用线性稳压器，尽管电池较后放电能量的百分之十没有使用，但是线性稳压器仍然能够在低噪声结构中提供较长的电池寿命。信赖之选凯轩业科技有限公司，原装控制芯片。

NPN旁路晶体管稳压器是一种不错的选择，对于嵌入式应用而言，因为它压差小，容易使用。不过这种稳压器仍不适合具有很低压差要求的电池供电设备使用，因为它压差不够低。高增益NPN旁路管可使接地电流稳定在几个毫安，而且它公共发射极结构具有很低的输出阻抗。其中的旁路元件就是PNP晶体管。输入输出压差一般在0.30.7V之间。因为压差低，PNP旁路晶体管是一种低压差稳压器。因此这种PNP旁路晶体管稳压器非常适合电池供电的嵌入式设备使用。不过它大接地电流会缩短电池的寿另外，PNP晶体管增益较低，会形成数毫安的不稳定接地电流。因为采用公共发射极结构，因此它输出阻抗比较高，这意味着需要外接特定范围容量和等效串联电阻原装控制芯片选深圳凯轩业电子有限公司。代理控制芯片优势厂家

线性稳压电源，是指调整管工作在线性状态下的直流稳压电源。选深圳市凯轩业电子。自动化控制芯片联系方式

由于P沟道FET稳压器具有较低的压差和接地电流，因此被广大用于许多电池供电的设备。该类型稳压器将P沟道FET用作它的旁路元件。这种稳压器的电压差可以很低，因为很容易通过调整FET尺寸将漏-源阻抗调整到较低值。另一个有用的特性是低的接地电流，因为P沟道FET的“栅极电流”很低。然而，由于 P沟道FET具有相对大的栅极电容，因此它需要外接具有特定范围容量与ESR的电容才能稳定工作。N沟道FET稳压器非常适合那些要求低压差、低接地电流和高负载电流的设备使用。用于旁路管采用的是N沟道FET，因此这种稳压器的压差和接地电流都很低。虽然它也需要外接电容才能稳定工作，但电容值不用很大，ESR也不重要。N沟道FET稳压器需要充电泵来建立栅极偏置电压，因此电路相对复杂一些。幸运的是，相同负载电流下N沟道FET尺寸较多时可比P沟道FET小50%.自动化控制芯片联系方式

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