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    所述控制器控制所述玻璃加工治具4在所述蚀刻区3内作往复移动，所述主厚度测量仪32测量玻璃厚度并且将关于测得厚度的信息实时发送到所述控制器；当测得玻璃厚度达到预设目标厚度时，所述控制器停止在所述蚀刻区3中喷射喷淋液的减薄处理，并且控制所述玻璃加工治具4向所述冲洗区2移动。一般的，在所述腔室31内，减薄处理的具体工艺参数为：所述玻璃加工治具4的往复运动中单程单向时间设置为～4s，来回往复一次时间设置为3s～8s，往复移动幅度设置约为180mm左右；所述喷淋系统控制的喷淋液流量设置为1500lpm～2400lpm，在所述腔室31内的酸蚀温度一般设置为20℃～40℃；在上述参数下，玻璃的酸蚀速率一般在μm/min～μm/min，可有效实现对玻璃的整体减薄处理。s2，完成减薄处理的所述玻璃加工治具4在所述冲洗区2内经减薄后初清洗后待机，所述控制器进行次减薄厚度确认操作；具体的，通过设置于所述冲洗区2内的所述辅助厚度测量仪，进行检测厚度比较，从而实现所述减薄厚度确认操作，当所述减薄厚度未达到目标厚度时，所述控制器可控制所述玻璃加工治具4再次回撤至所述腔室31内进行再次减薄处理。s3，所述玻璃加工治具4移动至所述第三冲洗区2进行减薄后终清洗。哪家减薄用清洗剂的是口碑推荐？深圳半导体减薄用清洗剂销售厂

    所述主厚度测量仪32布置在所述腔室31的侧壁附近。所述主厚度测量仪32在所述玻璃加工治具4被加载到所述腔室31内之后用喷淋液将玻璃变薄或者减薄的同时实时测量玻璃的厚度，并且将关于测得厚度的信息发送到所述控制器。所述控制器实时确定从所述主厚度测量仪32接收的玻璃的厚度是否达到目标厚度。如果确定玻璃厚度达到目标厚度，则所述控制器停止对玻璃进行的减薄处理并且控制所述玻璃加工治具4重新移动至所述冲洗区2内。实施例三所述玻璃加工治具4经所述控制器的控制实现在所述腔室31内的往复运动，进而通过所述玻璃加工治具4的自身结构实现所述玻璃加工治具4上玻璃的摆动，从而实现玻璃与喷淋液的充分接触，提高玻璃在所述蚀刻区3内的减薄效果。图3为所述玻璃加工治具的种结构正视图；图4为所述玻璃加工治具的第二种结构正视图；图5为图3中的局部放大图；图6为所述玻璃加工治具的结构俯视图；具体的，所述玻璃加工治具4包括底座41、支撑架42，所述支撑架42固定设置在所述底座41上；所述底座41上设置有底支撑件43，所述底支撑件43用于与玻璃的底部接触，在玻璃底部提供支撑效果；所述支撑架42上设置有侧支撑件44，所述侧支撑件44限制玻璃侧部边缘位置。台州国产减薄用清洗剂销售厂苏州好的减薄用清洗剂的公司。

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    图1为本发明实施例提供的一种抛光减薄装置的结构示意图；图2为本发明实施例提供的一种托盘和待加工部件的键合固定方式示意图；图3为本发明实施例提供的一种磁转子的结构示意图；图4为本发明实施例提供一种磁转子的旋转方式的示意图；图5为本发明实施例提供的一种抛光减薄方法的流程示意图。具体实施方式以上是本发明的思想，为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。本发明实施例提供了一种抛光减薄装置，用于对inp基晶圆等部件进行抛光减薄，如图1所示，包括托盘10、喷头11和磁转子12，当然，本发明实施例中的抛光减薄装置还包括反应室13等，托盘10、喷头11和磁转子12等在反应室13内进行抛光和减薄反应。其中，托盘10，可选为石英托盘，用于固定待加工部件20，待加工部件20包括inp基晶圆。喷头11用于向待加工部件20的待加工表面喷涂抛光液110，以对待加工表面进行抛光。选择减薄用清洗剂，轻松应对各种涂层问题，提升工作效率。

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    在本发明的一个实施例中，抛光液110的主要成分包括：碳化硅颗粒，颗粒直径为50nm～200nm，体积比为3％～5％；次氯酸盐，体积比为30％～40％；氢溴酸，体积比为5％～7％，di水，体积比50～60％。本发明的一个实施例中，如图3所示，磁转子12包括截面为半圆形的柱状磁性结构120和位于柱状磁性结构120的底部平面的研磨层121，以通过研磨层121对待加工部件20的待加工表面进行机械研磨。当然，本发明并不仅限于此，在其他实施例中，可以根据实际需求选择合适的磁转子形状。可选地，研磨层121为金属氧化物层，进一步可选地，金属氧化物层包括三氧化二铝层。可选地，研磨层121的厚度为10μm。本发明实施例中，如图4所示，磁转子12沿箭头所示方向旋转，如沿逆时针或顺时针方向旋转，并且，磁转子12的长度近似等于待加工部件20如inp基晶圆的直径，以对整个待加工表面进行研磨。本发明实施例中，抛光减薄装置还包括控制部件。控制部件与磁转子12和喷头11相连，用于控制喷头11和磁转子12交替工作，以对待加工表面交替进行抛光和减薄。其中，控制部件通过脉冲方式控制喷头11和磁转子12交替工作。可选地，控制部件控制磁转子12的转速为80rpm～200rpm。深圳半导体减薄用清洗剂销售厂