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    即两所述侧板422之间设置有一排所述固定板423，从而形成对应设置有所述侧支撑件44的所述竖直平板421，在各所述放置部内放置有一排玻璃，可实现所述放置部结构的小型化，便于在同一所述玻璃加工治具4上设置若干所述放置部以使各所述放置部对应不同尺寸的玻璃。图4为所述调节槽的另一种实施方式，所述调节槽包括若干所述水平槽424和与所述水平槽424均竖直贯通连接的所述竖直槽425，所述固定槽426设置于所述水平槽424的下边缘；两所述竖直平板421均设置有所述侧支撑件44，同一所述水平槽424可设置两个所述固定卡块427，即两所述侧板422之间设置有两排所述固定板423，两所述固定板423分别对应两所述竖直平板421，使在同一所述放置部内分割处两个放置空间，从而在各所述放置部内可放置两排玻璃，便于节省所述玻璃加工治具4上的有限空间，可大尺寸玻璃和小尺寸玻璃配合设置于同一所述放置部内。较佳的，两相邻所述水平槽424之间还设置有至少两个定位槽428，所述固定板423两端设置有定位孔429，当所述固定卡块427设置于所述固定槽426内时，所述定位槽428和所述定位孔429位置对应；通过将螺钉穿过所述固定槽426螺纹固定在所述定位孔429中，保证所述固定卡块427在所述固定槽426内。哪家减薄用清洗剂的的性价比好？南通中芯国际用减薄用清洗剂替代品

    用于实现将所述玻璃加工治具从所述转换区经所述冲洗区向所述蚀刻区的减薄前移动，以及从所述蚀刻区经所述冲洗区向所述转换区的减薄后移动；所述冲洗区设置于所述转换区和所述蚀刻区之间。较佳的，所述蚀刻区包括腔室、主厚度测量仪、喷淋组件和控制器；所述主厚度测量仪、所述喷淋组件设置于所述腔室上，所述喷淋组件在所述腔室中对设置于所述玻璃加工治具上的玻璃施加减薄处理，所述主厚度测量仪实时测量在所述腔室内经历减薄处理的玻璃厚度；所述控制器与所述喷淋组件、所述主厚度测量仪、所述传输组件连接。较佳的，所述喷淋组件包括设置于所述腔室顶部的喷淋头、设置于所述腔室底部的收集槽、以及与所述喷淋头、所述收集槽均连通的外部喷淋液管路，通过所述喷淋头对所述玻璃加工治具上的玻璃喷淋喷淋液从而实现玻璃的减薄处理，所述收集槽收集减薄处理后的喷淋液并传输至所述喷淋液管路从所述腔室内排出。较佳的，所述主厚度测量仪包括用于发射激光束的发射器、用于接收被玻璃反射光束的接收器以及用于分析所述接收器中接收光束并且计算玻璃厚度的分析器。较佳的，所述主厚度测量仪还包括空气喷射器，用于将空气喷射到玻璃表面，将被检测部位暴露于所述发射器对应位置。南通中芯国际用减薄用清洗剂替代品减薄用清洗剂的的概费用是多少？

    并控制磁转子12和喷头11每间隔20s旋转10s，也就是说，控制磁转子旋转10s，控制磁转子停止旋转后，控制喷头喷涂抛光液10s，停止喷涂抛光液10s后，控制磁转子旋转10s，以此类推。本发明实施例中，控制部件在脉冲工作模式下，实现减薄和抛光两种工艺交替作用，使得减薄和抛光一体化完成，整个过程稳定，速度快，控制性好，重复度高，无粉尘污染，衬底减薄终厚度达到20μm，抛光面ra＜2nm。还需要说明的是，本发明实施例中，在减薄的过程中，可以不断更换磁转子12，如磁转子12工作1小时后，将磁转子12更换为新的磁转子，以使磁转子与待加工表面贴合紧密，避免了传统减薄工艺中由于转子形变误差造成的加工精度失真。此外，本发明实施例中，在完成抛光和减薄后，可以采用直链烷基苯磺酸盐溶剂对待加工部件20进行清洗，用di水冲洗干净，40℃的氮气吹干。之后，将清洗后的待加工部件20和托盘10侵入60℃的nmp(n甲基吡咯烷酮)30min，使得待加工部件20和托盘10自动分离，取出待加工部件20后清洗干净即可。本发明实施例还提供了一种抛光减薄方法，如图5所示，包括：s101：将待加工部件固定在托盘上，待加工部件包括inp基晶圆；可选地。

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    本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种抛光减薄装置和抛光减薄方法。背景技术：采用iii-v族化合物制作的半导体器件和超高速数字/数模混合电路等凭借其优良的频率特性，已经成为通讯、雷达、制导、空间防御、高速智能化武器及电子对抗等现代化装备的部件之一。在众多的iii-v族化合物中，inp(磷化铟)化合物具有独特的优势，这主要得益于其优良的材料特性，例如，inp和ingaas(铟镓砷)之间的晶格失配很小，以及电子饱和速率很高等，所以不论是hemt(highelectronmobilitytransistor，高电子迁移率晶体管)结构还是hbt(heterojunctionbipolartransistor，异质结双极晶体管)结构，都具有非常优异的高频、大功率性能。但是，inp材料的物理性能却很差，非常易碎，很小的碰撞或振动都会导致晶圆碎裂而前功尽弃，因此，inp材料的制造加工面临着很多工艺上的难题。尤其是在超高频率、大功率的inp基rfic(射频集成电路)的制造工艺中，如何在对inp基晶圆进行减薄抛光时，减小或避免inp基晶圆的损伤是本领域技术人员亟待解决的问题之一。技术实现要素：有鉴于此，本发明提供了一种抛光减薄装置和抛光减薄方法，以减小或避免inp基晶圆的减薄抛光损伤。为实现上述目的。选择减薄用清洗剂，为您的加工过程保驾护航。南通中芯国际用减薄用清洗剂替代品

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