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来源: 发布时间:2024年04月02日

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    在本发明的一个实施例中,抛光液110的主要成分包括:碳化硅颗粒,颗粒直径为50nm~200nm,体积比为3%~5%;次氯酸盐,体积比为30%~40%;氢溴酸,体积比为5%~7%,di水,体积比50~60%。本发明的一个实施例中,如图3所示,磁转子12包括截面为半圆形的柱状磁性结构120和位于柱状磁性结构120的底部平面的研磨层121,以通过研磨层121对待加工部件20的待加工表面进行机械研磨。当然,本发明并不仅限于此,在其他实施例中,可以根据实际需求选择合适的磁转子形状。可选地,研磨层121为金属氧化物层,进一步可选地,金属氧化物层包括三氧化二铝层。可选地,研磨层121的厚度为10μm。本发明实施例中,如图4所示,磁转子12沿箭头所示方向旋转,如沿逆时针或顺时针方向旋转,并且,磁转子12的长度近似等于待加工部件20如inp基晶圆的直径,以对整个待加工表面进行研磨。本发明实施例中,抛光减薄装置还包括控制部件。控制部件与磁转子12和喷头11相连,用于控制喷头11和磁转子12交替工作,以对待加工表面交替进行抛光和减薄。其中,控制部件通过脉冲方式控制喷头11和磁转子12交替工作。可选地,控制部件控制磁转子12的转速为80rpm~200rpm。上海好用的减薄用清洗剂价格如何正确使用减薄用清洗剂的。

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    所述控制器进行第二次减薄厚度确认操作;具体的,通过设置于所述第三冲洗区2的第二辅助厚度测量仪进行厚度检测,从而实现所述减薄厚度确认操作,当所述减薄厚度未达到目标厚度时,所述玻璃加工治具4可再次进入所述蚀刻区3内进行减薄处理。所述主厚度测量仪32设置在其中对玻璃施加减薄处理的所述蚀刻区3中并且实时测量玻璃厚度,使得玻璃可更准确地具有目标厚度;所述辅助厚度测量仪设置在所述冲洗区2中,并且再次测量经历过减薄处理的玻璃的厚度,因此可以检查设置在所述蚀刻区3中的所述主厚度测量仪32是否无法正确工作,并且使减薄玻璃的缺陷率降至;且所述辅助厚度测量仪可提前测量待经历减薄处理的玻璃的厚度,因此可以检查设置在蚀刻区3中的主厚度测量仪32是否无法正确工作;所述第二辅助厚度测量仪设置在所述第三冲洗区2,从而在减薄后清洗终完成后,再次进行厚度检测,从而检测预从所述玻璃减薄生产线运出的玻璃是否符合标准,并进一步降低减薄玻璃的缺陷率。以上所述为本发明的较佳实施例,对本发明而言是说明性的,而非限制性的。本专业技术人员理解,在本发明权利要求所限定的精神和范围内可对其进行许多改变,修改,甚至等效,但都将落入本发明的保护范围内。

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    本发明涉及玻璃减薄技术领域,具体涉及一种玻璃减薄设备。背景技术:随着便携式电子器件的发展,手机、平板等便携式电子器件越来越纤细化及薄型化,因此需要制造较薄的玻璃基板。为了制造较薄的玻璃基板,目前的采用的方法是浸泡式减薄法。用浸泡式减薄法减薄玻璃是将玻璃减薄液放入玻璃减薄设备的反应槽中,然后将玻璃放入玻璃减薄液中放置一定时间,使玻璃减薄液与玻璃反应,实现玻璃减薄。目前的浸泡式减薄法中,反应产物会悬浮于玻璃减薄液中,然后再粘附在玻璃上,造成不良品;并且,这种方法容易造成蚀刻不均,导致进行减薄后还需要进行抛光处理,提高了制备成本。鉴于上述缺陷,本发明创作者经过长时间的研究和实践终于获得了本发明。技术实现要素:为解决上述技术缺陷,本发明采用的技术方案在于,提供一种玻璃减薄设备,包括蚀刻区,用于对竖直容纳在玻璃加工治具中的多个玻璃进行减薄处理;冲洗区,用于所述玻璃加工治具上的玻璃进行减薄前清洁和减薄后清洁;转换区,用于待减薄处理的所述玻璃加工治具加载到所述冲洗区中,并将减薄处理后的所述玻璃加工治具从所述冲洗区卸载到外部;制动组件。减薄用清洗剂的人概费用是多少?惠州清洗效果好的减薄用清洗剂价格

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    将待加工部件固定在托盘上包括:采用光刻胶将待加工部件固定在托盘上。具体地,将待加工部件背面喷涂厚度约为2μm的光刻胶,如az4620光刻胶,然后在托盘表面喷涂厚度约为3μm的光刻胶,如az4620光刻胶,之后,将托盘光刻胶面向上放于温度为90℃的热板上,将待加工部件光刻胶面和托盘光刻胶面贴合,在2×10-2mabr真空下,施加1bar压强于待加工部件上进行键合,键合时间20min。s102:通过喷头向待加工部件的待加工表面喷涂抛光液,来对待加工表面进行抛光;s103:通过磁转子旋转对待加工表面进行机械研磨,来对待加工表面进行减薄。可选地,本发明实施例中,s102和s103可以交替进行,也就是说,控制磁转子旋转一段时间后,控制磁转子停止旋转,并控制喷头喷涂抛光液,停止喷涂抛光液后,再次控制磁转子旋转,以此类推。本发明实施例中,通过磁转子和喷头交替工作,实现了减薄和抛光两种工艺交替作用,使得减薄和抛光一体化完成,整个过程稳定,速度快,控制性好,重复度高,无粉尘污染,衬底减薄终厚度达到20μm,抛光面ra<2nm。由于减薄过程中待加工部件20如inp基晶圆本身不旋转,因此,可以降低抛光减薄过程中对待加工部件20如inp基晶圆的挤压应力。芜湖哪家减薄用清洗剂销售价格