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    本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种抛光减薄装置和抛光减薄方法。背景技术：采用iii-v族化合物制作的半导体器件和超高速数字/数模混合电路等凭借其优良的频率特性，已经成为通讯、雷达、制导、空间防御、高速智能化武器及电子对抗等现代化装备的部件之一。在众多的iii-v族化合物中，inp(磷化铟)化合物具有独特的优势，这主要得益于其优良的材料特性，例如，inp和ingaas(铟镓砷)之间的晶格失配很小，以及电子饱和速率很高等，所以不论是hemt(highelectronmobilitytransistor，高电子迁移率晶体管)结构还是hbt(heterojunctionbipolartransistor，异质结双极晶体管)结构，都具有非常优异的高频、大功率性能。但是，inp材料的物理性能却很差，非常易碎，很小的碰撞或振动都会导致晶圆碎裂而前功尽弃，因此，inp材料的制造加工面临着很多工艺上的难题。尤其是在超高频率、大功率的inp基rfic(射频集成电路)的制造工艺中，如何在对inp基晶圆进行减薄抛光时，减小或避免inp基晶圆的损伤是本领域技术人员亟待解决的问题之一。技术实现要素：有鉴于此，本发明提供了一种抛光减薄装置和抛光减薄方法，以减小或避免inp基晶圆的减薄抛光损伤。为实现上述目的。无锡哪家公司减薄用清洗剂批量定制哪家减薄用清洗剂的质量比较好。

    产生不良次品；同时由于所述侧支撑件44的移动，可带动玻璃在所述玻璃加工治具4上的摆动，从而实现玻璃与喷淋液的充分均匀接触。较佳的，所述底座41和实施支撑架42上均设置有若干流通孔，所述流通孔便于所述玻璃加工治具4上的所述喷淋液流至所述收集槽内。实施例四所述支撑架42包括对应设置的架体和第二架体，所述架体和所述第二架体均固定设置在所述底座41上，所述架体包括平行对应设置的两竖直平板421，所述第二架体为与所述竖直平板421连接的对应两侧板422，所述架体和所述第二架体形成盛放部，玻璃设置在所述盛放部内；所述侧板422和所述竖直平板421可均固定设置于所述底座41上，也可相互固定连接形成稳定的矩形框架。所述架体和所述第二架体均设置有若干所述侧支撑件44，且所述侧支撑件44对应所述底支撑件43设置。较佳的，所述架体上固定设置有若干固定孔，所述侧支撑件44可根据玻璃的具体尺寸在相应所述固定孔上固定设置；所述第二架体上设置有调节槽，对应所述调节槽还设置有固定板423，所述固定板423的两端分别设置在对应两所述侧板422的所述调节槽上，并可在所述调节槽内调节移动，从而可使所述玻璃加工治具4适用于不同尺寸的玻璃放置。一般的。

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    来对所述待加工表面进行减薄。可选地，还包括：在所述磁转子运行一段时间后，更换所述磁转子。可选地，将待加工部件固定在托盘上包括：采用光刻胶将所述待加工部件固定在所述托盘上。可选地，对所述待加工部件的待加工表面进行抛光和减薄之后，还包括：对所述待加工部件进行清洗；采用特定溶液对所述光刻胶进行腐蚀，以将所述待加工部件与所述托盘分离。与现有技术相比，本发明所提供的技术方案具有以下优点：本发明所提供的抛光减薄装置和抛光减薄方法，采用托盘固定待加工部件，采用喷头向待加工部件的待加工表面喷涂抛光液，来对所述待加工表面进行抛光，采用磁转子旋转对待加工表面进行机械研磨，来对所述待加工表面进行减薄，由于减薄过程中待加工部件如inp基晶圆本身不旋转，因此，可以降低抛光减薄过程中对待加工部件如inp基晶圆的挤压应力，降低待加工部件如inp基晶圆的机械加工损伤。附图说明为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。无锡清洗效果好的减薄用清洗剂生产