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    产生不良次品；同时由于所述侧支撑件44的移动，可带动玻璃在所述玻璃加工治具4上的摆动，从而实现玻璃与喷淋液的充分均匀接触。较佳的，所述底座41和实施支撑架42上均设置有若干流通孔，所述流通孔便于所述玻璃加工治具4上的所述喷淋液流至所述收集槽内。实施例四所述支撑架42包括对应设置的架体和第二架体，所述架体和所述第二架体均固定设置在所述底座41上，所述架体包括平行对应设置的两竖直平板421，所述第二架体为与所述竖直平板421连接的对应两侧板422，所述架体和所述第二架体形成盛放部，玻璃设置在所述盛放部内；所述侧板422和所述竖直平板421可均固定设置于所述底座41上，也可相互固定连接形成稳定的矩形框架。所述架体和所述第二架体均设置有若干所述侧支撑件44，且所述侧支撑件44对应所述底支撑件43设置。较佳的，所述架体上固定设置有若干固定孔，所述侧支撑件44可根据玻璃的具体尺寸在相应所述固定孔上固定设置；所述第二架体上设置有调节槽，对应所述调节槽还设置有固定板423，所述固定板423的两端分别设置在对应两所述侧板422的所述调节槽上，并可在所述调节槽内调节移动，从而可使所述玻璃加工治具4适用于不同尺寸的玻璃放置。一般的。如何选择一家好的减薄用清洗剂公司。

    降低待加工部件20如inp基晶圆的机械加工损伤。由于本发明实施例中采用光刻胶对托盘和待加工部件进行了固定，因此，对待加工部件的待加工表面进行抛光和减薄之后，还包括：对待加工部件进行清洗；采用特定溶液对光刻胶进行腐蚀，以将待加工部件与托盘分离。具体地，在完成抛光和减薄后，可以采用直链烷基苯磺酸盐溶剂对待加工部件20进行清洗，用di水冲洗干净，40℃的氮气吹干。之后，将清洗后的待加工部件20和托盘10侵入60℃的nmp(n甲基吡咯烷酮)30min，使得待加工部件20和托盘10自动分离，取出待加工部件20后清洗干净即可。本发明实施例提供的方法，还包括：在磁转子运行一段时间后，更换磁转子。如磁转子12工作1小时后，可以将磁转子12更换为新的磁转子，以使磁转子与待加工表面贴合紧密，避免了传统减薄工艺中由于转子形变误差造成的加工精度失真。本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。对所公开的实施例的上述说明。高效、环保的减薄用清洗剂，为您的生产带来绿色变化。上海国产减薄用清洗剂供应商

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    本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种抛光减薄装置和抛光减薄方法。背景技术：采用iii-v族化合物制作的半导体器件和超高速数字/数模混合电路等凭借其优良的频率特性，已经成为通讯、雷达、制导、空间防御、高速智能化武器及电子对抗等现代化装备的部件之一。在众多的iii-v族化合物中，inp(磷化铟)化合物具有独特的优势，这主要得益于其优良的材料特性，例如，inp和ingaas(铟镓砷)之间的晶格失配很小，以及电子饱和速率很高等，所以不论是hemt(highelectronmobilitytransistor，高电子迁移率晶体管)结构还是hbt(heterojunctionbipolartransistor，异质结双极晶体管)结构，都具有非常优异的高频、大功率性能。但是，inp材料的物理性能却很差，非常易碎，很小的碰撞或振动都会导致晶圆碎裂而前功尽弃，因此，inp材料的制造加工面临着很多工艺上的难题。尤其是在超高频率、大功率的inp基rfic(射频集成电路)的制造工艺中，如何在对inp基晶圆进行减薄抛光时，减小或避免inp基晶圆的损伤是本领域技术人员亟待解决的问题之一。技术实现要素：有鉴于此，本发明提供了一种抛光减薄装置和抛光减薄方法，以减小或避免inp基晶圆的减薄抛光损伤。为实现上述目的。广东什么是减薄用清洗剂哪里买