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本发明涉及半导体制造技术领域,更具体地说,涉及一种抛光减薄装置和抛光减薄方法。背景技术:采用iii-v族化合物制作的半导体器件和超高速数字/数模混合电路等凭借其优良的频率特性,已经成为通讯、雷达、制导、空间防御、高速智能化武器及电子对抗等现代化装备的部件之一。在众多的iii-v族化合物中,inp(磷化铟)化合物具有独特的优势,这主要得益于其优良的材料特性,例如,inp和ingaas(铟镓砷)之间的晶格失配很小,以及电子饱和速率很高等,所以不论是hemt(highelectronmobilitytransistor,高电子迁移率晶体管)结构还是hbt(heterojunctionbipolartransistor,异质结双极晶体管)结构,都具有非常优异的高频、大功率性能。但是,inp材料的物理性能却很差,非常易碎,很小的碰撞或振动都会导致晶圆碎裂而前功尽弃,因此,inp材料的制造加工面临着很多工艺上的难题。尤其是在超高频率、大功率的inp基rfic(射频集成电路)的制造工艺中,如何在对inp基晶圆进行减薄抛光时,减小或避免inp基晶圆的损伤是本领域技术人员亟待解决的问题之一。技术实现要素:有鉴于此,本发明提供了一种抛光减薄装置和抛光减薄方法,以减小或避免inp基晶圆的减薄抛光损伤。为实现上述目的。
来对所述待加工表面进行减薄。可选地,还包括:在所述磁转子运行一段时间后,更换所述磁转子。可选地,将待加工部件固定在托盘上包括:采用光刻胶将所述待加工部件固定在所述托盘上。可选地,对所述待加工部件的待加工表面进行抛光和减薄之后,还包括:对所述待加工部件进行清洗;采用特定溶液对所述光刻胶进行腐蚀,以将所述待加工部件与所述托盘分离。与现有技术相比,本发明所提供的技术方案具有以下优点:本发明所提供的抛光减薄装置和抛光减薄方法,采用托盘固定待加工部件,采用喷头向待加工部件的待加工表面喷涂抛光液,来对所述待加工表面进行抛光,采用磁转子旋转对待加工表面进行机械研磨,来对所述待加工表面进行减薄,由于减薄过程中待加工部件如inp基晶圆本身不旋转,因此,可以降低抛光减薄过程中对待加工部件如inp基晶圆的挤压应力,降低待加工部件如inp基晶圆的机械加工损伤。附图说明为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。什么地方需要使用 减薄用清洗剂。
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