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蚀刻液一般分为酸性蚀刻液和碱性蚀刻液两种。酸性蚀刻液主要成分氯化铜、盐酸、氯化钠和氯化铵。它的机理是酸性蚀刻液具有蚀刻速率易控制,蚀刻液在稳定状态下能达到高的蚀刻质量的特性;同时,它的溶铜量大;酸性蚀刻液也较容易再生与回收,从而减少污染。有研究表明,酸性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数通常为3,以硝酸为基础的蚀刻系统可以做到几乎没有侧蚀,达到蚀刻的线条侧壁接近垂直,其蚀刻效果非常好。结合以上特性,酸性蚀刻液一般用于多层印制板的内层电路图形的制作或微波印制板阴板法直接蚀刻图形的制作。
三氯化铁蚀刻液在印制电路、电子和金属精饰等工业中被采用,一般用来蚀刻铜、铜合金、不锈钢、铁及锌、铝等。虽然近些年来越来越要求再生容易,更加环保的蚀刻液,但由于三氯化铁蚀刻液它的工艺稳定,操作方便,价格便宜,因此还仍然被广大蚀刻加工企事业单位采用。三氯化铁蚀刻液适用于网印抗蚀印料、液体感光胶、干膜、镀金抗蚀层等抗蚀层的印制板的蚀刻。(但不适用于镍、锡、锡-铅合金等抗蚀层)1.蚀刻时的主要化学反应三氯化铁蚀刻液对铜箔的蚀刻是一个氧化-还原过程。在铜表面Fe3+使铜氧化成氯化亚铜。同时Fe3+被还原成Fe2+。FeCl3+Cu→FeCl2+CuClCuCl具有还原性,可以和FeCl3进一步发生反应生成氯化铜。FeCl3+CuCl→FeCl2+CuCl2Cu2+具有氧化性,与铜发生氧化反应:CuCl2+Cu→2CuCl所以,FeCl3蚀刻液对Cu的蚀刻时靠Fe3+和Cu2+共同完成的。其中Fe3+的蚀刻速率快,蚀刻质量好;而Cu2+的蚀刻速率慢,蚀刻质量差。新配制的蚀刻液中只有Fe3+,所以蚀刻速率较快。但是随着蚀刻反应的进行,Fe3+不断消耗,而Cu2+不断增加。当Fe3+消耗掉35%时,Cu2+已增加到相当大的浓度,这时Fe3+和Cu2+对Cu的蚀刻量几乎相等;当Fe3+消耗掉50%时。 上海和辉光电用的哪家的BOE蚀刻液?
这两种体系再生设备设备不仅可以节省约30%的物料成本,还降低废水处理成本,且可以电解出金属铜。二、蚀刻液再生循环系统在电子线路版(PCB)蚀刻过程中,蚀刻液中的铜含量渐渐增加。蚀刻液要达到比较好的蚀刻效果,每公升蚀刻液需含120至180克铜及相应分量的蚀刻盐(NH4CI)及氨水(NH3)。要持续蚀刻液中上述各种成份的浓度比较好水平,蚀刻用过后的(以下称[用后蚀刻液])溶液需不断由添加的药剂所取缔。本系统将大量原本需要排放的用后蚀刻液再生还原成为可再次使用的再生蚀刻液。只需极少量的补充剂及氨水,补偿因运作时被带走而失去的部份。从而取代蚀刻子液,既可达到蚀刻工艺的要求,又可节省生产成本。蚀刻液再生循环系统有酸性、碱性两大系统,两大系统又可分为萃取法、直接电解法。可将大量原本需要排放的用后蚀刻液还原再生成为可再次使用的再生蚀刻液。从而减少生产废液的排放,回用降低生产成本,且可提取出高纯度电解金属铜。天马微电子用的哪家的BOE蚀刻液?江西如何发展BOE蚀刻液推荐货源
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蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术,蚀刻技术分为湿蚀刻和干蚀刻,其中,湿蚀刻是采用化学试剂,经由化学反应达到蚀刻的目的,薄膜场效应晶体管液晶显示器(tft~lcd)、发光二极管(led)、有机发光二极管(oled)等行业用作面板过程中铟锡氧化物半导体透明导电膜(ito)的蚀刻通常采用盐酸和硝酸的混合水溶液。现有的制备装置在进行制备时会发热反应,使得装置外壳稳定较高,工作人员直接接触有烫伤风险,热水与盐酸接触会产生较为剧烈的反应,溅出容易伤害工作人员,保护性不足,盐酸硝酸具有较强的腐蚀性,常规的搅拌装置容易被腐蚀,影响蚀刻液的质量,用防腐蚀的聚四氟乙烯搅拌浆进行搅拌,成本过高,且混合的效果不好。所以,如何设计一种ito蚀刻液制备装置,成为当前要解决的问题。江西如何发展BOE蚀刻液推荐货源