浙江传感器线圈参数

如图2b所示，在正弦定向线圈112中，金属目标124完全覆盖环路116，并且使环路114和环路118未被覆盖。结果，vc＝1/2、vd＝0、以及ve＝1/2，因此vsin＝vc+vd+ve＝1。类似地，在余弦定向线圈110中，环路120的一半被覆盖，导致va＝-1/2，并且环路122的一半被覆盖，导致vb＝1/2。因此，由va+vb给出的vcos为0。类似地，图2c示出金属目标124相对于正弦定向线圈112和余弦定向线圈110处于180°位置。因此，正弦定向线圈112中的环路116和环路118的一半被金属目标124覆盖，而余弦定向环路110中的环路122被金属目标124覆盖。因此va＝-1、vb＝0、vc＝1/2、vd＝-1/2、以及ve＝0。结果，vsin＝0且vcos＝-1。图2d示出vcos和vsin相对于具有图2a、图2b和图2c中提供的线圈拓扑的金属目标124的角位置的曲线图。如图2d所示，可以通过处理vcos和vsin的值来确定角位置。如图所示，通过从定义的初始位置到定义的结束位置对目标进行扫描，将在的输出中生成图2d中所示的正弦(vsin)和余弦(vcos)电压。金属目标124相对于接收线圈104的角位置可以根据来自正弦定向线圈112的vsin和余弦定向线圈110的vcos的值来确定，如图2e所示。传感器线圈哪家好，无锡东英电子有限公司值得信赖，欢迎您的光临！浙江传感器线圈参数

二)磁场的强度在近房间中心的磁场强度与回路中电流的大小和回路数直接成正比，与回路的直径成反比例。国际标准(IEC60118—4，BS7594)指出：一个磁场的长期平均输出功率值应为100mA/m(指每米毫安培)。不得低于70mA/m或高于140mA/m。该值是在回路内，距离地板1．2米时测得的磁场垂直面上的强度。允许在言语中出现达到400mA/m的强度峰值、频率范围应当覆盖100Hz—5kHz。在回路中心的直径a米，有n周围绕的回路其磁场强度可以用下式计算：H是磁场的强度，用每米毫安培表示，I是电流值的均方根，用安培表示、对一个正方形的回路，大小用a米表示，其磁场强度要比计算的值少10%。如果磁场的长期平均输出功率强度要达到100mA/m，则回路输出的值至少要在400mA/m(好560mA/m)，这样可以避免在更大强度的言语声音中产生过多的削峰。根据电磁原理我们可以看到，感应回路线圈并不是在建筑中产生磁场的的一条电线，所有建筑中的电线都会产生磁场，因此，助听器不仅能收到语音信号，也可以接收到其他磁场信号，如50Hz的电源电压信号等。在布线的时候要充分考虑到干扰源的问题。如果音频磁场太弱，信噪比就不够大。提高信号发射功率，可以干扰。在一些体积较小的助听器中(其线圈亦小)。塑料传感器线圈芯传感器线圈哪家专业，无锡东英电子有限公司值得信赖，还等什么，快来call我司吧！

    图10d示出导线1020的一维模型与基准矩形迹线1022在距迹线中心1mm的距离处的差异。单个矩形迹线1022的表示可以通过单导线配置和多导线配置两者来实现。可以看出，该场与一维模型略有偏离。从图10d可以看出，误差不可忽略，但在两种情况下，即使在1mm处，误差也只有很小的分数1％。由于接收线圈的大多数点相对于发射线圈的距离远大于1mm，因此1维导线模型在大多数应用中可能就足够了。也可以用三维块状元素来表示发射线圈，其中假定电流密度是均匀的。图10e示出这种近似。如图10e所示，这以适度的附加计算为代价将由发射线圈产生的磁场的建模误差减小了一个数量级。因此，在步骤1006和步骤1010中，可以将迹线建模为一维迹线。因此，通过使用1维导线模型可以预先计算由发射线圈产生的源磁场。在一些实施例中，可以使用基于3d块状件元素的更高级的模型，如上所述，该模型可以产生大致相同的结果。这些模型可以使用有限元矩阵形式的计算，然而，此类模型可能需要许多元素，并且需要增加计算。如上文所讨论的，类似于fem的模型可能使用太多的元素(1亿多个网格元素)来达到所提出的一维模型的准确性。

    由va+vb给出的vcos为0。类似地，图2c示出金属目标124相对于正弦定向线圈112和余弦定向线圈110处于180°位置。因此，正弦定向线圈112中的环路116和环路118的一半被金属目标124覆盖，而余弦定向环路110中的环路122被金属目标124覆盖。因此va＝-1、vb＝0、vc＝1/2、vd＝-1/2、以及ve＝0。结果，vsin＝0且vcos＝-1。图2d示出vcos和vsin相对于具有图2a、图2b和图2c中提供的线圈拓扑的金属目标124的角位置的曲线图。如图2d所示，可以通过处理vcos和vsin的值来确定角位置。如图所示，通过从定义的初始位置到定义的结束位置对目标进行扫描，将在接收器的输出中生成图2d中所示的正弦(vsin)和余弦(vcos)电压。金属目标124相对于接收线圈104的角位置可以根据来自正弦定向线圈112的vsin和余弦定向线圈110的vcos的值来确定，如图2e所示。例如，目标的角位置可以被计算为：角位置＝arctan(vsin/vcos)。图2e示出了这一点，并且示出vcos和vsin的正弦形式以及根据vcos和vsin的值得出的对金属目标124的位置的确定。在线性位置定位系统中，可以通过知道接收器线圈104的迹线的正弦形式的波长(即，正弦定向线圈112的迹线和余弦定向线圈110的迹线的峰距区域之间的间隔)。传感器线圈使用的时候有什么要注意？

    算法712计算不具有目标时的偏差，并且在步骤1216中，如果不满足小偏差标准，则算法从步骤1208重新开始。当达到小偏差时，算法进行到步骤1218，评估电压，如图10a所示，然后计算理想位置和仿真的位置之间的大误差。如果在步骤1220中没有达到低的可能误差，则算法返回到步骤1206，提供另一种配置。一旦获得了当前输入的低误差，算法就在返回步骤1226处结束。在一些实施例中，在不存在如图13所示的阱的情况下，实现没有目标时的偏差的补偿。无论如何，由于正弦形1316rx线圈和余弦形1318rx线圈的平衡延伸部1306和平衡延伸部1307，始终保证了设计对称性。提供以上详细描述是为了说明本发明的具体实施例，而不是旨在进行限制。在本发明的范围内的许多变化和修改是可能的。本发明在所附权利要求中阐述。传感器线圈推荐，无锡东英电子有限公司值得信赖，欢迎各位新老朋友垂询！外壳传感器线圈资料

传感器线圈哪家好，无锡东英电子有限公司值得信赖，详细可访问我司官网查看！浙江传感器线圈参数

相对于余弦接收线圈定义正弦接收线圈。为了说明的目的，图13示出对关于图12所描述的正弦接收线圈的修改。接收线圈(rx)设计可以用双环路迭代来定义。初，在步骤1206中，正弦形状的rx线圈1316(结合参考系1314)沿x方向对称地部分延伸(如迹线1310所示)，以补偿由于目标非理想性引起的磁通泄漏。利用所施加的线圈延伸，在步骤1208中，使用作用在线圈1316所有点上的适当的位移函数，使正弦形线圈1316沿y方向变形，如迹线1312。给定这些设置，在步骤1210中，算法计算通孔的位置。根据在步骤1202中指定的信息并且为了消除先前提到的信号失配，而建立通孔位置1308。每当一个线圈中的通孔比另一个线圈中的通孔多或通孔以不平衡方式定位(即，不对称)时，就会出现电压失配。所导致的电压失配是当目标移动时正弦信号相对于余弦信号的较大峰峰值幅度(反之亦然)。为了实现减少电压失配的目标，通孔的设计方式是使sin(1316)rx线圈和cos(1318)rx线圈在pcb底部中的部分的长度相同。此外，通孔相对于设计的对称中心是对称的。在步骤1212中，定义正弦接收线圈迹线和余弦接收线圈迹线。在一些实施例中，使用一维模型来定义迹线。在步骤1214中，算法712计算不具有目标时的偏差。浙江传感器线圈参数

无锡东英电子有限公司依托可靠的品质，旗下品牌东英电子以高质量的服务获得广大受众的青睐。旗下东英电子在机械及行业设备行业拥有一定的地位，品牌价值持续增长，有望成为行业中的佼佼者。我们强化内部资源整合与业务协同，致力于电子线圈，电磁阀，传感器，汽车电子零部件等实现一体化，建立了成熟的电子线圈，电磁阀，传感器，汽车电子零部件运营及风险管理体系，累积了丰富的机械及行业设备行业管理经验，拥有一大批专业人才。值得一提的是，东英电子致力于为用户带去更为定向、专业的机械及行业设备一体化解决方案，在有效降低用户成本的同时，更能凭借科学的技术让用户极大限度地挖掘东英电子的应用潜能。