差分钟振功耗比单端高多少?

浙江汇隆晶片技术有限公司2026-03-24

差分钟振因驱动两路信号，静态电流略高于单端，但采用LVDS等低摆幅技术后，整体功耗差距缩小。典型LVDS差分晶振在100MHz下功耗约40–60mW，而CMOS单端约30–50mW，差异在10–20mW以内。在高速应用中，差分方案反而因减少外部滤波与重传而降低系统总功耗。浙江汇隆晶片技术有限公司优化电路设计，使差分产品在性能与能效间取得平衡。详细功耗数据见官网产品手册。

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