嘉兴南电的低压MOS管内阻能低至多少？

深圳市嘉兴南电科技有限公司2026-03-07

嘉兴南电致力于研发内阻的功率MOSFET，以满足电池保护和电源管理领域对高效率的追求。在12V-30V的常用低压领域，嘉兴南电采用先进的沟槽工艺技术，能够将单个MOS管的导通电阻（Rds(on)）做到毫欧级甚至更低。例如在锂电池保护板应用中，极低的内阻意味着在通过大电流充放电时，MOS管自身的压降和发热极小，比较大限度地保护了电池容量不被浪费，并提升了BMS系统的安全等级。

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