黑龙江单层氧化石墨

太赫兹技术可用于医学诊断与成像、反恐安全检查、通信雷达、射电天文等领域，将对技术创新、国民经济发展以及**等领域产生深远的影响。作为极具发展潜力的新技术，2004年，美国**将THz科技评为“改变未来世界的**技术”之一，而日本于2005年1月8日更是将THz技术列为“国家支柱**重点战略目标”**，举全国之力进行研发。传统的宽带THz波可以通过光整流、光电导天线、激光气体等离子体等方法产生，窄带THz波可以通过太赫兹激光器、光学混频、加速电子、光参量转换等方法产生。氧化石墨烯的表面官能团与水中的金属离子反应形成复杂的络合物。黑龙江单层氧化石墨

近年来研究者发现石墨烯由于它独特的零带隙结构，对所有波段的光都无选择性的吸收，且具有超快的恢复时间和较高的损伤阈值。因此利用石墨烯独特的非线性可饱和吸收特性将其制作成可饱和吸收体应用于调Q掺铒光纤激光器、被动锁模光纤激光器已经成为超快脉冲激光器研究领域的热点。2009年，Bao等[82]人使用单层石墨烯作为锁模光纤激光器的可饱和吸收体首先实现了通信波段的超短孤子脉冲输出，脉冲宽度达到了756fs。他们证实了由于泡利阻塞原理，零带隙材料石墨烯在强激光激发下可以容易的实现可饱和吸收，而且这种可饱和吸收是与频率不相关的，即石墨烯作为可饱和吸收体可实现对所有波长的光都有可饱和吸收作用。应该怎么做氧化石墨研发从微观方面，GO的聚集、分散、尺寸和官能团也对水泥基复合材料的力学性能有影响。

光学材料的某些非线性性质是实现高性能集成光子器件的关键。光子芯片的许多重要功能，如全光开关，信号再生，超快通信都离不开它。找寻一种具有超高三阶非线性，并且易于加工各种功能性微纳结构的材料是众多的光学科研工作者的梦想，也是成功研制超高性能全光芯片的必由之路。超快泵浦探针光谱表明，重度功能化的具有较大SP3区域的GO材料在高激发强度下可以出现饱和吸收、双光子吸收和多光子吸收[6][50][51][52]，这种效应归因于在SP3结构域的光子中存在较大的带隙。相反，在具有较小带隙的SP2域中的*出现单光子吸收。石墨烯在飞秒脉冲激发下具有饱和吸收[52]，而氧化石墨烯在低能量下为饱和吸收，高能量下则具有反饱和吸收[51]。因此，通过控制GO氧化/还原的程度，实现SP2域到SP3域的比例调控，可以调整GO的非线性光学性质，这对于高次谐波的产生与应用是非常重要的。

随着材料领域的扩张，人们对于材料的功能性需求更为严苛，迫切需要在交通运输、建筑材料、能量存储与转化等领域应用性质更加优良的材料出现，石墨烯以优异的声、光、热、电、力等性质成为各新型材料领域追求的目标，作为前驱体的GO以其灵活的物理化学性质、可规模化制备的特点更成为应用基础研究的热电。虽然GO具有诸多特性，但是由于范德华作用以及π-π作用等强相互作用力，使GO之间很容易在不同体系中发生团聚，其在纳米尺度上表现的优异性能随着GO片层的聚集***的降低直至消失，极大地阻碍了GO的进一步应用。虽然GO具有诸多特性，但是由于范德华作用力，使GO之间很容易在不同体系中发生团聚。

GO作为新型的二维结构的纳米材料，具有疏水性中间片层与亲水性边缘结构，特殊的结构决定其优异的***特性。GO的***活性主要有以下几种机制：（1）机械破坏，包括物理穿刺或者切割；（2）氧化应激引发的细菌/膜物质破坏；（3）包覆导致的跨膜运输阻滞和（或）细菌生长阻遏；（4）磷脂分子抽提理论。GO作用于细菌膜表面的杀菌机制中，主要是GO与起始分子反应（MolecularInitiatingEvents，MIEs）[51]的作用（图7.3），包括GO表面活性引发的磷脂过氧化，GO片层结构对细菌膜的嵌入、包裹以及磷脂分子的提取，GO表面催化引发的活性自由基等。另外，GO的尺寸在上述不同的***机制中对***的影响也是不同的，机械破坏和磷脂分子抽提理论表明尺寸越大的GO，能表现出更好的***能力，而氧化应激理论则认为GO尺寸越小，其***效果越好。氧化石墨的结构和性质取决于合成它的方法。开发氧化石墨纳米材料

氧化石墨可以通过用强氧化剂来处理石墨来制备。黑龙江单层氧化石墨

Su等人28利用氢碘酸和抗坏血酸对PET基底上的多层氧化石墨烯薄膜进行化学还原，得到30nm厚的RGO薄膜，并测试了其渗透性能。实验发现，对He原子和水分子完全不能透过。而厚度超过100nm的RGO薄膜对几乎所有气体、液体和腐蚀性化学试剂（如HF）是高度不可渗透的。特殊的阻隔性能归因于石墨烯层压板的高度石墨化和在还原过程中几乎没有结构损坏。与此结果相反，Liu等人29已经证明了通过HI蒸气和水辅助分层制备**式超薄rGO膜的简便且可重复的方法，利用rGO膜的毛细管力和疏水性，通过水实现**终的分层。采用真空抽滤在微孔滤膜基底上制备厚度低至20nm的**式rGO薄膜。黑龙江单层氧化石墨