旋转基片台外延系统

基板在沉积过程中的旋转功能对于获得成分和厚度高度均匀的薄膜至关重要。在PLD过程中，激光烧蚀产生的等离子体羽辉（Plume）具有一定的空间分布，通常呈中心密度高、边缘密度低的余弦分布。如果基板静止不动，沉积出的薄膜将会中间厚、边缘薄，形成一道“山峰”。通过让基板绕其中心轴匀速旋转，薄膜的每一个点都会周期性地经过羽辉的中心和边缘，对沉积速率进行时间上的平均，从而有效地补偿了羽辉空间分布的不均匀性，从而获得厚度变化率小于±2%的优异均匀性。系统真空计实时监测各腔体压力变化。旋转基片台外延系统

对于追求更高通量和更复杂工艺的研究团队，多腔室分子束外延（MBE）系统提供了高品质平台。该系统将样品制备、分析、生长等多个功能腔室通过超高真空传送通道连接起来。样品可以在完全不破坏真空的条件下，在不同腔室之间安全、快速地传递。这意味着，研究人员可以在一个腔室中对基板进行清洁和退火处理，然后传送到生长腔室进行原子级精密的MBE或PLD生长，之后再传送到分析腔室进行X射线光电子能谱（XPS）、俄歇电子能谱（AES）等原位表面分析，从而实现对材料从制备到表征的全程超净环境控制，避免了大气污染对界面和表面科学研究的致命影响。超高真空外延系统基板温度扫描型差分 RHEED 实时监控，助力科研人员及时调整工艺参数。

定期对系统的真空性能进行检测和维护是保证其长期稳定运行的基础。应定期检查所有真空密封圈（如CF法兰上的铜垫圈）的状态，如有压痕过深或损伤应及时更换。使用氦质谱检漏仪对腔体、阀门和管路接口进行周期性检漏，及时发现并处理微小的泄漏点。同时，监控分子泵的运行声音和振动情况，定期按照制造商手册进行保养，确保排气系统始终处于较好工作状态。

激光器的维护是PLD系统保养的另一重点。需要定期清洁激光器光束路径上的光学元件，包括导入真空腔的石英窗口。任何微小的灰尘或污染物都会影响激光的透过率和能量，甚至可能因局部过热导致光学元件损坏。清洁光学元件必须使用适合的清洁工具和试剂（如高纯无水乙醇和无尘布），并遵循严格的清洁规程。同时，需记录激光器的工作小时数，及时更换达到使用寿命的泵浦源或晶体等耗材。

样品搬运室（或称进样室）的设计极大地提升了系统的科研效率。它作为一个真空缓冲区，允许用户在不对主生长腔室破真空的情况下，快速更换样品。其本底真空度维持在5E-5Pa量级，通过一个高真空隔离阀与主腔室相连。当需要更换样品时，只需将样品从大气环境传入搬运室，抽至预定真空后，再打开隔离阀，通过磁力传输杆或机械手将样品送入主腔室的样品架上。这一设计将主生长腔室暴露于大气的频率降至较低，不仅保护了昂贵且精密的源炉和监测仪器，也使得连续、不间断的科研工作得以顺利进行。基板加热过程中，需监控温度，避免超出设定范围影响实验。

PLD技术与磁控溅射技术在沉积多元氧化物时的对比。磁控溅射通常使用多个射频或直流电源同时溅射不同组分的靶材，通过控制各电源的功率来调节薄膜成分，控制相对复杂。而PLD技术的优势在于其“复制”效应，即使靶材化学成分非常复杂，也能在一次激光脉冲下实现化学计量比的忠实转移，极大地简化了多组分材料（如含有五种以上元素的高熵氧化物）的研发流程。此外，PLD的瞬时高能量沉积过程更易于形成亚稳态的晶体结构。

综上所述，我们公司提供的这一系列超高真空薄膜沉积系统，不只是仪器设备，更是开启前沿材料科学探索大门的钥匙。它们以其优异的性能性价比、高度的灵活性和可靠性，为广大科研工作者提供了一个能够将创新想法快速转化为高质量薄膜样品的强大平台。从传统的半导体到前沿的量子材料，从能源催化到柔性电子，这些系统都将继续作为不可或缺的主要研发工具，推动着科学技术的不断进步与发展。 薄膜生长监控中，扫描型差分 RHEED 数据异常需检查光路 alignment。超高真空外延系统基板温度

开展异质结构生长研究，该系统参数准确控制满足实验需求。旋转基片台外延系统

在启动设备前，需要进行一系列严谨细致的检查工作，以确保设备能够正常运行并保证实验的顺利进行。首先是真空系统的检查，要确认真空泵油位是否在正常刻度范围内，这直接关系到真空泵的抽吸能力，若油位过低可能导致真空泵无法正常工作，影响真空环境的建立。查看真空管道是否连接紧密，有无松动或破损迹象，防止空气泄漏影响真空度。检查真空计是否正常显示，它是监测真空度的关键仪表，若显示异常将无法准确判断真空环境状态。

接着检查气源，确保气体钢瓶的阀门关闭严密，防止气体泄漏造成安全隐患。查看气体管道是否有弯折、堵塞情况，保证气体输送顺畅。还要确认气体流量计的准确性，以便精确控制气体流量。电源检查也不容忽视，检查设备的电源线连接是否牢固，有无破损或短路现象。查看电源开关是否正常，各电气部件的指示灯是否亮起，判断设备的供电是否正常。

旋转基片台外延系统

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