光电二极管是一种能够将光信号转换为电信号的器件,其工作原理基于内光电效应。当光线照射到光电二极管的 PN 结时,光子能量激发电子 - 空穴对,在电场作用下形成光电流。光电二极管通常工作在反向偏置状态,此时光电流与光照强度成正比,线性度好,响应速度快。在光通信系统中,光电二极管用于接收光纤传输的光信号,将其转换为电信号后进行放大和解调;在光电传感器中,通过检测光电流的变化,可实现对物体的位置、距离、颜色等参数的测量,如自动感应门利用光电二极管检测人体反射的红外光,触发开门动作。此外,雪崩光电二极管(APD)通过雪崩倍增效应,可进一步提高光信号检测的灵敏度,适用于远距离、弱光信号的检测场景。二极管在整流桥中组成桥式整流电路。PTVS5V5D1BLYL
雪崩二极管利用了半导体中的雪崩倍增效应。当在雪崩二极管两端加上足够高的反向电压时,少数载流子在强电场作用下获得足够能量,与晶格原子碰撞产生新的电子 - 空穴对,这些新产生的载流子又继续碰撞其他原子,引发连锁反应,导致电流急剧增大,产生雪崩倍增现象。在微波电路中,雪崩二极管可作为微波振荡器和放大器。通过控制雪崩二极管的工作状态,利用其雪崩倍增产生的高频振荡信号,实现微波信号的放大和产生。在雷达系统中,雪崩二极管用于产生高功率的微波信号,为雷达的目标探测和定位提供强大的信号源,在微波通信、雷达探测等高频领域发挥着重要作用。STW54NM65ND MOS(场效应管)整流二极管可将交流电转换为直流电。

二极管在信号处理电路中有着普遍而重要的应用,它能够对信号进行多种方式的处理,满足不同电路对信号的特殊要求。在限幅电路中,二极管发挥着关键作用。限幅电路用于限制信号的幅度,防止信号过大而损坏后续电路元件。例如,在音频信号处理电路中,如果输入的音频信号幅度可能会超过功放电路的承受范围,就可以使用二极管限幅电路。当音频信号电压在正常范围内时,二极管处于截止状态,信号正常通过。但当信号电压超过一定值时,二极管导通,将信号电压限制在一个安全范围内。这种限幅功能可以通过不同的电路结构实现,如串联一个电阻和一个二极管,或者使用多个二极管组成的双向限幅电路,从而对信号的正、负半周都进行幅度限制。
二极管是现代电子学中一种极为重要的基础元件,它的结构和原理构成了其在电路中独特功能的基石。从结构上看,二极管主要由P型半导体和N型半导体组成。P型半导体含有较多的空穴,而N型半导体则有较多的电子。当这两种半导体紧密结合在一起时,在它们的交界面就会形成一个特殊的区域,叫做PN结。这个PN结是二极管能够实现单向导电性的关键所在。从原理层面来说,当二极管两端施加正向电压时,即 P 型端接电源正极,N 型端接电源负极,此时外电场方向与内电场方向相反。在这个电压的作用下,P 区的空穴和 N 区的电子都向 PN 结移动,使得 PN 结变窄,形成较大的电流,二极管处于导通状态。例如,在一个简单的直流电源供电的电路中,如果串联一个二极管和一个电阻,当电源极性正确时,电路中有电流通过,电阻上会有电压降,这可以通过示波器观察到电压和电流的变化情况。发光二极管(LED)通电后能发出可见光。

整流电路是二极管最常见的应用领域之一。在交流 - 直流转换过程中,二极管发挥着关键作用。在简单的半波整流电路中,当交流电源处于正半周时,二极管正向导通,电流通过负载电阻,在负载两端产生一个正向的电压;当交流电源处于负半周时,二极管反向截止,负载中没有电流通过。这样,在负载电阻两端就得到了一个单向脉动的直流电压。全波整流电路则利用了两个二极管,将交流电源的正负半周分别进行整流,得到的直流电压脉动更小。而桥式整流电路使用四个二极管,它可以在不改变输入交流电源的情况下,更高效地将交流转换为直流。通过这些整流电路,能够将不稳定的交流电源转换为相对稳定的直流电源,为电子设备提供稳定的电力供应。普通二极管反向电流极小,反向击穿后若电流过大易长久损坏。BC868-25
光电二极管能将光信号转换为电信号。PTVS5V5D1BLYL
掺杂工艺:掺杂是为了在硅中引入特定的杂质,形成P型或N型半导体。在制造P型半导体时,通常采用硼等三价元素作为杂质进行掺杂。这可以通过离子注入或扩散等方法实现。离子注入是将硼离子加速后注入到硅片中,其优点是可以精确控制杂质的浓度和深度;扩散法则是将硅片置于含有硼杂质的气体环境中,在高温下使杂质扩散到硅片中。制造N型半导体则使用磷等五价元素进行类似的掺杂操作。在形成P型和N型半导体之后,就是PN结的制造。这通常通过光刻和蚀刻等工艺来实现。光刻工艺就像在硅片上进行精确的绘画,利用光刻胶和紫外线曝光等技术,在硅片上定义出需要形成PN结的区域。然后通过蚀刻工艺,去除不需要的半导体材料,精确地形成PN结。这个过程需要极高的精度,因为PN结的质量直接影响二极管的性能,如正向导通特性和反向截止特性。PTVS5V5D1BLYL