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    【2024年3月14日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份有限公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）***通过其子公司英飞凌奥地利科技股份有限公司（InfineonTechnologiesAustriaAG）对英诺赛科（珠海）科技有限公司（Innoscience(Zhuhai)TechnologyCompany,Ltd.）、英诺赛科美国公司（InnoscienceAmerica,Inc）及其关联公司（以下简称：英诺赛科）提起诉讼。英飞凌正在就其侵犯英飞凌拥有的一项与氮化镓（GaN）技术有关的美国**寻求长久禁令。该**权利要求涉及氮化镓功率半导体的**方面，包括提高英飞凌专有氮化镓器件可靠性和性能的创新技术。该诉讼是在加利福尼亚州北区地方法院提起的。英飞凌指控英诺赛科生产、使用、销售、要约销售和/或向美国进口各种产品侵犯了英飞凌的上述**，这些产品包括应用于汽车、数据中心、太阳能、电机驱动、消费电子产品的氮化镓晶体管，以及在汽车、工业和商业应用中使用的相关产品。英飞凌电源与传感系统事业部总裁AdamWhite表示："氮化镓功率晶体管的生产需要全新的半导体设计和工艺。英飞凌拥有近二十年在氮化镓领域的经验，能够保证**终产品达到其**高性能所需的***品质。我们积极保护我们的知识产权，从而符合所有客户和**终用户的利益。"数十年来。 infineon/英飞凌IC芯片技术支持-深圳和润天下电子科技有限公司。TSSOP24BTS4130QGAXUMA1INFINEON英飞凌

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    英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体***。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约58,600名员工，在2023财年（截至9月30日）的营收约为163亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市（股票代码：IFX），在美国的OTCQX国际场外交易市场上市（股票代码：IFNNY）。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）近日推出750VG1分立式CoolSiC™MOSFET，以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级SiCMOSFET，针对图腾柱PFC、T型、LLC/CLLC、双有源桥（DAB）、HERIC、降压/升压和移相全桥（PSFB）拓扑结构进行了优化。这些MOSFET适用于典型的工业应用（包括电动汽车充电、工业驱动器、太阳能和储能系统、固态断路器、UPS系统、服务器/数据中心、电信等）和汽车领域（包括车载充电器（OBC）、直流-直流转换器等）。 TSSOP24BTS4130QGAXUMA1INFINEON英飞凌