二极管种类:PN结二极管(PN Diode)施加顺向偏压,利用半导体中PN接合的整流性质,是基本的半导体二极管,常见应用于整流方面以及与电感并联保护其他元件用。细节请参照PN接面的条目。萧特基二极管利用金属和半导体二者的接合面的'萧特基效应'的整流作用。由于顺向的切入电压较低,导通回复时间也短,适合用于高频率的整流。一般而言漏电流较多,突波耐受度较低。也有针对此缺点做改善的品种推出。稳压二极管(Reference Diode)(常用称法:齐纳二极管)施加逆向偏压,超过特定电压时发生的反向击穿电压随反向电流变化很小,具有一定的电压稳定能力。利用此性质做成的元件被用于电压基准。借由掺杂物的种类、浓度,决定击穿电压(破坏电压)。其顺向偏压与一般的二极管相同。 触发二极管相当于两个反方向并联的二极管,是一种双方向皆可导通的二极管。中山检波二极管作用
二极管VD1温度补偿电路分析利用二极管的管压降温度特性可以正确解释VD1在电路中的作用。假设温度升高,根据三极管特性可知,VT1的基极电流会增大一些。当温度升高时,二极管VD1的管压降会下降一些,VD1管压降的下降导致VT1基极电压下降一些,结果使VT1基极电流下降。由上述分析可知,加入二极管VD1后,原来温度升高使VT1基极电流增大的,现在通过VD1电路可以使VT1基极电流减小一些,这样起到稳定三极管VT1基极电流的作用,所以VD1可以起温度补偿的作用。三极管的温度稳定性能不良还表现为温度下降的过程中。在温度降低时,三极管VT1基极电流要减小,这也是温度稳定性能不好的表现。接入二极管VD1后,温度下降时,它的管压降稍有升高,使VT1基极直流工作电压升高,结果VT1基极电流增大,这样也能补偿三极管VT1温度下降时的不稳定。深圳半导体二极管厂家供应红外发光二极管是一种能发出红外线的二极管。
二极管种类:PN结二极管(PN Diode)施加顺向偏压,利用半导体中PN接合的整流性质,是基本的半导体二极管,常见应用于整流方面以及与电感并联保护其他元件用。细节请参照PN接面的条目。萧特基二极管利用金属和半导体二者的接合面的'萧特基效应'的整流作用。由于顺向的切入电压较低,导通回复时间也短,适合用于高频率的整流。一般而言漏电流较多,突波耐受度较低。也有针对此缺点做改善的品种推出。稳压二极管(Reference Diode)(常用称法:齐纳二极管)施加逆向偏压,超过特定电压时发生的反向击穿电压随反向电流变化很小,具有一定的电压稳定能力。利用此性质做成的元件被用于电压基准。借由掺杂物的种类、浓度,决定击穿电压(破坏电压)。其顺向偏压与一般的二极管相同。
半导体二极管的非线性电流-电压特性,可以根据选择不同的半导体材料和掺杂不同的杂质从而形成杂质半导体来改变。特性改变后的二极管在使用上除了用做开关的方式之外,还有很多其他的功能,如:用来调节电压(齐纳二极管),限制高电压从而保护电路(雪崩二极管),无线电调谐(变容二极管),产生射频振荡(隧道二极管、耿氏二极管、IMPATT二极管)以及产生光(发光二极管)。半导体二极管中,有利用P型和N型两种半导体接合面的PN结效应,也有利用金属与半导体接合产生的肖特基效应达到整流作用的类型。若是PN结型的二极管,在P型侧就是阳极,N型侧则是阴极。晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结。
二极管的伏安特性二极管具有单向导电性,二极管的伏安特性曲线 。在二极管加有正向电压,当电压值较小时,电流极小;当电压超过0.6V时,电流开始按指数规律增大,通常称此为二极管的开启电压;当电压达到约0.7V时,二极管处于完全导通状态,通常称此电压为二极管的导通电压,用符号UD表示 。对于锗二极管,开启电压为0.2V,导通电压UD约为0.3V。在二极管加有反向电压,当电压值较小时,电流极小,其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时,电流开始急剧增大,称之为反向击穿,称此电压为二极管的反向击穿电压,用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大,从几十伏到几千伏。表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标,称为二极管的参数。宁波普通二极管供应
二极管在20世纪20年代由热离子二极管所取代。中山检波二极管作用
二极管种类:激光二极管当LED产生的光是频宽极窄的同调光(Coherent Light)时,则称为激光二极管。光电二极管光线射入PN接面,P区电洞、N区电子大量发生,产生电压(光电效应)。借由测量此电压或电流,可作为光感应器使用。有PN、PIN、萧特基、APD等类型。太阳电池也是利用此种效应。隧道二极管(Tunnel Diode)、江崎二极管(Esaki Diode)、透纳二极管1957年发明。是利用量子穿隧效应的作用,会出现在一定偏置范围内顺向电压增加时流通的电流量反而减少的“负电阻”的现象。这是能耐受核辐射的半导体二极管。中山检波二极管作用
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