中山P沟道场效应管性能

栅极电压（UGs）对漏极电流（ID）的控制作用称为转移特性，反映这两者之间关系的曲线称为转移特性曲线。下图1-60所示为N沟道结型场效应管的转移特性曲线。当栅极电压UGs取不同的电压值时，漏极电流ID将随之改变。当ID=0时,UGS的值为场效应管的夹断电压Uq；当UGs=0时，ID的值为场效应管的饱和漏极电流Idss。在Ugs一定时，反映ID与Uds之间的关系曲线为输出特性曲线，也称为漏极特性曲线。上图1-61所示为N沟道结型场效应管的输出特性曲线。由图可见，它分为三个区：饱和区、击穿区和非饱和区。起放大作用时，应工作在饱和区（这一点与前面讲的普通三极管不同）。注意，此处的“饱和区”对应普通三极管的“放大区”。盟科MK6802参数是可以替代AO6802的。中山P沟道场效应管性能

场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用非常为多方面的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及非常近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。功率场效应管推荐厂家盟科MK3400参数是可以替代万代AO3400的参数。

场效应管非常重要的一个作用是作开关作用，作开关时候多数应用于各类电子负载控制、开关电源开关管，MOS管非常明显的特性是开关特性好，对于NMOS来说，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况，也就是所谓的低端驱动，只要栅极电压达到4V或10V就可以了。而对于PMOS来说，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况，也就是驱动。但是，虽然PMOS可以很方便地用作驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在驱动中，通常还是使用NMOS。如下图是某开关电源其中一部分电路图，在这里的Q1场效应管用作PWM调制器或开关稳压控制器的功率开关管。

场效应晶体管（缩写FET）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8~10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。场效应管是电压控制器件，它通过VGS（栅源电压）来控制ID（漏极电流）；场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声相对会比较低。一般可应用于遥控玩具。252封装场效应管选择深圳盟科电子。

TO-252封装线主要做一些功率mos管，三极管和稳压干，LDO。功率MOS从电压20V30V40V60V100V到650V，电流从10A20A30A40A到100A。深圳市盟科电子科技有限公司型号MK30N06参数稳定，沟槽工艺，电压达60V以上，RDON在30毫欧以内，使用时发热小，产品通过SGS认证，包括卤素，ROHS还有REACH。主要应用于车灯控制，电源开关等。同系列还有更大的电流如MK50N06，MK80N06，用于一些更高功率的电路上。公司以ISO9001为质量体系，结合生产智能执行MES系统，流程可控，品质保证。提供售前支持，售中跟进，售后保障。欢迎合作洽谈。盟科电子场效应管可以用作电子开关。东莞中低压场效应管生产厂家

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场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。场效应管可以用作可变电阻。场效应管可以方便地用作恒流源。场效应管可以用作电子开关。场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但普通运用时只需关注以下主要参数：饱和漏源电流IDSS夹断电压Up，（结型管和耗尽型绝缘栅管，或开启电压UT（加强型绝缘栅管）、跨导gm、漏源击穿电压BUDS、最大耗散功率PDSM和比较大漏源电流IDSM。中山P沟道场效应管性能

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