陶瓷基板的表面金属化是指在高温下将铜箔直接粘合在氧化铝或氮化铝陶瓷基板(单面或双面)表面的一种特殊工艺板。制成的超薄复合基板具有优良的电绝缘性能、高导热性、优良的可焊性和高附着强度,可以像pcb板一样蚀刻成各种图案,并具有大的载流能力。陶瓷金属化服务和产品,广泛应用于航空、医疗、能源、化工等行业。通过多种陶瓷表面金属化工艺,我们可以对平面、圆柱形和复杂的陶瓷体进行金属化。除了传统的先进陶瓷表面金属化服务外,我们还提供符合国际标准的镀金、镀镍、镀银和镀铜服务。陶瓷金属化可以使陶瓷表面具有更好的抗热熔性能。佛山氧化锆陶瓷金属化保养
陶瓷金属化技术起源于20世纪初期的德国,1935年德国西门子公司Vatter首次采用陶瓷金属化技术并将产品成功实际应用到真空电子器件中,1956年Mo-Mn法诞生,此法适用于电子工业中的氧化铝陶瓷与金属连接。对于如今,大功率器件逐渐发展,陶瓷基板又因其优良的性能成为当今电子器件基板及封装材料的主流,因此,实现陶瓷与金属之间的可靠连接是推进陶瓷材料应用的关键。目前常用陶瓷基板制作工艺有:(1)直接覆铜法、(2)活性金属钎焊法、(3)直接电镀法。惠州氧化铝陶瓷金属化种类陶瓷金属化可以使陶瓷表面具有更好的防冷震性能。
迄今为止,陶瓷金属化基板的新技术包括在陶瓷基板上丝网印刷通常是贵金属油墨,或者沉积非常薄的真空沉积金属化层以形成导电电路图案。这两种技术都是昂贵的。然而,一个非常大的市场已经发展起来,需要更便宜的方法和更有效的电路。陶瓷上的薄膜电路通常由通过真空沉积技术之一沉积在陶瓷基板上的金属薄膜组成。在这些技术中,通常具有约0.02微米厚度的铬或钼膜充当铜或金层的粘合剂。光刻用于通过蚀刻掉多余的薄金属膜来产生高分辨率图案。这种导电图案可以被电镀至典型地7微米厚。然而,由于成本高,薄膜电路只限于特殊应用,例如高频应用,其中高图案分辨率至关重要。
陶瓷金属化原理:由于陶瓷材料表面结构与金属材料表面结构不同,焊接往往不能润湿陶瓷表面,也不能与之作用而形成牢固的黏结,因而陶瓷与金属的封接是一种特殊的工艺方法,即金属化的方法:先在陶瓷表面牢固的黏附一层金属薄膜,从而实现陶瓷与金属的焊接。另外,用特制的玻璃焊料可直接实现陶瓷与金属的焊接。陶瓷的金属化与封接是在瓷件的工作部位的表面上,涂覆一层具有高导电率、结合牢固的金属薄膜作为电极。用这种方法将陶瓷和金属焊接在一起时,其主要流程如下:陶瓷表面做金属化烧渗→沉积金属薄膜→加热焊料使陶瓷与金属焊封国内外以采用银电极普遍。整个覆银过程主要包括以下几个阶段:黏合剂挥发分解阶段(90~325℃)碳酸银或氧化银还原阶段(410~600℃)助溶剂转变为胶体阶段(520~600℃)金属银与制品表面牢固结合阶段(600℃以上)。陶瓷金属化可以使陶瓷表面具有更好的抗压性能。
陶瓷材料具有良好的加工性能,可以经过车、铣、钻、磨等多种加工方法制成各种形状和尺寸的制品。通过陶瓷金属化技术,可以将金属材料与陶瓷材料相结合,使得新材料的加工性能更加优良。例如,利用金属化陶瓷刀具可以明显提高切削加工的效率和质量。总之,陶瓷金属化技术的优势主要表现在高温性能优异、耐腐蚀性能强、电磁性能优良、轻量化效果明显和加工性能好等方面。这些优点使得陶瓷金属化技术在新材料领域中具有很好的应用前景。随着科学技术的不断进步和新材料研究的深入发展,相信陶瓷金属化技术将会在更多领域得到应用和发展。陶瓷金属化可以使陶瓷表面具有更好的抗冷膨胀性能。阳江铜陶瓷金属化价格
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IGBT模块中常用的绝缘陶瓷金属化基板有Al2O3陶瓷基板和AlN陶瓷基板。近年来,一种新型的绝缘陶瓷金属化基板——Si3N4陶瓷基板也逐渐被应用于IGBT模块中。Si3N4陶瓷基板具有优异的导热性能、强度、高硬度、高耐磨性、高温稳定性和优异的绝缘性能等特点,能够满足高功率、高频率、高温度等复杂工况下的应用需求。同时,Si3N4陶瓷基板还具有低介电常数、低介电损耗、低热膨胀系数等优点,能够提高IGBT模块的性能和可靠性。目前,Si3N4陶瓷基板已经被广泛应用于IGBT模块中,成为了一种新型的绝缘陶瓷金属化基板。佛山氧化锆陶瓷金属化保养