是一种具有三个PN结的功率型半导体器件。常见的晶闸管有塑封式、陶瓷封装式、金属壳封装式和大功率螺栓式等形状。晶体闸流管可分为:单向晶闸管、双向晶闸管、可关断晶闸管等多种。[12]晶体闸流管的文字符号为“VS”,图形符号如图示。晶闸管的主要参数有:额定通态平均电流、正反向阻断峰值电压、维持电流、控制极触发电压和电流等。使用时应注意不能超过其极限参数指标,并留有一定余量,以免造成器件损坏。[13]晶闸管具有三个电极。单向晶闸管的三个电极是:阳极A、阴极K、控制极G。双向晶闸管的三个电极是:两个主电极T1、T2以及控制极G。使用中应注意识别。[14]晶闸管具有可控的单向导电性,即不但具有一般二极管单向导电的整流作用,而且可以对导通电流进行控制。单向晶闸管是PNPN四层结构,形成三个PN结,具有三个外电极A、K和G,可等效为PNP、NPN两晶体管组成的复合管,见图14左边。在A、K间加上正向电压后,管子并不导通。此时在控制极G加上正电压时,VT1、VT2相继迅速导通,此时即使去掉控制极电压,管子仍维持导通状态。双向晶闸管可以等效为两个单向晶闸管反向并联,见图14右边,双向晶闸管可以控制双向导通,因此除控制极G外的另两个电极不再分阳极阴极。正高电气具备雄厚的实力和丰富的实践经验。滨州MTAC20晶闸管智能模块价格
[1]单结管即单结晶体管,又称为双基极二极管,是一种具有一个PN结和两个欧姆电极的负阻半导体器件。常见的有陶瓷封装和金属壳封装的单结晶体管。[2]单结晶体管可分为N型基极单结管和P型基极单结管两大类。单结晶体管的文字符号为“VT”,图形符号如图所示。[3]单结晶体管的主要参数有:①分压比η,指单结晶体管发射极E至基极B1间的电压(不包括PN结管压降)在两基极间电压中所占的比例。②峰点电压UP,是指单结晶体管刚开始导通时的发射极E与基极B1的电压,其所对应的发射极电流叫做峰点电流IP。③谷点电压UV,是指单结晶体管由负阻区开始进入饱和区时的发射极E与基极B1间的电压,其所对应的发射极电流叫做谷点电流IV。[4]单结晶体管共有三个管脚,分别是:发射极E、基极B1和第二基极B2。图示为两种典型单结晶体管的管脚电极。[5]单结晶体管**重要的特性是具有负阻性,其基本工作原理如图示(以N基极单结管为例)。当发射极电压UE大于峰点电压UP时,PN结处于正向偏置,单结管导通。随着发射极电流IE的增加,大量空穴从发射极注入硅晶体,导致发射极与基极间的电阻急剧减小,其间的电位也就减小,呈现出负阻特性。[6]检测单结晶体管时,万用表置于“R×1k”挡。滨州MTAC20晶闸管智能模块价格正高电气设备的引进更加丰富了公司的设备品种,为用户提供了更多的选择空间。
引理**近有朋友说关于加热炉出现烧毁晶闸管的问题,事情起源为公司设计了一个加热炉,加热上限温度100度,下限温度-60度。加热炉的加热电阻设计连接方式为星形连接,其中一台设备采用了三角形连接方式,结果晶闸管经常被烧毁,问这是什么原因引起的损坏。加热炉要解释这个问题,需要从电阻的星接和角接以及由于电阻接法不同引起的加热功率变化两个方面进行分析。本文分析采用理论与实际相结合形式,读者根据需求选择部分章节进行阅读。电加热炉原理介绍电加热炉温度控制采用的是晶闸管周期性导通控制电阻丝功率的调功器。调功器的控制方式:晶闸管零电压开关,在时间周期T内,晶闸管全导通周波数对应的时间Tm,晶闸管关闭时间T-Tm,采用控制方式通常为PID控制,根据当前温度与目标控制温度差值,PID调节器输出值决定导通周波数时间,在晶闸管导通时,负载电压等于相电压,在晶闸管关段时,负载电压等于零。晶闸管晶闸管电阻丝串联星接每个控制周期T的平均电压为:每个控制周期T的电阻加热量为:可见电阻丝加热热量与电压Tm的平方成正比。Tm越大,加热量越大。而电炉子的传递函数仍然可用《自动控制原理》一文中的公式进行计算。
以具有自关断能力,使用方便,是理想的高压、大电流开关器件。GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管(GTR),只是工作频纺比GTR低。目前,GTO已达到3000A、4500V的容量。大功率可关断晶闸管已用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域,显示出强大的生命力。可关断晶闸管也属于PNPN四层三端器件,其结构及等效电路和普通晶闸管相同,因此图1*绘出GTO典型产品的外形及符号。大功率GTO大都制成模块形式。尽管GTO与SCR的触发导通原理相同,但二者的关断原理及关断方式截然不同。这是由于普通晶闸管在导通之后即外于深度饱和状态,而GTO在导通后只能达到临界饱和,所以GTO门极上加负向触发信号即可关断。GTO的一个重要参数就是关断增益,βoff,它等于阳极比较大可关断电流IATM与门极比较大负向电流IGM之比,有公式βoff=IATM/IGMβoff一般为几倍至几十倍。βoff值愈大,说明门极电流对阳极电流的控制能力愈强。很显然,βoff与昌盛的hFE参数颇有相似之处。下面分别介绍利用万用表判定GTO电极、检查GTO的触发能力和关断能力、估测关断增益βoff的方法。1.判定GTO的电极将万用表拨至R×1档,测量任意两脚间的电阻,*当黑表笔接G极,红表笔接K极时,电阻呈低阻值。正高电气是多层次的模式与管理模式。
晶闸管智能模块的输出特性
模块的控制电压与控制角α的关系因负载性质和电路形式的不同而有所区别:
单相交流调压模块用于阻性负载时,α有效范围为0°~ 180°,控制电压对应0.5V~9.5V。
单相整流调压模块用于阻性负载时,α有效范围为0°~180°,控制电压对应0.5V~9.5V;感性负载时α范围为0°~90°,控制电压对应于5V~9.5V。
三相全控整流调压模块用于阻性负载时,α有效范围为0°~120°,控制电压对应2V~8V;感性负载时α范围为0°~90°,控制电压对应于3.5V~8V。
三相半控整流调压模块用于阻性负载时,α有效范围为0°~180°,控制电压对应0.5V~9.5V。
三相全控交流调压模块用于阻性负载时,α有效范围为0°~150°,控制电压对应1.5V~9V。
三相半控交流调压模块用于阻性负载时,α有效范围为0°~210°,控制电压对应0.5V~9.5V。
三相整流充放电模块逆变放电时,α有效范围为90°~180°,控制电压对应0.5V~5V;整流充电时,α有效范围为0°~90°,控制电压对应5V~9.5V。
注:交流调压模块用于感性负载时α应大于负载阻抗角Ψ,即α≥Ψ;当α≤Ψ时,模块已输出较大电压,且不再随α的改变而变化。 正高电气的行业影响力逐年提升。淄博MTDC100晶闸管智能模块报价
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中频电压互感器过来的中频电压信号由CON2-1和CON2-2输入后,分为两路,一路由IC1A进行电平转换后送到IC6的30P,另一路经D7-D10整流后,又分为两路,一路送到电压/电流调节器,另一路送到过电压保护。由主回路交流互感器取得的电流信号,先在外部转换成电压信号,从CON2-3、CON2-4、CON2-5输入,经二极管D11-D16整流后,再分为两路,一路作为过流保护信号,另一路作为电压/电流调节器的反馈信号。本电路逆变触发部分,采用的是扫频式零压软起动,只需取一路中频电压反馈信号,无需槽路中频电容器上的电流信号,其本质上相当于它激转自激电路,属于平均值反馈电路。由于主回路上无需附加任何起动电路,不需要预充磁或预充电的起动过程,因此,主回路得以简化,调试过程简单。起动过程大致是这样的,在逆变电路起动前,先以一个高于槽路谐振频率的它激信号去触发逆变晶闸管,当电路检测到主回路开始有直流电流时,便控制它激信号的频率从高向低扫描,同时加大主回路的直流电流,当它激信号频率下降到接近槽路谐振频率时,中频电压便建立起来,并反馈到自动调频电路。自动调频电路一旦投入工作,便停止它激信号的频率往低扫描动作,转由自动调频电路控制逆变动引前角。滨州MTAC20晶闸管智能模块价格
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