山东反并联可控硅模块

实际上，可控硅模块元件的结温不容易直接测量，因此不能用它作为是否超温的判据。通过控制模块底板的温度（即壳温Tc）来控制结温是一种有效的方法。由于PN结的结温Tj和壳温Tc存在着一定的温度梯度，知道了壳温也就知道了结温，而相当高壳温Tc是限定的，由产品数据表给出。借助温控开关可以很容易地测量到与散热器接触处的模块底板温度（温度传感元件应置于模块底板温度相当高的位置）。从温控天关测量到的壳温可以判断模块的工作是否正常。若在线路中增加一个或两个温度控制电路，分别控制风机的开启或主回路的通断（停机），就可以有效地保证晶闸管模块在额定结温下正常工作。

  需要指出的是，温控开关测量到的温度是模块底板表面的温度，易受环境、空气对流的影响，与模块和散热器的接触面上的温度Tc，还有一定的差别（大约低几度到十几度），因此其实际控制温度应低于规定的Tc值。用户可以根据实际情况和经验决定控制的温度。 地理位置优越，交通十分便利。山东反并联可控硅模块

可控硅模块特点：

1 对耐压级别的选择：通常把VDRM(断态重复峰值电压)和VRRM(反向重复峰值电压)中较小的值标作该器件的额定电压。

2 对电流的确定：由于双向可控硅模块通常用在交流电路中，因此不能用平均值而用有效值来表示它的额定电流值。由于可控硅的过载能力比一般电磁器件小，因而一般家电中选用可控硅模块的电流值为实际工作电流值的2~3倍。同时，可控硅承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM 时的峰值电流应小于器件规定的IDRM和IRRM。

3 对通态电压VTM的选择：它是可控硅模块通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为了减少可控硅的热损耗，应尽可能选择VTM小的可控硅。

4 对维持电流：IH是维持可控硅模块保持通态所必 需的极小主电流，它与结温有关，结温越高，则IH越小。

5 对电压上升率的：dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率，这是防止误触发的一个关键参数。由于双向可控硅模块的制造工艺决定了A2与G之间会存在寄生电容。 潍坊大功率可控硅模块价格淄博正高电气有限公司与广大客户携手共创碧水蓝天。

您知道可控硅模块的导通条件是什么吗？

可控硅模块导通的条件是阳极承受正电压，只有当正向触发电压时，可控硅才能导通。由门级施加的正向触发脉冲的较小宽度应使阳极电流达到维持直通状态所需的较小的阳极电流，即高于电流IL。可控硅导通后的电压降很小。

接通可控硅模块的条件是将流过可控硅模块的电流减小到较小的值，即保持电流IH。有两种方法：

1.将正极电压降低至数值，或添加反向阳极电压。

2.增加负载电路中的电阻。

以上是可控硅模块的导通状态，希望能帮助您

可控硅元件控制大电感负载时会有干扰电网和自干扰的现象，其原因是当可控硅元件控制一个连接电感性负载的电路断开或闭合时，其线圈中的电流通路被切断，其变化率极大，因此在电感上产生一个高电压，这个电压通过电源的内阻加在开关触点的两端，然后感应电压一次次放电直到感应电压低于放电所必须的电压为止，在这一过程中将产生极大的脉冲束。这些脉冲束叠加在供电电压上，并且把干扰传给供电线或以辐射形式传向周围空间，这种脉冲具有很高的幅度，很宽的频率，因而具有感性负载的开关点是一个很强的噪声源。淄博正高电气有限公司品牌价值不断提升。

一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T。又由于晶闸管开始应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。

在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件(俗称“死硅”)更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。

可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此频率，因元件开关损耗明显增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。

可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍;反应极快，在微秒级内开通、关断;无触点运行，无火花、无噪音;效率高，成本低等等。

可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差;容易受干扰而误导通。

可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。 淄博正高电气有限公司愿与各界朋友携手共进，共创未来！新疆双向可控硅模块哪家好

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相信大家对于可控硅模块并不陌生了，现代在电气行业的不断发展，可控硅模块的使用范围越来越广，但是你对可控硅模块的了解有多少呢，它的主要参数有哪些你知道吗？下面为大家讲解。

可控硅模块的主要参数有：

(1) 额定通态平均电流IT在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。

(2) 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅模块两端的正向峰值电压。可控硅模块承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。

(3) 反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅模块两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。 山东反并联可控硅模块

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