东营反并联可控硅模块报价

过电压会对可控硅模块造成损坏，如果要想保护可控硅不受其损坏，就要了解过电压的产生原因，从而去避免防止受损，下面正高电气就来讲讲过电压会对可控硅模块造成怎样的损坏？以及过电压产生的原因。

可控硅模块对过电压非常敏感，当正向电压超过udrm值时，可控硅会误导并导致电路故障；当施加的反向电压超过urrm值时，可控硅模块会立即损坏。因此，需要研究过电压产生的原因和过电压的方法。

过电压主要是由于供电电源或系统储能的急剧变化，使系统转换太晚，或是系统中原本积聚的电磁能量消散太晚。主要研究发现，由于外界冲击引起的过电压主要有两种类型，如雷击和开关开启和关闭引起的冲击电压。雷击或高压断路器动作产生的过电压是几微秒到几毫秒的电压尖峰，对可控硅模块非常危险。

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断一个可控硅元件是否完好，工程师需要从四个方面进行检查，首先是判断该元件的三个PN结应完好，其次是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断不导通，第三是当控制极开路时，阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通，第四是给控制极加上正向电流，给阴极与阳极加正向电压时，可控硅应当导通，把控制极电流去掉后仍处于导通状态。满足以上四个条件的可控硅元件，才是符合设计使用要求的。

  想要看一个可控硅元件是否符合以上要求，其实非常简单，只需要用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻，就可对**个方面的好坏进行判断。具体的操作方法是：用R×1k或R×10k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻(控制极不接电压)，此两个阻值均应很大。电阻值越大，表明正反向漏电电流愈小。如果测得的阻值很低，或近于无穷大，说明可控硅已经击穿短路或已经开路，此可控硅不能使用了。 东营反并联可控硅模块报价淄博正高电气有限公司通过专业的知识和可靠技术为客户提供服务。

您知道可控硅模块的导通条件是什么吗？

可控硅模块导通的条件是阳极承受正电压，只有当正向触发电压时，可控硅才能导通。由门级施加的正向触发脉冲的较小宽度应使阳极电流达到维持直通状态所需的较小的阳极电流，即高于电流IL。可控硅导通后的电压降很小。

接通可控硅模块的条件是将流过可控硅模块的电流减小到较小的值，即保持电流IH。有两种方法：

1.将正极电压降低至数值，或添加反向阳极电压。

2.增加负载电路中的电阻。

以上是可控硅模块的导通状态，希望能帮助您

可控硅模块与其它功率器件一样，工作时由于自身功耗而发热。如果不采取适当措施将这种热量散发出去，就会引起模块管芯PN结温度急剧上升。致使器件特性恶化，直至完全损坏。晶闸管的功耗主要由导通损耗、开关损耗、门极损耗三部分组成。在工频或400Hz以下频率的应用中相当主要的是导通损耗。为了确保器件长期可靠地工作，设计时散热器及其冷却方式的选择与电力半导体模块的电流电压的额定值选择同等重要，千万不可大意！散热器的常用散热方式有：自然风冷、强迫风冷、热管冷却、水冷、油冷等。考虑散热问题的总原则是：控制模块中管芯的结温Tj不超过产品数据表给定的额定结温淄博正高电气有限公司是您可信赖的合作伙伴！

可控硅模块的使用注意事项

1.在选择可控硅模块的额定电流时，应注意的是，除考虑通过元件的平均电流外，还必须注意正常运行过程中传导角的大小、散热和通风条件等因素，同时，管壳的温度不得超过相应电流的允许值。

2.使用可控硅模块时，使用万用表检查可控硅模块是否处于良好状态，如有短路或断路，应立即更换。

3.严禁使用兆欧表来检查部件的绝缘情况。

4.率大于5A的可控硅模块，应安装散热器，并保证规定的冷却条件。同时，为保证散热器与可控硅模块管芯接触良好，应在两者之间涂一层有机硅油或硅脂，以利于更好的散热。

5.根据规定，主电路中的可控硅模块采用过电压和过电流保护装置。

6.防止控制极正向过载和反向击穿。 淄博正高电气有限公司愿与各界朋友携手共进，共创未来！东营反并联可控硅模块报价

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可控整流：如同二极管整流一样，将交流整流为直流，并且在交流电压不变的情况下，有效地控制直流输出电压的大小即可控整流，实现交流→可变直流之转变;

无触点功率静态开关(固态开关)：作为功率开关元件，可控硅可以代替接触器、继电器用于开关频率很高的场合。

因此可控硅元件被广泛应用于各种电子设备和电子产品的电路中，多作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等用途。家用电器中的调光灯、调速风扇、冷暖空调器、热水器、电视、冰箱、洗衣机、照相机、音响组合、声控电路、定时控制器、感应灯、圣诞灯控制器、自动门电路、以及玩具装置、电动工具产品、无线电遥控电路、摄像机等工业控制领域等都大量使用了可控硅器件。 东营反并联可控硅模块报价

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