MTDC55晶闸管智能模块组件

    晶闸管调光电路主电路部分由二极管V5、V6和晶闸管V8、V9构成单相半控桥式整流电路，其输出的直流可调电压作为灯泡EL的电源。改变V8、V9控制极脉冲电压的相位，即改变V8、V9控制角的大小，便可以改变输出直流电压的大小，进而改变灯泡EL的亮度。控制电路由单结晶体管触发电路构成，其作用是为V8、V9的控制极提供触发脉冲电压。调节电位器RP的大小可改变触发脉冲的相位。脉冲形成是梯形同步电压，经RP、R3对C充电，C两端电压上升到单结晶体管峰点电压Up时，单结晶体管由截止变为导通，由电容C通过e—b，、R5放电。放电电流在电阻R5上产生一组尖顶脉冲电压，由R5输出一组触发脉冲，其中个脉冲使晶闸管触发导通，后面的脉冲对晶闸管的工作没有影响。随着C的放电，当电容两端电压下降至单结晶体管谷点电压Uv时，单结晶体管重新截止；电容C重新充电，重复上述过程，R5上又输出一组尖顶脉冲电压，这个过程反复进行。当梯形电压过零点时，电容C两端电压也为零，因此电容每一次连续充放电的起点，就是电源电压过零点，这样就保证输出脉冲电压频率和电源频率同步。三、工具与测量仪表及电路元件明细表电路元件明细表晶闸管调光电路的元件明细表如表12—1所示。四、安装与调试。正高电气从国内外引进了一大批先进的设备，实现了工程设备的现代化。MTDC55晶闸管智能模块组件

    三相负载吸收的功率等于各相功率之和。上节已经分析了，如果把电阻R的星接结构改成角接结构，更改后的角接结构等效变换为星接结构时，对应的星接等效电阻为R/3。如下图所示：角接等效星接三相对称电路的瞬时功率P为各相负载瞬时功率之和：那么，此时的相电流为更改前相电流的3倍。因此，更改后的三相对称电路功率P为更改前三相对称电流功率P0的3倍：晶闸管额定通态电流通常为电路额定电流的2倍。这意味着晶闸管比较大运行功率为额定功率的2倍，因此：同样阻值的电阻，由星接更改为角接后，三相对称电路的功率增大了3倍。这导致了晶闸管功率超限而烧毁。保证系统运行的基本要求：1从晶闸管的功率选型来看，需要把三角形连接电阻结构改为星接电阻结构。2如果电阻丝连接结构由星接变为角接，要想保证设备能正常工作，需要更换耐流比现有晶闸管大3倍的晶闸管器件。或者更换耐流比现有晶闸管大2倍的晶闸管器件同时把晶闸管的连接方式放在三角形里面与电阻串联。更换晶闸管后设备可以提高3倍功率运行。3如果更换晶闸管后，设备还需要保持原有功率运行则需要如下操作：软件控制方面要保证系统稳定运行，应进行输出功率限幅，降低系统控制输出力度。山东MTDC55晶闸管智能模块供应商正高电气愿与各界朋友携手共进，共创未来！

    晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；1957年美国通用电器公司开发出世界上晶闸管产品，并于1958年使其商业化；晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和门极；晶闸管工作条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。晶闸管的种类晶闸管有多种分类方法。（一）按关断、导通及控制方式分类晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管（GTO）、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种。（二）按引脚和极性分类晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。（三）按封装形式分类晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。其中。

晶闸管智能模块过流保护：

加热炉在实际工作中因加热丝温度上升，会导致加热丝变形，如果加热丝没有采取良好的固定措施，会慢慢变形直至两处加热丝挨到一块，形成短路，短路后会使电流增大，电流过大后会超过模块的额定电流，烧毁模块，为了限制电流过大，必须采取过流保护措施，一般再模块的输入端分别串联快速熔断器来限制比较大电流，熔断器额定电流值一般取负载的额定电流或略大于负载额定电流，必须保证小于晶闸管智能模块的额定电流，快速熔断器额定电流过大将起不到保护作用。 以客户至上为理念，为客户提供咨询服务。

    对其它情况电阻值均为无穷大。由此可迅速判定G、K极，剩下的就是A极。2．检查触发能力如图2(a)所示，首先将表Ⅰ的黑表笔接A极，红表笔接K极，电阻为无穷大；然后用黑表笔尖也同时接触G极，加上正向触发信号，表针向右偏转到低阻值即表明GTO已经导通；脱开G极，只要GTO维持通态，就说明被测管具有触发能力。3．检查关断能力现采用双表法检查GTO的关断能力，如图2(b)所示，表Ⅰ的档位及接法保持不变。将表Ⅱ拨于R×10档，红表笔接G极，黑表笔接K极，施以负向触发信号，如果表Ⅰ的指针向左摆到无穷大位置，证明GTO具有关断能力。4．估测关断增益βoff进行到第3步时，先不接入表Ⅱ，记下在GTO导通时表Ⅰ的正向偏转格数n1；再接上表Ⅱ强迫GTO关断，记下表Ⅱ的正向偏转格数n2。根据读取电流法按下式估算关断增益：βoff=IATM/IGM≈IAT/IG＝K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1档的电流比例系数；K2—表Ⅱ在R×10档的电流比例系数。βoff≈10×n1/n2此式的优点是，不需要具体计算IAT、IG之值，只要读出二者所对应的表针正向偏转格数，即可迅速估测关断增益值。注意事项：（1）在检查大功率GTO器件时，建议在R×1档外边串联一节′，以提高测试电压和测试电流，使GTO可靠地导通。。正高电气以顾客为本，诚信服务为经营理念。MTDC55晶闸管智能模块组件

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    构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图2当晶闸管承受正向阳极电压时，为使晶闸管导铜，必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。图2中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。因此，两个互相复合的晶体管电路，当有足够的门机电流Ig流入时，就会形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2；发射极电流相应为Ia和Ik；电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig从而可以得出晶闸管阳极电流为：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图3所示。当晶闸管承受正向阳极电压，而门极未受电压的情况下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0晶闸关处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下，从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结，从而提高起点流放大系数a2,产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结。MTDC55晶闸管智能模块组件

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