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天津双向可控硅模块哪家好

来源: 发布时间:2023年05月19日

可控硅模块规格的选择方法:考虑到可控硅产品一般为非正弦电流,存在导通角问题,负载电流存在一些波动和不稳定因素,晶闸管芯片抗电流冲击能力差,在选择模块电流规格时必须留出一定的裕度。

推荐选择方法可按照以下公式计算:I>K×I负载×U∕U实际

K :安全系数,阻性负载K= 1.5,感性负载K= 2;

I负载:负载流过的强大电流; U实际:负载上的小电压;

U强大 模块能输出的强大电压;(三相整流模块为输入电压的1.35倍,单相整流模块为输入电压的0.9倍,其余规格均为1.0倍);

I:需要选择模块的小电流,模块标称的电流必须大于该值。 淄博正高电气有限公司以质量求生存,以信誉求发展!天津双向可控硅模块哪家好

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可控硅模块采用陶瓷覆铜工艺,电流承载能力大,热循环负载次数是国标的进10倍,焊接工艺独特,绝缘强度高,导热性能好。可控硅模块的工作场所应干燥、无腐蚀性气体、通风、无尘,环境温度范围-25℃--45℃,下面为大家介绍可控硅模块的安装步骤:  1、散热器和风机按通风要求装配于机箱合适位置。散热器表面必须平整光洁。在模块导热底板与散热器表面均匀涂覆一层导热硅脂,然后用螺钉把模块固定于散热器上,四个螺钉用力要均等。

  2、用接线端头环带将铜线扎紧,浸锡,套上绝缘热缩管,用热风或热水加热收缩,导线截面积按电流密度<4A/mm2选取,禁止将铜线直接压接在可控硅模块电极上。

  3、 将接线端头平放于可控硅模块电极上用螺钉紧固,保持良好的平面压力接触。

  4、可控硅模块的电极易掀起折断,接线时应防止重力将电极拉起折断。 天津双向可控硅模块哪家好淄博正高电气有限公司不断完善自我,满足客户需求。

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接下来需要检测的是控制极与阴极之间的PN结是否损坏。我们可以用万用表的R×1k或R×10k挡测阳极与控制极之间的电阻,正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小表明可控硅击穿短路。用R×1k或R×100挡,测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右,如出现正向阻值接近于零值或为无穷大,表明控制极与阴极之间的PN结已经损坏。反向阻值应很大,但不能为无穷大。正常情况是反向阻值明显大于正向阻值。

  如果想要判断可控硅是否已经被击穿损坏,工程师可以使用万用表选电阻R×1挡,然后将黑表笔接阳极,红表笔仍接阴极,此时万用表指针应不动。红表笔接阴极不动,黑表笔在不脱开阳极的同时用表笔尖去瞬间短接控制极,此时万用表电阻挡指针应向右偏转,阻值读数为10欧姆左右。如阳极接黑表笔,阴极接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏。

可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。当阳极A加上正向电压时,BG1和BG2管均处于放大状态。此时,如果从控制极G输入一个正向触发信号,BG2便有基流ib2流过,经BG2放大,其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连,所以ib1=ic2。此时,电流ic2再经BG1放大,于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极,表成正反馈,使ib2不断增大,如此正向馈循环的结果,两个管子的电流剧增,可控硅使饱和导通。

 由于BG1和BG2所构成的正反馈作用,所以一旦可控硅导通后,即使控制极G的电流消失了,可控硅仍然能够维持导通状态,由于触发信号只起触发作用,没有关断功能,所以这种可控硅是不可关断的。

  由于可控硅只有导通和关断两种工作状态,所以它具有开关特性,这种特性需要一定的条件才能转化 淄博正高电气有限公司愿与各界朋友携手共进,共创未来!

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可控硅模块主要优点如下:

(1)采用进口方形可控硅支撑板,降低了可控硅模块的电压,功耗低,效率高,节能效果好。

(2)采用进口插入元件,保证晶闸管模块触发控制电路的可靠性。

(3)(DCB)陶瓷铜板采用独特的处理和特殊的焊接工艺,保证了晶闸管组件的焊接层无空腔,导热性好。

(4)导热绝缘包装材料具有优异的隔热防潮性能。

(5)触发控制电路、主电路和导热基板相互隔离,导热基板不带电,介电强度≥2500V,保证安全。

(6)通过输入0-10V直流控制信号,可以平滑地调节主电路的输出电压。

(7)可采用手动控制、仪表控制或微机控制。

(8)适用于电阻和电感负载。 淄博正高电气有限公司推行现代化管理制度。天津双向可控硅模块哪家好

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可控硅模块特点:

1 对耐压级别的选择:通常把VDRM(断态重复峰值电压)和VRRM(反向重复峰值电压)中较小的值标作该器件的额定电压。

2 对电流的确定:由于双向可控硅模块通常用在交流电路中,因此不能用平均值而用有效值来表示它的额定电流值。由于可控硅的过载能力比一般电磁器件小,因而一般家电中选用可控硅模块的电流值为实际工作电流值的2~3倍。同时,可控硅承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM 时的峰值电流应小于器件规定的IDRM和IRRM。

3 对通态电压VTM的选择:它是可控硅模块通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为了减少可控硅的热损耗,应尽可能选择VTM小的可控硅。

4 对维持电流:IH是维持可控硅模块保持通态所必 需的极小主电流,它与结温有关,结温越高,则IH越小。

5 对电压上升率的:dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率,这是防止误触发的一个关键参数。由于双向可控硅模块的制造工艺决定了A2与G之间会存在寄生电容。 天津双向可控硅模块哪家好

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