氧化铪物理化学性质密度9.68熔点2812ºC分子式HfO2分子量210.48900精确质量211.93600PSA34.14000外观性状粉末折射率2.13(1700nm)储存条件常温密闭，阴凉通风干燥稳定性常温常压下稳定避免的物料酸计算化学1、氢键供体数量：12、氢键受体数量：23、可旋转化学键数量：04、拓扑分子极性表面积（TPSA）：34.15、重原子数量：36、表面电荷：07、复杂度：18.38、同位素原子数量：09、确定原子立构中心数量：010、不确定原子立构中心数量：011、确定化学键立构中心数量：012、不确定化学键立构中心数量：013、共价键单元数量：1。氧化铪的 共价键单元数量？湖北氧化铪英文名称
文名称:氧化铪中文同义词:氧化铪(III);Hafnium(IV)鎜xide(99.998%-Hf)PURATREM;氧化铪(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZR<1.5%;氧化铪;氧化铪,99.95%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<0.5%;氧化铪,SPECTROGRAPHICGRADE,99.9%(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<50PPM;氧化铪(IV),99.995%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<0.2%;氧化铪,99.95%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICChemicalbookALLY英文名称:HAFNIUMOXIDE英文同义词:HAFNIUMOXIDE,99.99%;HafniuM(IV)oxide,99.99%,(traceMetalbasis);dioxohafniuM;HafniuM(IV)oxide,(traceMetalbasis);Hafnium(IV)oxidepowder,98%;Hafniumoxide/99.999%;HAFNIUMOXIDE,99.8%;HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%CAS号:12055-23-1分子式:HfO2分子量:210.49EINECS号:235-013-2辽宁氧化铪MSDS氧化铪的MSDS。。。。
计算化学数据1、氢键供体数量：12、氢键受体数量：23、可旋转化学键数量：04、拓扑分子极性表面积（TPSA）：34.15、重原子数量：36、表面电荷：07、复杂度：18.38、同位素原子数量：09、确定原子立构中心数量：010、不确定原子立构中心数量：011、确定化学键立构中心数量：012、不确定化学键立构中心数量：013、共价键单元数量：1。生态学数据通常对水是不危害的，若无**许可，勿将材料排入周围环境。性质与稳定性常温常压下稳定避免的物料酸。
氧化铪MSDS1.1产品标识符:Hafnium(IV)oxide化学品俗名或商品名1.2鉴别的其他方法无数据资料1.3有关的确定了的物质或混合物的用途和建议不适合的用途*供科研用途，不作为药物、家庭备用药或其它用途。模块2.危险性概述2.1GHS分类根据全球协调系统(GHS)的规定，不是危险物质或混合物。2.3其它危害物-无模块3.成分/组成信息3.1物质:HfO2分子式:210.49g/mol分子量成分浓度Hafniumdioxide-化学文摘编号(CASNo.)12055-23-1EC-编号235-013-2模块4.急救措施4.1必要的急救措施描述如果吸入如果吸入,请将患者移到新鲜空气处。如果停止了呼吸,给于人工呼吸。在皮肤接触的情况下用肥皂和大量的水冲洗。在眼睛接触的情况下用水冲洗眼睛作为预防措施。如果误服切勿给失去知觉者从嘴里喂食任何东西。用水漱口。4.2**重要的症状和影响，急性的和滞后的据我们所知，此化学，物理和毒性性质尚未经完整的研究。4.3及时的医疗处理和所需的特殊处理的说明和指示无数据资料模块5.消防措施5.1灭火介质灭火方法及灭火剂用水雾,耐醇泡沫,干粉或二氧化碳灭火。5.2源于此物质或混合物的特别的危害二氧化铪5.3救火人员的预防如必要的话,戴自给式呼吸器去救火。5.4进一步的信息氧化铪的中文别称有哪些？
产品特性与用途二氧化铪(HfO2)是一种具有较高介电常数的氧化物。作为一种介电材料，因其较高的介电常数值(~20)，较大的禁带宽度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的稳定性，HfO2被认为是替代场效应晶体管中传统SiO2介电层的理想材料。如果互补金属氧化物半导体器件尺寸低于1μm，以二氧化硅为传统栅介质的技术会带来芯片的发热量增加、多晶硅损耗等一系列问题，随着晶体管的尺寸缩小，二氧化硅介质要求必须越来Chemicalbook越薄，但是漏电流的数值会因为量子效应的影响随着二氧化硅介质厚度的较小而急剧升高，所以急需一种更可行的物质来取代二氧化硅作为栅介质。二氧化铪是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料，近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注，由于它很可能替代目前硅基集成电路的**器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO2)，以解决目前MOSFET中传统SiO2/Si结构的发展的尺寸极限问题。氧化铪的 氢键受体数量？辽宁氧化铪价格优惠
氧化铪的化学式是多少？湖北氧化铪英文名称
制备氧化铪可由铪的碳化物、四氯化物、硫化物、硼化物、氮化物或水合氧化物直接高温灼烧制取。应用领域氧化铪（HfO2）为锆铪分离的产物，目前只有美、法等国家在生产核级锆时产生有氧化铪。中国早期就已经具备生产核级Zr，并生产少量氧化铪的能力。但是产品数量稀少，价格昂贵。作为铪的主要化学产品，通常用作光学镀膜材料，很少量开始试用于高效集成电路，氧化铪在**领域的应用尚待开发。氧化铪在光学镀膜领域的应用HChemicalbookfO2的熔点比较高、同时铪原子的吸收截面较大，捕获中子的能力强，化学性质特别稳定，因此在原子能工业中具有非常大应用的价值。自上世纪以来，光学镀膜得到了很快的发展，HfO2在光学方面的特性已经越来越适应光学镀膜技术的要求，所以HfO2在镀膜领域的应用也越来越***，特别是它对光有比较宽的透明波段，在光透过氧化铪薄膜时，对光的吸收少，大部分通过折射透过薄膜，因此HfO2在光学镀膜领域的应用越来越被重视。湖北氧化铪英文名称