把示波器交直流选择开关置于“DC”挡,扫描范围置于“10~100kHz”挡,用X移位和Y移位将水平亮线移到方格坐标的**部,置X轴上。为了能估测压电效应的最高电压幅值,我们必须先用荧光屏前的方格坐标系,定出电压标尺:利用接在示波器Y输入接线柱上的两根导线,把一节干电池的1.5V电压加在示波器上,衰减放在1,Y增益放在比较低,可以发现刚才的水平亮线上跳(或下跳)两格左右,即此时两格**1.5V电压。在Y增益不变的情况下,再将Y衰减放在1000(即千分之一)挡,荧光屏前方格坐标的两格就可以**1500V了。将Y输入接线柱上的两根馈线的鳄鱼夹分别接在压电打火机压电元件的两个电极上,迅速按下其黑色塑料压杆,可以看到原来位于**高度的水平亮线向上(或向下)跳动又恢复原位。由于荧光屏的余晖作用,水平亮线在示波器上显现的是一条高度达四格的亮带,这表明该脉冲的电压幅值在3000V以上。如果想观察这个电压脉冲的波形,可以每次按动压杆的同时,细心调节示波器“扫描微调”旋钮(事先将扫描范围换到“10~100Hz”挡),我们可以在荧光屏上看到如图2所示的波形,其电压上升较陡,降低较平缓,峰值在四格以上。PMM高精度控制,显微注射针的移动分辨率达到0.1um,可以精确穿透目标,不会误伤其他结构。昆明Piezo Micro Manipulator压电PMM 6U
注射—将含一个已制动精子的注射管轻柔刺破透明带和卵膜,进入卵母细胞中心。注入精子时,应尽可能少地带入培养液。之后使用负压破坏卵膜,随后轻柔抽吸细胞质。精子置入、穿过卵膜和抽吸细胞质以***卵母细胞的不同方法对受精和胚胎发育率的影响是一个研究热点。压电辅助的ICSI是一种新型方法,目前已在有ICSI结局不良病史和MⅡ期卵母细胞有限的患者中使用。在ICSI操作过程中,该技术对卵母细胞的损伤较小且可改善受精率和胚胎质量。目前使用压电驱动管的新型ICSI注射技术已成功用于多种哺乳动物。由于该注射器采用超声切割力(而不是刺穿力)穿透卵膜,注射过程中卵母细胞几乎没有变形,因此其对卵母细胞的损伤大幅减少。该技术实现的存活率和成功率同样高。注射后,根据标准实验室方案培养卵母细胞。受精ICSI后,受精率为50%-80%。虽然ICSI不可保证一定受精,但完全受精失败的发生率较低,通常发生于获卵数较低的周期。受精失败的原因通常不是未置入精子或卵母细胞排出精子。其可能是由于卵母细胞***失败,这通常与卵母细胞质量较差或精子无活性有关。昆明压电基因重组PMM利用压电晶体管压电效应,将卵细胞外层的透明带轻易穿孔,以执行动物克隆或人工生殖。
压电陶瓷是功能陶瓷中应用极广的一种。日常生活中很多人使用的“电子打火机”和煤气灶上的电子点火器,就是压电陶瓷的一种应用。点火器就是利用压电陶瓷的压电特性,向其上施加力,使之产生十几kV的高电压,从而产生火花放电,达到点火的目的。压电陶瓷实际上是一种经过极化处理的、具有压电效应的铁电陶瓷。它是在1946年当有人证实了钛酸钡陶瓷有铁电性之后开始问世的:差不多十年之后,贾菲(Jaffe)等又发现了PbTi03-PbZrO2系(即所谓PZT系)及后来又发现的mPZT为基的三元系压电陶瓷和铌酸盐系压电陶瓷。使压电陶瓷的性能和可应用性有了极大的提高。特别是三元系压电陶瓷的出现,使压电陶瓷在选择一定耦合系数、温度特性方面有了较大的余地,能满足多种电子仪器的要求,从而使压电陶瓷的应用范围**增加了。例如陶瓷滤波器和陶瓷鉴频器,电声换能器,水声换能器,声表的波器件,电光器件,红外探测器件和压电陀螺等,都是压电陶瓷在现代电子技术中的应用。
卵子***是人类胚胎发育的起始步骤,该过程主要由细胞内的钙释放调控,当成熟的卵母细胞发育到MII期后,只有精子的PLCζ进入卵母细胞的胞浆,才能***钙震荡,促使卵母细胞完成完整的减数分裂。TFF(Totalfertilizationfailure,完全受精失败)是指MII期卵母细胞无法完成受精的过程,有1-3%的ICSI失败是源于IFF。TFF与精子及卵子的异常均有关,其中卵子***异常是主要因素。卵子因素主要是由蛋白合成不足或异常信号传导导致的胞质不成熟;精子因素主要是PLCζ蛋白的结构、表达和定位异常。受精失败与女方年龄、不育类型和取卵数目等因素无关。精子的解凝功能异常和鱼精蛋白缺失与TFF密切相关。精子染色质组装异常或精子DNA损伤可导致精子的解凝异常,无法***卵子及合子形成。研究表明精子染色质组装异常的精子中精子解凝功能受阻的精子比例高于正常精子。精细胞染色质的鱼精蛋白的合成与组装对于精细胞的基因组浓缩也是非常重要的。若鱼精蛋白的量减少,精子在ICSI后提前解凝,导致受精失败。当精子进入卵子后精子染色质提前浓缩也导致其提前解凝,精子和卵子遗传物质的同步节奏被打破,也造成受精失败。不过这种同步性异常主要还是卵子因素造成的。PMM通过将精子尾部与头部割离,精子头部吸入平口,在中低档能量下即可穿透透明带,进行单精子显微注射。
依据电介质压电效应研制的一类传感器称为为压电传感器。这里再介绍一下电致伸缩效应。电致伸缩效应,即电介质在电场的作用下,由于感应极化作用而产生应变,应变大小与电场平方成正比,与电场方向无关。压电效应*存在于无对称中心的晶体中。而电致伸缩效应对所有的电介质均存在,不论是非晶体物质,还是晶体物质,不论是中心对称性的晶体,还是极性晶体。
压电效应的发现
1880年皮埃尔·居里和雅克·居里兄弟发现电气石具有压电效应。1881年,他们通过实验验证了逆压电效应,并得出了正逆压电常数。1984年,德国物理学家沃德马·沃伊特(德语:Woldemar Voigt),推论出只有无对称中心的20中点群的晶体才可能具有压电效应。 PMM PIEZO还具备可靠的性能和稳定的工作状态,能够长时间保持高质量的操作效果。美国精子制动压电胚胎干细胞
PMM PIEZO的使用不仅可以提高受孕成功率,还可以减少患者的心理压力和焦虑感,增强他们的信心。昆明Piezo Micro Manipulator压电PMM 6U
为什么具有“脆性卵膜”的卵子ICSI后容易退化?如下:一、卵子成熟度不足。卵子的成熟包括核成熟(以排出***极体为标志)以及胞质成熟,而胞质成熟往往滞后于核成熟,两者并不完全同步。有对照研究表明,脆性卵膜组的成熟卵细胞比例***低于正常破膜组,ICSI后卵子退化率也高于正常破膜组,这提示了卵子成熟度与卵膜脆性具有一定的相关性,并**终影响了卵子ICSI后是否存活。二、雌***水平。到目前为止,关于雌***水平对脆性卵膜的影响,现有的研究结论并不一致,但归根到底仍然可能是通过影响卵子成熟来改变卵膜的特性。三、ICSI机械操作。一方面ICSI是侵袭性操作,可能破坏卵膜、细胞骨架等细胞器,另一方面是具有脆性卵膜的卵子缺乏“漏斗”的保护作用,细胞骨架和卵膜更容易在ICSI过程中崩解。为避免脆性卵膜卵子ICSI后退化,除了改善注射方式(如进针前利用激光穿透或削薄透明带,操作尽可能轻柔等),还可采用改进的Piezo-ICSI(压电脉冲破膜辅助ICSI),能有效改善注射后卵子退化的情况。此外,在临床促排卵方面,也可考虑调整药物用量,在保证卵泡大小均匀的情况下,尽量推迟扳机时间,提高卵母细胞成熟度,减轻ICSI后卵子退化的比例,以尽可能保证ART***的效果。昆明Piezo Micro Manipulator压电PMM 6U