局部放电分析方法3.4小波变换法相比于傅里叶变换,小波变换通过对小波函数的伸缩及平移同时实现对原始信号的时域分析和频域分析。离散小波变换可由下式实现:𝐷𝑊𝑇𝜓𝑓(𝑚,𝑛)=𝑎−𝑚/2𝑓(𝑡)𝜓(𝑎0−𝑚𝑡−𝑛𝑏0)DWT_ψf(m,n)=a^(-m/2)∫▒〖f(t)〗ψ(a_0^(-m)t-nb_0)其中𝑓(𝑡)f(t)为原始信号;𝑎a为尺度因子,通过对小波函数的伸缩变换实现原始信号的频域分析;𝑏b为平移因子,通过在时间轴内对小波函数的平移变换实现原始信号的时域分析。基于离散小波变换的多分辨率分析在信号低频处具有低时间分辨率和高频率分辨率的特性,在信号高频处具有低频率分辨率及高时间分辨率的特性。因此,小波变换***局部放电信号的去噪及特征参量提取。GZPD-234系列便携式局部放电监测与诊断系统相关标准。国内局部放电改造
GZPD-2300系列分布式GIS耐压同步局部放电监测与定位系统基于声电联合监测技术,综合采用特高频、超声波监测技术分析诊断,利用信号强度及信号时延进行快速、精确定位。由于在GIS内部放电或击穿时会产生特高频和超声波信号,由于特高频信号传送距离远,先利用特高频信号特征实现大致定位,再利用超声波的信号特征实现精确定位;采用特高频定位时将两个以上特高频传感器安装在非密封的盆式绝缘子上,根据特高频信号幅度的大小,实现粗略的定位;超声波信号会就近传至GIS外壳并沿外壳传播,只需在GIS壳体上安装超声波传感器即可对该信号进行监测。由于在GIS壳体不同位置所监测到的声波信号的传播时间及信号强度均有所差异,故可根据信号的传播时间差及信号幅度的大小,准确判断放电信号的部位,并且还可通过敲击GIS外壳的方法,进一步验证定位的准确性。线缆局部放电监测应用GZPD-4D系列分布式局部放电监测与评价系统软件安装。
(4)升压试验:将要试验的模型调至指定位置,调压控制器开始升压,注意控制电压大小,观察局放仪上的波形。3.2TEV局放测试方法需要设备:TEV感器、TEV局放仪、相关测试线。暂态地电压传感器:用于采集开关柜的暂态地电压局放信号,测试时传感器通过磁吸紧贴在柜体表面,传感器的工作频带为3M~100MHz。传感器放置:把TEV检测单元贴置在开关柜的金属外箱体上进行测量。3.3超声波局放测试方法需要设备:超声波探头、超声波局放仪、相关测试线。非接触式超声波传感器:用于采集开关柜的超声波局放信号,测试时传感器通过磁吸紧贴在柜体外壁上,将探头对准开关柜的缝隙,传感器的中心频率为40kHz。传感器放置:把非接触式超声波传感器靠近开关柜的缝隙,使传感器与放电源之间形成气道,放电所产生的超声波信号通过气体传播到传感器上。
下一组图为分布式局部放电监测系统在某10kV(规程上要求是66kV及以上电压等级的电缆)交联聚乙烯电缆交接试验中的应用结果。该电缆全长1735米,4个中间接头分别位于344米、697米、1072米和1422米处,共使用6个监测单元、采用无线组网方式进行分布式局部放电同步监测。电缆A相及B相各监测点处电缆本体及附件均未监测到放电信号,在C相终端监测点发现局部放电信号,监测结果如下组图所示。将图(a)中TF图谱分离后,软件自动判别绿色点簇为电晕放电信号,等效时间和等效频率分别约为800ns~1600ns和2MHz~2.5MHz; 红色点簇为噪音信号, 等效时间和等效频率分别约为1800ns~2500ns和1.5MHz~1.7MHz。放电和噪音PRPD图谱及脉冲信号波形分别如图(b)和图(c)所示。经现场观察发现,B相电缆终端头处存在明显毛刺,导致局部放电发生。停电打磨处理后,局部放电信号消失。杭州国洲电力科技有限公司局部放电分析方法。
GIS具有结构紧凑、运行可靠性高、不易受外界环境影响、检修周期长等优点,目前已在电力系统中大量使用,由于制造、运输、现场装配等多种原因,GIS内部不可避免地会存在绝缘缺陷等安全隐患,因此在GIS出厂前和投运前非常需要进行耐压试验。GIS的耐压试验不仅可以发现设备内部缺陷,还可以对设备进行老练处理,烧掉前列毛刺或杂质,具有检验和恢复设备绝缘强度的这两项作用,进行耐压试验时也可能会出现长久性的击穿放电。由于GIS的高度密闭性,一旦发生击穿故障,如何快速寻找故障部位是一个长期困扰制造厂和运行单位的难题,通常需采用多次分段重复加压、依靠人耳听觉进行判断,而且还避免不了对设备进行多次拆卸,既损伤了设备又耽误了工期。便携式局部放电在线监测货源。变压器局部放电带电检测法
GZPD-234系列局部放电监测系统(便携式、诊断型)功能特点。国内局部放电改造
二、装置构成1、GIS罐体:2个**气室,全真模拟GIS母线、壳体及盆式绝缘子;2、无局放电源:工频升压装置,自身局放量不超过0.5pC;3、放电模型:内置前列放电、气隙放电、悬浮放电、颗粒放电及盆式绝缘子沿面放电共5种模型,可模拟GIS内部前述5种单一缺陷和不同组合缺陷;4、耦合电容:支持脉冲电流法检测,满足GB/T7354及IEC60270要求;5、内置特高频传感器:支持特高频法局部放电带电检测,频率范围0.3-2GHz;6、内置摄像头:可实时观察罐体内部放电模型动作情况;7、根据实际需要,可增配示波器或频谱分析仪等;8、其他:盆式绝缘子浇筑口处支持外置特高频传感器局放检测;9、GZFZ-G系列GIS局部放电检测教研装置的相关结构示意如下图1、图2所示:国内局部放电改造
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