北京二氧化钛粒度分析仪厂家

CMP(化学机械抛光)工艺中磨料颗粒的高精度粒径表征随着半导体工业飞速发展，电子器件尺寸缩小，要求晶片表面平整度达到纳米级。CMP工艺作为芯片制造业不可或缺的一个部分，其对于磨料的颗粒粒度表征要求十分重要。CMP过程中使用的磨料颗粒典型尺寸范围是10-200nm，其颗粒表征要求精确地确定纳米级颗粒的尺寸，因此高分辨率纳米粒度分析仪是磨料颗粒表征的完美解决方案。磨料对CMP工艺起着至关重要的作用！欢迎选用CPS纳米粒度分析仪为您完美解决磨料颗粒问题！驰光机电科技敢于承担、克难攻坚。北京二氧化钛粒度分析仪厂家

CPS纳米粒度分析仪操作权限和文件存取安全设置；屏显离心转速控制；高级数据分析功能，包括噪声过滤和分辨率加强。样品应用：地质学，土壤、粘土、沙、高岭土；环境；制药/生化；化学，杀虫剂、分散剂、催化剂、树脂、乳液、防腐剂、颜料、涂料、；陶瓷和金属，铝、硅、磁粉、钨、烧结制品、不锈钢、钴；能源，煤、燃料、浆液、页岩油乳剂；粉煤灰；食品；重工业，聚合物、油滴、磨损颗粒、白垩、填料、调色剂、纸浆/纸、PVC、水泥；生命科学。北京二氧化钛粒度分析仪厂家驰光机电与广大客户携手共创碧水蓝天。

而化学机械抛光（Chemical mechanical polishing，CMP）是集成电路芯片的一个关键制程，国内抛光所用关键材料CMP抛光垫，几乎全部依赖进口。CMP典型的抛光浆料都是纳米级发烟硅石(5Vol%，170-230nm)、高纯硅胶(9Vol%，6-80nm)、氧化铈(6Vol%，200-240nm)或氧化铝颗粒，它们的粒度或粒度分布必须小心地进行控制以免在抛光面上产生刮痕。CMP浆料的分散稳定性和保存期也是必须被认真考虑的重要环节。这种纳米浆料的使用浓度一般在(5-30W%)，容易聚集。随着贮存时间延长，它的粒度可能增大从而导致损害的产生。

技术优势：CPS系统优良性能的基础是它先进的示差沉降技术。高转速：CPS可以支持的较高转速为24,000转/分。对于超细颗粒，其分析速度比其它产品快倍。使用速度调节技术，可以对粒度分布范围较广的样品进行分析。对于在其它分析仪上很多非常耗时(数小时或更长)的样品，CPS可以快速得到结果。高精度标定：CPS系统使用已知的标定颗粒进行标定，与美国国家标准和技术研究院(NIST)相兼容的标准保证了分析结果的一致性和精确度。使用内标法，也即把已知标定颗粒与待分析样品相混合，所得的峰值结果可以达到±0.25%的精度。驰光机电科技有限公司技术力量雄厚，工装设备和检测仪器齐备，检验与实验手段完善。

而CMP工艺离不开研磨料的发展，那么对于磨料的颗粒粒度表征就显得尤为重要了。CMP就是用化学腐蚀和机械力对加工过程中的硅晶圆或其它衬底材料进行平滑处理。将硅片固定在抛光头的较下面，将抛光垫放置在研磨盘上，抛光时，旋转的抛光头以一定的压力压在旋转的抛光垫上，由亚微米或纳米磨粒和化学溶液组成的研磨液在硅片表面和抛光垫之间流动，然后研磨液在抛光垫的传输和离心力的作用下，均匀分布其上，在硅片和抛光垫之间形成一层研磨液液体薄膜。驰光机电具备雄厚的实力和丰富的实践经验。北京二氧化钛粒度分析仪厂家

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CPS纳米粒度分析仪测量参数：粒径、粒形和浓度；粒径范围：0.1-3600μm；浓度范围：高达109颗粒/cm3(对1μm颗粒)；供样方式：液体、干粉、表面；系统规格/重量电源：665L×280W×183H(mm)；14Kg；100-130V，205-240V，50/60Hz，100VA；2mW He-Ne，632.8nm，硅PIN二极管检测器；全量程的0.3%，小可达0.2μm；同步频闪光源，亮度和持续时间可调；频闪率；可达30次/秒。分辨率B&W CCD摄像机。NTSC 840×640像素；PAL768×572像素。Windows XP操作系统，检测报告自动生成，符合FDA 21 CFRPART11标准。ISO标准；符合多项ISO方法标准；测量池模块：液体、乳液/不透明液体、干粉、纤维、磁性颗粒、加热液体及气溶胶。北京二氧化钛粒度分析仪厂家