新疆本地MEMS微纳米加工

微纳结构的台阶仪与SEM测量技术：台阶仪与扫描电子显微镜（SEM）是微纳加工中关键的计量手段，确保结构尺寸与表面形貌符合设计要求。台阶仪采用触针式或光学式测量，可精确获取0.1nm-500μm高度范围内的轮廓信息，分辨率达0.1nm，适用于薄膜厚度、刻蚀深度、台阶高度的测量。例如，在深硅刻蚀工艺中，通过台阶仪监测刻蚀深度（精度±1%），确保流道深度均匀性＜2%。SEM则用于纳米级结构观测，配备二次电子探测器，可实现5nm分辨率的表面形貌成像，用于微流道侧壁粗糙度（Ra＜50nm）、微孔孔径（误差＜±5nm）的检测。在PDMS模具复制过程中，SEM检测模具结构的完整性，避免因缺陷导致的芯片流道堵塞。公司建立了标准化测量流程，针对不同材料与结构选择合适的测量方法，如柔性PDMS芯片采用光学台阶仪非接触测量，硬质芯片结合SEM与台阶仪进行三维尺寸分析。通过大数据统计过程控制（SPC），将关键尺寸的CPK值提升至1.67以上，确保加工精度满足需求，为客户提供可追溯的质量保障。自研超声收发芯片输出电压达 ±100V、电流 1A，部分性能指标超越国际品牌 TI。新疆本地MEMS微纳米加工

MEMS制作工艺-声表面波器件的特点：

1.由于声表面波器件是在单晶材料上用半导体平面工艺制作的，所以它具有很好的一致性和重复性，易于大量生产，而且当使用某些单晶材料或复合材料时，声表面波器件具有极高的温度稳定性。

2.声表面波器件的抗辐射能力强，动态范围很大，可达100dB。这是因为它利用的是晶体表面的弹性波而不涉及电子的迁移过程此外，在很多情况下，声表面波器件的性能还远远超过了很好的电磁波器件所能达到的水平。比如用声表面波可以作成时间-带宽乘积大于五千的脉冲压缩滤波器，在UHF频段内可以作成Q值超过五万的谐振腔，以及可以作成带外抑制达70dB、频率达1低Hz的带通滤波器 西藏MEMS微纳米加工销售电话超薄石英玻璃双面套刻加工技术，在 100μm 以上基板实现微流道与金属电极的高精度集成。

MEMS制作工艺-声表面波器件SAW：

声表面波是一种沿物体表面传播的弹性波，它能够在兼作传声介质和电声换能材料的压电基底材料表面进行传播。它是声学和电子学相结合的一门边缘学科。由于声表面波的传播速度比电磁波慢十万倍，而且在它的传播路径上容易取样和进行处理。因此，用声表面波去模拟电子学的各种功能，能使电子器件实现超小型化和多功能化。随着微机电系统（MEMS）技术的发展进步，声表面波研究向诸多领域进行延伸研究。上世纪90年代，已经实现了利用声表面波驱动固体。进入二十一世纪，声表面波SAW在微流体应用研究取得了巨大的发展。应用声表面波器件可以实现固体驱动、液滴驱动、微加热、微粒集聚\混合、雾化。

MEMS四种刻蚀工艺的不同需求：

1.体硅刻蚀：一些块体蚀刻些微机电组件制造过程中需要蚀刻挖除较大量的Si基材，如压力传感器即为一例，即通过蚀刻硅衬底背面形成深的孔洞，但未蚀穿正面，在正面形成一层薄膜。还有其他组件需蚀穿晶圆，不是完全蚀透晶背而是直到停在晶背的镀层上。基于Bosch工艺的一项特点，当要维持一个近乎于垂直且平滑的侧壁轮廓时，是很难获得高蚀刻率的。因此通常为达到很高的蚀刻率，一般避免不了伴随产生具有轻微倾斜角度的侧壁轮廓。不过当采用这类块体蚀刻时，工艺中很少需要垂直的侧壁。

2.准确刻蚀：精确蚀刻精确蚀刻工艺是专门为体积较小、垂直度和侧壁轮廓平滑性上升为关键因素的组件而设计的。就微机电组件而言，需要该方法的组件包括微光机电系统及浮雕印模等。一般说来，此类特性要求，蚀刻率的均匀度控制是远比蚀刻率重要得多。由于蚀刻剂在蚀刻反应区附近消耗率高，引发蚀刻剂密度相对降低，而在晶圆边缘蚀刻率会相应地增加，整片晶圆上的均匀度问题应运而生。上述问题可凭借对等离子或离子轰击的分布图予以校正，从而达到均钟刻的目的。 MEMS常见的产品-压力传感器。

在脑科学与精细医疗领域，公司开发的MEA柔性电极采用超薄MEMS工艺，兼具物相容性与高导电性，可定制化设计“触凸”电极阵列，***降低植入式脑机接口的手术创伤，同时提升神经信号采集的信噪比。针对药物递送与检测需求，通过干湿结合刻蚀技术制备的微针器件，既可实现组织间液的无痛提取，又能集成电化学传感功能，为糖尿病动态监测、透皮给药系统提供硬件支持。此外，公司**的MEMS多重转印工艺，可将光刻硅片模板快速转化为PMMA、COC等硬质塑料芯片，支持10个工作日内完成从设计图纸到塑料芯片成型的全流程，极大加速微流控产品的研发验证周期。台阶仪与 SEM 测量技术确保微纳结构尺寸精度，支撑深硅刻蚀、薄膜沉积等工艺质量管控。内蒙古MEMS微纳米加工设备工程

MEMS常见的产品-声学传感器。新疆本地MEMS微纳米加工

基于MEMS技术的SAW器件的工作模式和原理：

声表面波器件一般使用压电晶体(例如石英晶体等)作为媒介，然后通过外加一正电压产生声波，并通过衬底进行传播，然后转换成电信号输出。声表面波传感器中起主导作用的主要是压电效应，其设计时需要考虑多种因素:如相对尺寸、敏感性、效率等。一般地，无线无源声表面波传感器的信号频率范围从40MHz到几个GHz。图2所示为声表面波传感器常见的结构，主要部分包括压电衬底天线、敏感薄膜、IDT等。传感器的敏感层通过改变声表面波的速度来实现频率的变化。

无线无源声表面波系统包:发射器、接收器、声表面波器件、通信频道。发射器和接收器组合成收发器或者解读器的单一模块。图3为声表面波系统及其相互关联的基础部件。解读器将功率传送给声表面波器件，该功率可以是收发器输入的连续波，脉冲或者喝啾。一般地，声表面波器件获得的功率大小具有一定限制，以降低发射功率，从而得到相同平均功率的喝啾。根据各向同性的辐射体，接收的信号一般能通过高效的辐射功率天线发射。 新疆本地MEMS微纳米加工