高压SOI工艺在MEMS芯片中的应用创新:高压SOI(绝缘体上硅)工艺是制备高耐压、低功耗MEMS芯片的**技术,公司在0.18μm节点实现了发射与开关电路的集成创新。通过SOI衬底的埋氧层(厚度1μm)隔离高压器件与低压控制电路,耐压能力达200V以上,漏电流<1nA,适用于神经电刺激、超声驱动等高压场景。在神经电子芯片中,高压SOI工艺实现了128通道**驱动,每通道输出脉冲宽度1-1000μs可调,幅度0-100V可控,脉冲边沿抖动<5ns,确保精细的神经信号调制。与传统体硅工艺相比,SOI芯片的寄生电容降低40%,功耗节省30%,芯片面积缩小50%。公司优化了SOI晶圆的键合与减薄工艺,将衬底厚度控制在100μm以下,支持芯片的柔性化封装。该技术突破了高压器件与低压电路的集成瓶颈,推动MEMS芯片向高集成度、高可靠性方向发展,在植入式医疗设备、工业控制传感器等领域具有广阔应用前景。PDMS 金属流道加工技术可在柔性流道内沉积金属镀层,实现电化学检测与流体控制一体化。高科技MEMS微纳米加工加工厂
金属流道PDMS芯片与PET基板的键合工艺:金属流道PDMS芯片通过与带有金属结构的PET基板键合,实现柔性微流控芯片与刚性电路的集成,兼具流体处理与电信号控制功能。键合前,PDMS流道采用氧等离子体活化处理(功率100W,时间30秒),使表面羟基化;PET基板通过电晕处理提升表面能,溅射1μm厚度的铜层并蚀刻形成电极图案。键合过程在真空环境下进行,施加0.5MPa压力并保持30分钟,形成化学共价键,剥离强度>5N/cm。金属流道内的电解液与外部电路通过键合区的Pad连接,接触电阻<100mΩ,确保信号稳定传输。该技术应用于微流控电化学检测芯片时,可在10μL的反应体系内实现多参数同步检测,如pH、离子浓度与氧化还原电位,检测精度均优于±1%。公司优化了键合设备的温度与压力控制算法,将键合缺陷率(如气泡、边缘溢胶)降至0.5%以下,支持大规模量产。此外,PET基板的可裁剪性与低成本特性,使得该芯片适用于一次性检测试剂盒,单芯片成本较玻璃/硅基方案降低60%,为POCT设备厂商提供了高性价比的集成方案。宁夏MEMS微纳米加工MEMS的柔性电极是什么?
MEA柔性电极:MEMS工艺开发的MEA(微电极阵列)柔性电极,是脑机接口(BCI)与类***电生理研究的**技术载体。该电极采用超薄柔性基底材料(如聚酰亚胺或PDMS),厚度可精细控制在10-50微米范围内,表面通过光刻与金属沉积工艺集成高密度“触凸”式微电极阵列。在脑机接口领域,柔性电极通过微创手术植入大脑皮层,用于癫痫病灶的精细定位与闭环电刺激***。在类***研究中,电极阵列与脑类***共培养系统结合,可长期监测神经元网络的自发电活动与突触可塑性变化,为阿尔茨海默病药物筛选提供高分辨率电生理数据。此外,公司开发的“仿生褶皱结构”柔性电极,通过力学匹配设计进一步降低植入后的机械应力,延长器件使用寿命至少5年以上。
热敏柔性电极的PI三明治结构加工技术:热敏柔性电极采用PI(聚酰亚胺)三明治结构,底层PI作为柔性基板,中间层为金属电极,上层PI实现绝缘保护,开窗漏出Pad引线位置,兼具柔韧性与电学性能。加工过程中,首先在25μm厚度的PI基板上通过溅射沉积5μm厚度的铜/金电极层,利用光刻胶作为掩膜进行湿法刻蚀,形成10-50μm宽度的电极图案,线条边缘粗糙度<1μm;然后涂覆10μm厚度的PI绝缘层,通过激光切割开设引线窗口,窗口定位精度±5μm;***经300℃高温亚胺化处理,提升层间结合力(剥离强度>10N/cm)。该电极的弯曲半径可达5mm,耐弯折次数>10万次,表面电阻<5Ω/□,适用于可穿戴体温监测、心率传感器等设备。在医疗领域,用于术后伤口热敷的柔性加热电极,可通过调节输入电压实现37-42℃精细控温,温度均匀性误差<±0.5℃,避免局部过热损伤组织。公司支持电极图案的个性化设计,可集成热电偶、NTC热敏电阻等传感器,实现“感知-驱动”一体化,推动柔性电子技术在医疗健康与智能设备中的广泛应用。EBL设备制备纳米级超透镜器件的原理是什么?
PDMS金属流道芯片的复合加工工艺:PDMS金属流道芯片通过在柔性PDMS流道内集成金属镀层,实现流体控制与电信号检测的一体化设计。加工流程包括:首先利用软光刻技术在硅模上制备50-200μm宽度的流道结构,浇筑PDMS预聚体并固化成型;然后通过氧等离子体处理流道表面,使其亲水化以促进金属前驱体吸附;采用磁控溅射技术沉积50-200nm厚度的金/铂金属层,经化学镀增厚至1-5μm,形成连续导电流道;***与PET基板通过等离子体键合密封,确保流体无泄漏。金属流道的表面粗糙度<50nm,电阻<10Ω/cm,适用于电化学检测、电渗泵驱动等场景。典型应用如微流控电化学传感器,在10μL/min流速下,对葡萄糖的检测灵敏度达50μA・mM⁻¹・cm⁻²,线性范围0.1-20mM,检测下限<50μM。公司开发的自动化生产线可实现流道尺寸的精细控制(误差<±2%),并支持金属层图案化设计,如叉指电极、螺旋流道等,满足不同传感器的定制需求,为生物检测与环境监测领域提供了柔性化、集成化的解决方案。MEMS常见的产品-声学传感器。山东现代化MEMS微纳米加工
MEMS技术常用工艺技术组合有:紫外光刻、电子束光刻EBL、PVD磁控溅射、IBE刻蚀、ICP-RIE深刻蚀。高科技MEMS微纳米加工加工厂
MEMS组合惯性传感器不是一种新的MEMS传感器类型,而是指加速度传感器、陀螺仪、磁传感器等的组合,利用各种惯性传感器的特性,立体运动的检测。组合惯性传感器的一个被广为熟悉的应用领域就是惯性导航,比如飞机/导弹飞行控制、姿态控制、偏航阻尼等控制应用、以及中程导弹制导、惯性GPS导航等制导应用。
惯性传感器分为两大类:一类是角速率陀螺;另一类是线加速度计。角速率陀螺又分为:机械式干式﹑液浮﹑半液浮﹑气浮角速率陀螺;挠性角速率陀螺;MEMS硅﹑石英角速率陀螺(含半球谐振角速率陀螺等);光纤角速率陀螺;激光角速率陀螺等。线加速度计又分为:机械式线加速度计;挠性线加速度计;MEMS硅﹑石英线加速度计(含压阻﹑压电线加速度计);石英挠性线加速度计等。 高科技MEMS微纳米加工加工厂