MEMS制作工艺-太赫兹传感器:
太赫兹(THz)波凭借其可以穿透大多数不透光材料的特点,在对材料中隐藏物体和缺陷的无损探测方面具有明显的优势。然而,由于受到成像速度和分辨率的束缚,现有的太赫兹探测系统面临着成像通量和精度的限制。此外,使用大阵列像素计数成像的基于机器视觉的系统由于其数据存储、传输和处理要求而遭遇瓶颈。
这项研究提出了一种衍射传感器,该传感器可利用单像素太赫兹探测器快速探测3D样品中的隐藏物体和缺陷,从而避免了样品扫描或图像形成及处理步骤。利用深度学习优化的衍射层,该衍射传感器可以通过输出光谱全光探测样品的3D结构信息,直接指示是否存在隐藏结构或缺陷。研究人员使用单像素太赫兹时域光谱(THz-TDS)装置和3D打印衍射层,对所提出的架构进行了实验验证,并成功探测了硅样品中的未知隐藏缺陷。该技术在安全筛查、生物医学传感和工业质量控制等方面具有重要的应用价值。 MEMS常见的产品-声学传感器。天津个性化MEMS微纳米加工
MEMS制作工艺柔性电子的研究发展:
在近的10年间,康奈尔大学、普林斯顿大学、哈佛大学、西北大学、剑桥大学等国际有名的大学都先后建立了柔性电子技术专门研究机构,对柔性电子的材料、器件与工艺技术进行了大量研究。柔性电子技术同样引起了我国研究人员的高度关注与重视,在柔性电子有机材料制备、有机电子器件设计与应用等方面开展了大量的基础研究工作,并取得了一定进展。中国科学院长春应用化学研究所、中国科学院化学研究所、中国科学技术大学、华南理工大学、清华大学、西北工业大学、西安电子科技大学、天津大学、浙江大学、武汉大学、复旦大学、南京邮电大学、上海大学等单位在有机光电(高)分子材料和器件、发光与显示、太阳能电池、场效应管、场发射、柔性电子表征和制备、平板显示技术、半导体器件和微图案加工等方面进行了颇有成效的研究。近年来,华中科技大学在RFID封装和卷到卷制造、厦门大学在静电纺丝等方面取得了研究进展。
但是在产业化和定制加工方面,基于柔性PI的器件研究开发,深圳的民营科技走在前列。例如基于柔性PI衬底的太赫兹器件、柔性电生理电极、脑机接口柔性电极、电刺激/记录电极、柔性PI超表面器件等等 代理MEMS微纳米加工厂家电话超透镜的电子束直写和刻蚀工艺其实并不复杂。
MEMS制作工艺-声表面波器件SAW:
声表面波是一种沿物体表面传播的弹性波,它能够在兼作传声介质和电声换能材料的压电基底材料表面进行传播。它是声学和电子学相结合的一门边缘学科。由于声表面波的传播速度比电磁波慢十万倍,而且在它的传播路径上容易取样和进行处理。因此,用声表面波去模拟电子学的各种功能,能使电子器件实现超小型化和多功能化。随着微机电系统(MEMS)技术的发展进步,声表面波研究向诸多领域进行延伸研究。上世纪90年代,已经实现了利用声表面波驱动固体。进入二十一世纪,声表面波SAW在微流体应用研究取得了巨大的发展。应用声表面波器件可以实现固体驱动、液滴驱动、微加热、微粒集聚\混合、雾化。
MEMS制作工艺柔性电子:
柔性电子(Flexible Electronics)是一种技术的通称,是将有机/无机材料电子器件制作在柔性/可延性基板上的新兴电子技术。相对于传统电子,柔性电子具有更大的灵活性,能够在一定程度上适应不同的工作环境,满足设备的形变要求。但是相应的技术要求同样制约了柔性电子的发展。首先,柔性电子在不损坏本身电子性能的基础上的伸展性和弯曲性,对电路的制作材料提出了新的挑战和要求;其次,柔性电子的制备条件以及组成电路的各种电子器件的性能相对于传统的电子器件来说仍然不足,也是其发展的一大难题。 MEMS制作工艺-太赫兹脉冲辐射探测。
MEMS超表面对光电特性的调控:
1.超表面meta-surface对相位的调控:相位是电磁波的一个重要属性,等相位面决定了电磁波的传播方向,一副图像的相位则包含了其立体信息。通过控制电磁波的相位,可以实现光束偏转、超透镜、超全息、涡旋光产生、编码、隐身、幻像等功能。
2.超表面meta-surface对电磁波多个自由度的联合调控:超表面可以实现对电磁波相位、振幅、偏振等自由度的同时调控。比如,通过对电磁波的相位和振幅的联合调控,可以实现立体超全息,通过对电磁波的相位和偏振的联合调控,可以实现矢量涡旋光;通过对电磁波的相位和频率的联合调控,可以实现非线性超透镜等功能。
3.超表面meta-surface对波导模式的调控:可将“超构光学”的概念与各类光波导平台相结合,将超构表面或超构材料集成在各类光波导结构上,则可以在亚波长尺度下对波导中的光信号进行灵活自由的调控。利用上表面集成了超构表面的介质光波导结构,可以实现多功能的光耦合、光探测、偏振/波长解复用、结构光激发、波导模式转化、片上光信号变换、光学神经网络、光路由等应用 。 MEMS常见的产品-压力传感器。多功能MEMS微纳米加工之声表面波器件定制
MEMS的超材料介绍与讲解。天津个性化MEMS微纳米加工
MEMS制作工艺ICP深硅刻蚀:在半导体制程中,单晶硅与多晶硅的刻蚀通常包括湿法刻蚀和干法刻蚀两种方法各有优劣,各有特点。湿法刻蚀即利用特定的溶液与薄膜间所进行的化学反应来去除薄膜未被光刻胶掩膜覆盖的部分,而达到刻蚀的目的。因为湿法刻蚀是利用化学反应来进行薄膜的去除,而化学反应本身不具方向性,因此湿法刻蚀过程为等向性。湿法刻蚀过程可分为三个步骤:1)化学刻蚀液扩散至待刻蚀材料之表面;2)刻蚀液与待刻蚀材料发生化学反应;3)反应后之产物从刻蚀材料之表面扩散至溶液中,并随溶液排出。
湿法刻蚀之所以在微电子制作过程中被采用乃由于其具有低成本、高可靠性、高产能及优越的刻蚀选择比等优点。但相对于干法刻蚀,除了无法定义较细的线宽外,湿法刻蚀仍有以下的缺点:1) 需花费较高成本的反应溶液及去离子水:2) 化学药品处理时人员所遭遇的安全问题:3) 光刻胶掩膜附着性问题;4) 气泡形成及化学腐蚀液无法完全与晶片表面接触所造成的不完全及不均匀的刻蚀 天津个性化MEMS微纳米加工