甘肃光电芯片设计

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司的CVD用固态微波功率源产品具有以下特点：采用第三代氮化镓半导体，具有高频率一致性和稳定性, 且具有集成度高，尺寸小、寿命高等特性；可直接与各类射频CVD设备直接集成，应用于金刚石等材料的生长；可设计与研制不同工作模式的氮化镓基固态微波功率源，满足各类射频CVD设备对高可靠、高集成、高微波特性的技术需求，提升CVD设备的稳定性；主要用于各类射频CVD设备，为其提供微波功率，可扩展应用为微波消毒、微波医疗等领域；本公司可依据客户要求进行各类微波功率大小和功率频率的设计与开发，相对传统微波功率源具有性能高、稳定性好的特性。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供InGaAs太赫兹零偏SBD技术开发服务。甘肃光电芯片设计

1)南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司太赫兹放大器系列产品，是一项可提供太赫兹芯片解决方案的创新科技成果。太赫兹技术是一项近年来备受关注的前沿技术，具有广泛的应用潜力。作为具有核心竞争力的创新科技企业，公司依托其强大的研发实力和创新能力，成功地实现了太赫兹芯片的自主研发。太赫兹放大器系列产品的应用前景广阔，太赫兹技术在通讯、安全检测、材料表征等众多领域都具有重要意义。公司将继续不断创新，推动太赫兹行业的发展。湖南碳纳米管器件及电路芯片测试南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司拥有先进的硅基氮化镓产品开发技术。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司公共技术服务平台可对外提供半导体器件及电路的加工流片服务，可完成太赫兹芯片、微波毫米波芯片、光电集成芯片、异质异构集成芯片、碳电子器件等各个领域芯片的研发与制造，可提供工艺开发、芯片流片、芯片测试等服务，可进行单步或多步工艺定制开发，可满足多样性的工艺要求。未来，南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司将继续致力于半导体器件及电路的研发和创新，为行业的发展贡献自己的力量。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司可进行Si、GaAs、InP、SiC、GaN、石墨烯以及碳纳米管等半导体器件的工艺流片，晶片加工尺寸覆盖不规则片、3寸晶圆片以及4寸晶圆片。公司的加工流片技术具有多项先进的特点和优势。首先，公司采用了先进的工艺设备，保证了工艺的稳定性。其次，公司拥有丰富的流片加工经验，能够根据客户的需求进行流片加工和定制化开发。再次，公司注重研发创新，不断引入先进的材料和技术，提升性能。同时，公司具备较为完备的检测能力，可以确保产品的质量。研究院将不断提高研发水平和服务能力，确保客户满意。芯谷高频研究院的热物性测试仪可有效解决无法实现大尺寸、微米级厚度、及其超高热导率等材料的热评估难题。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供异质集成工艺服务，如：1）晶圆键合：提供6英寸及以下超高真空键合、表面活化键合、聚合物键合、热压键合、共晶键合等多种类晶圆及非标准片键合服务；2）衬底减薄：提供Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等材料衬底减薄服务；3）表面平坦化：提供Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等材料表面亚纳米级精细抛光服务。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司的多种异质集成技术服务包括：超高真空键合、衬底减薄和表面平坦化等，都是基于先进的技术和设备，以满足客户的不同需求。芯谷高频研究院的太赫兹放大器系列产品，是一项可提供太赫兹芯片解决方案的创新科技成果。浙江太赫兹器件及电路芯片定制开发

芯谷高频研究院拥有完善的表面处理、键合、转印、粘片、减薄、CMP等异质集成工艺技术， 可提供定制化服务。甘肃光电芯片设计

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司可提供创新的大功率氮化镓微波毫米波/太赫兹产品开发服务，这些产品具备优良的特性，包括耐功率和高速性能，能大幅提高整流功率和效率。公司专注于高频器件领域的研发与创新，致力于提供可靠、高效的解决方案，为客户带来良好的体验。研究院的研发团队经验丰富，技术造诣深厚，能够深入理解客户的需求，并根据需求量身定制解决方案，为客户提供先进的氮化镓微波毫米波/太赫兹产品。随着无线通信和雷达技术的迅猛发展，大功率氮化镓微波毫米波/太赫兹产品在各个领域都得到应用。公司致力于推动这一领域的创新与发展，以满足客户不断变化的需求。公司提供的产品具备创新性、高性能，能够用于通信、航空航天、医疗等领域，为客户带来更多商业价值。公司深知客户的需求是公司的动力，公司会持续研发创新产品，提供技术咨询、解决方案和全程技术支持，以满足客户的需求。甘肃光电芯片设计

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