广东异质异构集成器件及电路芯片测试

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供GaAs太赫兹SBD管芯技术开发服务，该芯片具有结电容小、截止频率高等特点，是截止频率高的电子元器件；同时，该系列芯片具有低寄生、高频响的优势。针对不同应用场景，根据客户需求，公司可定制化开发具有不同规格的单管、对管、等变阻、变容管芯。该芯片可用于太赫兹通信、雷达、测试等技术领域中毫米波、太赫兹各频段混频、倍频、检波电路。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司将不断提高该芯片性能水平，为客户提供更好的服务。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司晶片加工尺寸覆盖不规则片、3寸晶圆片以及4寸晶圆片。广东异质异构集成器件及电路芯片测试

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司公共技术服务平台的聚焦离子束电镜系统，具备多项功能，可以进行表面形貌、剖面层结构分析以及元素成分分析，分辨率达到10nm。该系统可以准确地观察材料表面微观结构的形貌特征。不仅如此，该系统还可以进行剖面层结构分析，深入研究材料内部的结构层次，为科研工作者提供了强有力的技术支持。而在元素成分分析方面，该系统可以准确地测定材料中各种元素的含量，帮助科研工作者深入了解材料的组成和性质。聚焦离子束电镜系统在芯片制造过程中起到了至关重要的作用。只有通过详细的分析和研究，才能发现其中可能存在的问题，并实施相应的解决方案。甘肃化合物半导体器件及电路芯片流片芯谷高频研究院可提供6英寸及以下晶圆键合服务，并具备介质、热压、共晶、胶粘等键合能力，键合精度达2um。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供Si基GaN微波毫米波器件与芯片技术开发服务，该芯片相对于Si LDMOS，具有工作频率高、功率大、体积小等优势；相对于传统SiC基GaN芯片，具备低成本、高密度集成、大尺寸等优势；适应于C、Ka、W等主流波段的攻放、开关、低噪放等芯片；南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司可提供定制化的Si基GaN射频器件和电路芯片研制与代工服务；该芯片可用于5G通信基站、高效能源、汽车雷达、手机终端、人工智能等领域。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司公共技术服务平台在背面工艺方面，拥有键合机、抛光台、磨片机等，可以进行晶片的减薄、抛光以及划片工艺。公司公共技术服务平台支持晶圆键合工艺，可以支持6英寸及以下晶圆的键合，并具备介质、热压、共晶、胶粘等键合能力，键合精度达到2um。键合工艺可以将不同的晶圆材料组合在一起，从而制造出具有更高性能的芯片。凭借研究院的技术实力和专业的服务团队，公共技术服务平台将为客户提供更加优良的技术服务，不断创新晶圆键合工艺，助力高科技产业的发展。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供大功率GaN微波/毫米波/太赫兹二极管技术开发服务。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供异质异构集成技术服务，可进行以下先进集成材料制备和研发：1)单晶AlN、LiNbO3压电薄膜异质晶圆，用于SAW、BAW、XBAR等高性能射频滤波器；2)厚膜LiNbO3、薄膜LiNbO3异质晶圆，用于低损耗光学平台；3)AlGaAs-on-insulator，绝缘体上AlGaAs晶圆，用于光量子器件等新一代片上光源平台；4)Miro-Cavity-SOI，内嵌微腔的绝缘体上Si晶圆，用于环栅GAA，MEMS等器件平台；5)SionSiC/Diamond，解决传统Si衬底功率器件散热低的瓶颈；6)GaNonSiC，解决自支撑GaN衬底高性能器件散热低的瓶颈；7)支持特定衬底功能薄膜材料异质晶圆定制研发。芯谷高频研究院的热物性测试仪产品准确性高，可满足热导率分析、热阻分析等需求，解决了材料的热评估难题。广东热源芯片测试

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院的CVD用固态微波功率源产品具有集成度高，尺寸小、寿命高等特性。广东异质异构集成器件及电路芯片测试

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司公共技术服务平台的聚焦离子束电镜系统的高分辨率能力可以有效地帮助研发人员观察微观结构上的差异和变化，找出问题的原因。通过该系统，研发人员可以了解到材料表面的形貌特征以及试验品内部的剖面层结构。利用元素成分分析功能，研发人员可以准确地了解各种元素的分布情况，从而更好地理解材料的组成和性质。该系统具备的表面形貌、剖面层结构分析以及元素成分分析功能，为科研工作者提供了重要的数据支持。表面形貌、材料层次结构、元素成分的表征，可以有效帮助研发人员深入了解试验品的情况，从而提出解决方案。广东异质异构集成器件及电路芯片测试

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