蚀刻闸阀SHIELD GATE VALVE

微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀，多定位闸阀。多定位闸阀是一种利用压缩空气或氮气控制闸阀位置的阀门。它在阀门的顶部有一个内置控制器，可以在本地和远程模式下操作。它还具有紧急关闭功能，以应对泵停止或CDA压缩干空气丢失的情况。其特点之一是能够远程检查阀门状态，并可用于具有不同法兰类型的各种工艺。多定位闸阀具有可隔离的闸阀，以滑动方式操作，适用于需要压力控制的所有加工领域。采用手动调节控制装置控制，用户可直接控制闸门的开启和关闭，以调节压力。微泰半导体多定位闸阀被广泛应用于 Evaporation（蒸发）、Sputtering（溅射）、Diamond growth by MW-PACVD（通过 MW-PACVD 生长金刚石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）、Coating（涂层）、Etch（蚀刻）、Diffusion（扩散）、CVD（化学气相沉积）等设备上，可替代 HVA 闸阀、VA T闸阀。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。该闸阀由上海安宇泰环保科技有限公司提供。高压闸阀，属于强制密封式阀门，所以在阀门关闭时，必须向闸板施加压力，以强制密封面不泄漏。蚀刻闸阀SHIELD GATE VALVE

微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀Heating gate valve，加热插板阀，加热闸阀，加热器的加热温度为180-200度（可通过控制器设置温度）-规格：适用双金属（达到200度时，断电后温度下降后重新启动），应用于去除粉末/气体设备。微泰，加热闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD• PECV• PVD• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。加热闸阀规格如下：驱动方式：手动或气动、法兰尺寸：1.5英寸~ 12英寸、法兰类型：ISO、JIS、ASA、CF、连接方式：焊接波纹管、阀门密封：氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封：氟橡胶O型圈、响应时间：≤ 2 sec、操作压力范围：1.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8˝ ~ 12˝ : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、开始时的压差：≤ 30 mbar、闸门的差动压力：1.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 12 ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、维护前可用次数：200,000次、、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。蚀刻闸阀SHIELD GATE VALVE为了避免在颗粒敏感应用中产生颗粒，滑动闸门机构的设计旨在避免阀壳处的摩擦。

微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀蝶阀Butterfly Valve。该蝶阀具有紧凑的设计和坚固的不锈钢结构，通过闸板旋转操作。蝶阀可以实现精确的压力控制和低真空环境。例如半导体和工业过程。蝶阀通过控制器和步进电机自动控制到用户指定的值，保持一致的真空压力。可以在高真空环境中实现精确的压力控制。如半导体等高真空工艺应用。控制系统闸阀是自动控制到用户指定的值，通过控制器和步进电机保持一致的真空压力。微泰半导体闸阀被广泛应用于 Evaporation（蒸发）、Sputtering（溅射）、Diamond growth by MW-PACVD（通过 MW-PACVD 生长金刚石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）、Coating（涂层）、Etch（蚀刻）、Diffusion（扩散）、CVD（化学气相沉积）等设备上，可替代 HVA 闸阀、VA T闸阀。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。该闸阀由上海安宇泰环保科技有限公司提供。

微泰半导体闸阀的工作原理主要是通过闸板的升降来控制流体的通断。当闸板升起时，闸阀打开，允许流体通过；当闸板降下时，闸阀关闭，阻止流体通过。在具体工作中，它利用各种机构和设计来实现精确的控制和可靠的密封，以满足半导体设备中对工艺控制的要求。微泰半导体闸阀被广泛应用于 Evaporation（蒸发）、Sputtering（溅射）、Diamond growth by MW-PACVD（通过 MW-PACVD 生长金刚石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）、Coating（涂层）、Etch（蚀刻）、Diffusion（扩散）、CVD（化学气相沉积）等设备上，可替代 HVA 闸阀、VA T闸阀。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。该闸阀由上海安宇泰环保科技有限公司提供。控制系统和蝶阀使用步进电机操作，而多定位闸阀使用气动控制操作。

微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀，气动多位置闸阀，气动多定位闸阀，多定位插板阀，Pneumatic Multi Position 其特点是1，全开和关闭位置使用带有位置发射器的气动电磁阀进行控制；2，所有位置控制都由控制器进行操作。1)控制类型-全开：高速闸门全开操作-全闭：高速闸门全闭操作-位置（POS.）控制：将闸门移动到设定的位置值；2)操作时间-完全打开↔完全关闭：<2秒（取决于速度控制器设置)-位置（POS。）控制： 0%↔100%工作，<MAX18秒（偏差： < ±0.5%）。微泰气动多位置闸阀，气动多定位闸阀，多定位插板阀，Pneumatic Multi Position，有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。高压闸阀结构简单，制造和维修比较方便。工作行程小，启闭时间短。密封性好，密封面间磨擦力小，寿命较长。UHV闸阀

非金属材料高压闸阀有陶瓷阀门、玻璃阀门、塑料阀门。蚀刻闸阀SHIELD GATE VALVE

微泰半导体闸阀的特点：阀门驱动部分的所有滚子和轴承都进行了防护处理，形成屏蔽和保护环（Shield Blocker 和 Protection Ring）用三重预防方式切断粉末（Powder），延长阀门驱动和使用寿命。三重预防驱动方式的Shield功能可防止气体和粉末侵入阀体内部，有三重保护驱动保护环，长久延长GV寿命的Shield方法-供应给海外半导体T公司、M公司和I公司Utility设备。挡板与阀体的距离小于1mm，阻挡内部粉末和气体的流入，屏蔽挡板是采用1.5 t AL材料，考虑了复原力，并采用Viton粉末热压制成。三重保护保护环的主要功能说明-AL材料的重量减轻和保护环内部照明的改善-保护环内部流速的增加-三元环应用确保驱动性能。蚀刻闸阀SHIELD GATE VALVE