专门用闸阀HV GATE VALVE

微泰半导体闸阀的特点：已向中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备，设备厂批量供货，已得到品质认可，已完成对半导体Utility设备和批量生产设备的验证。1，采用陶瓷球机构，抗冲击和震动，保证使用25万次，检修方便，较低维护成本。2，无Particle（颗粒）产生，采用陶瓷球无腐蚀和颗粒产。3，屏蔽保护：屏蔽式保护功能，闸阀阀体与挡板之间的距离小于1mm，可防止粉末侵入阀内，寿命为半永久性。4，保护环：Protecrion Ring通过流速上升设计防止粉末凝固，并通过打磨（研磨）工艺防止粉末堆积。微泰半导体闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代HVA闸阀、VAT闸阀。上海安宇泰环保科技有限公司。真空闸阀是真空系统中用于控制气体进出真空室的机械装置。专门用闸阀HV GATE VALVE

微泰，控制系统闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代VAT闸阀。其特点是• 主体材质：不锈钢• 紧凑型设计• 带步进电机的集成压力控制器• 应用：需要压力控制和隔离的地方。控制系统闸阀规格如下：法兰尺寸（ID）：1.5英寸~ 10英寸、材料：阀体(STS304)/机构STS304、STS420、馈通：旋转馈通、执行器：步进电机、氦泄漏率1X10-9 mbar.l/sec、压力范围：1×10-8 mbar to 1.4 bar、闸门上的压差≤1.4bar、维护前可用次数：100,000次、阀体温度≤ 150 °、控制器≤35°C、安装位置：任意、接口RS232、RS485、Devicenet、Profibus、EtherCat。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩，上海安宇泰环保科技有限公司。专门用闸阀HV GATE VALVE闸阀不易产生水锤现象。原因是关闭时间长。

微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀，铝闸阀（AL Gate Valve）-产品范围：1.5英寸~10英寸-12英寸可生产的产品尺寸，阀体材料：铝、气动、紧凑设计、重量轻。闸门，阀盖密封：Viton O-Ring使用次数：100000次，易于维护，低颗粒（陶瓷球机构）。- Body Material : Aluminum  - Pneumatic - Compact Design- Light of weight - Gate, Bonnet Seal : Viton O-Ring - Cycles until first service : 100,000 - Easy Maintenance - Low Particle (Ceramic Ball Mechanism)，微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩，可替代HVA闸阀、VAT闸阀。

微泰，高压闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代VAT闸阀。其特点是*陶瓷球机构产生的低颗粒*使用维修配件工具包易于维护*应用:隔离泵。高压闸阀规格如下：驱动方式：手动或气动、法兰尺寸：1.5英寸~ 14英寸、法兰类型：CF、连接方式：焊接波纹管、阀门密封：氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封：氟橡胶O型圈、响应时间：≤ 2 sec、操作压力范围：1.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8˝ ~ 14˝ : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、开始时的压差：≤ 30 mbar、闸门的差动压力：1.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 14˝ ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、维护前可用次数：250,000次、阀体温度≤ 200 °、机构温度≤ 80 °C、烤炉温度≤ 150 °C、材料：阀体(不锈钢304或316L)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩，上海安宇泰环保科技有限公司。关闭真空阀涉及将闸门移动穿过流路以形成密封。

微泰的传输阀、转换阀、输送阀、转移阀是安装在半导体 PVD CVD 设备工艺模块和工艺室之间的阀门系统，起着将工艺模块中的晶圆转移到工艺室的关键作用，就像一条沟槽。这些阀门能极大程度地减少闸板开闭时造成的真空压力变化，使腔室内的真空压力得以稳定维持。负责门控半导体晶圆转移的传输阀、转换阀、输送阀、转移阀分为 I 型和 L 型两种。其产品范围包括多种尺寸规格，如 32 x 222、46 x 236、50 x 336、56 x 500 等。维护前使用周期可达 100 万次，响应时间为 2 秒，并可根据客户要求定制法兰。这些转移阀产品有铝制或不锈钢制两种，用于传输晶圆小于 450 毫米的半导体系统和隔离工艺室。I 型的特点是叶片能在垂直方向上快速移动，保证腔室压力完美维持，它采用具有 LM 导向系统和单连杆的内部机构，确保高耐用性和长寿命。L 型转移阀产品则设计紧凑，易于维护。I 型和 L 型转移阀在闸门开启和关闭过程中能极大限度地减少振动，且对温度变化非常稳定，能确保较长的使用寿命。此外，它们即使长时间使用，产生的颗粒也很少，能避免晶圆缺陷和主器件污染。微泰不断创新，在压力控制和控制阀制造方面持续努力，专注于真空闸阀的研发。闸阀的结构比较简单，一般由阀体、阀座、阀杆、闸板、阀盖、密封圈几部分组成。专门用闸阀HV GATE VALVE

微泰，高压闸阀能应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD。专门用闸阀HV GATE VALVE

微泰，加热闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代VAT闸阀。其特点是*使用加热套或内部加热器加热*加热控制器*应用:去除粉末/气体设备。加热闸阀规格如下：驱动方式：手动或气动、法兰尺寸：1.5英寸~ 12英寸、法兰类型：ISO、JIS、ASA、CF、连接方式：焊接波纹管、阀门密封：氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封：氟橡胶O型圈、响应时间：≤ 2 sec、操作压力范围：1.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8˝ ~ 12˝ : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、开始时的压差：≤ 30 mbar、闸门的差动压力：1.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 12 ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、维护前可用次数：200,000次、阀体温度≤ 200 °、机构温度≤ 80 °C、烤炉温度≤ 200 °C、材料：阀体(不锈钢304)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。专门用闸阀HV GATE VALVE