海南电阻测试报价

测量电阻。采用50V的直流偏置电压，用100V的测试电压测试每块板的菊花链网络的绝缘电阻前至少充电60S的时间。偏置电压的极性和测试电压的极性必须随时保持一致。4、在初始的绝缘电阻测量后关闭测试系统，使样品在65±2℃或85±2℃、相对湿度为87+3/-2%RH、无偏压的环境下静置96个小时（±30分钟）。96个小时（±30分钟）的静置期后，在每个菊花链网络和地之间测试绝缘电阻。5、确认所有的测试样品的连接是有效的，每个测试电路对应适当的限流电阻。然后将测试板与电源相连开始进行T/H/B部分的CAF测试。广州维柯信息技术有限公司的高低阻（CAF/TCH）测试系统可以做到SIR表面绝缘阻抗测试，可通过加速温湿度的变化，测量测试在特定时间内电流的变化。海南电阻测试报价

广州维柯信息技术有限公司成立于2006年，是一家专业致力于检测检验实验室行业产品技术开发生产、集成销售为一体的技术型公司。

SIR系列绝缘电阻测试系统依据IPC标准进行设计、制造，具有偏置电压测试时间任意设置、多模块**分组、绝缘电阻测试、漂移电流测试、测试产品评估、环境试验参数监控等功能。系统测试可在IPC标准规定的环境条件下对试验样品进行高效、准确的绝缘电阻测试和漏电流监测。测试结果可通过曲线、表格的形式进行显示和交互，测试数据通过后台数据库进行存储和管理，用户可对已存储的数据进行回放和比较，方便用户进行数据分析和筛选，对测试样品的分析更加直观和准确。 海南电阻测试报价测试配置灵活：每组板卡可设置不同的测试电压，可同时完成多任务测试。

金属离子迁移过程此失效样品灌封胶有机物与电路板上电阻存在一定缝隙，未能完全隔绝两端电极，缝隙的存在为电化学迁移提供了迁移通道。因此密封电阻与电路板间缝隙能够抑制金属离子的迁移过程。针对金属离子的迁移过程，可以加入络合剂，使其与金属正离子形成带负电荷的络合物，带负电的络合物将不会往阴极方向迁移和在阴极处发生还原沉积，由此达到抑制金属离子往阴极迁移的目的。同时，随着外电场强度增大，会加快阳极溶解、离子迁移和离子沉积过程。根据文献[10]报道，当外电压不超过2V时，形成的树枝状沉积物数目较少，且外加电压的增加会使得电化学迁移造成的短路失效时间会***缩短。因此，尽量在设计阶段中，设置元件在工作状态时为较低的外电场，也能避免由于快速发生电化学迁移而导致的短路失效，延长使用寿命。

电阻表面枝晶状迁移物SEM放大形貌和EDS能谱分析见图2所示，枝晶状迁移物由一端电极往另一端电极方向生长，图2(b)EDS测试结果表明枝晶状迁移物主要含有Sn，Pb等元素，局部区域存在Cl元素，此产品生产中采用的SnPb焊料为Sn63Pb37，说明SnPb焊料中的Sn，Pb金属元素发生电化学迁移导致枝晶的生长，连通电阻两极，导致电阻短路失效。对失效电阻样品表面迁移物区域和原工艺生产用SnPb焊料取样进行离子色谱分析，所得的结果如表1所示。从表1中可以得出失效电阻表面存在Cl-的含量为1.403mg/cm2。目前行业内为避免印刷电路板发生腐蚀和电化学迁移而导致失效，控制表面残留的Cl-含量不高于0.5mg/cm2。但本案中的失效样品表面所测的Cl-含量明显超出了行业规范的要求，Cl-可以诱导阳极金属表面钝化膜的破裂，诱发局部腐蚀。测试电压可在1.0-500V(2000V)之间以0.1V步进任意可调。

金属离子在阴极沉积过程在阴极区，阳极溶解生成的金属离子（主要为锡离子和铅离子）在电场的作用下，在电解液中迁移到阴极得到电子直接生成金属单质；或者与阴极生成的氢氧根离子相遇而生成氢氧化物的沉淀物，氢氧化物的沉淀物发生脱水分解为氧化物，氧化物继续还原为金属单质。伴随着枝晶的生长过程，阴极区还发生的反应为电解质中溶解氧气的还原反应及水的还原反应，反应方程式如下：Pb2++2e-→PbSn2++2e-→SnSn4++4e-→SnO2+2H2O+4e-→4OH-2H2O+2e-→H2+2OH-Pb2++2OH-→Pb(OH)2→PbO+H2OSn2++2OH-→Sn(OH)2→SnO+H2OSn4++4OH-→Sn(OH)4→SnO2+2H2O为建立可抑制电化学迁移中阴极还原沉积过程，可能的有效途径为可以在阴极表面添加不同的活性剂，使阴极沉积物由树枝状结构变为分散在阴极表面，由此可有效避免由树枝状枝晶的生长而造成的短路失效。SIR表面绝缘电阻测试的目的之一：基于可靠性的产品标定。海南电阻测试报价

导通电阻和接触电阻测试系统用于新材料新技术的自动评估测试及焊点可靠性故障分析研究。海南电阻测试报价

焊点助焊剂(Flux)清洁与否，将影响ECM发生多寡IC芯片封装成BGA后，于植球时会使用助焊剂(Flux)确保两种不同的金属或合金连接顺利。宜特可靠性验证实验室就观察到，Flux工艺后，若没有进行清洁动作，不仅残留物将阻碍Underfill流动路径(图四)，导致填充胶无法填满芯片底部，造成许多的气泡(延伸阅读:如何利用真空压力烤箱消灭UnderfillVoid)，更会加剧ECM的发生。可靠性验证实验室，特别做了两项实验设计(DOE)，实验条件套用HAST常见的温度:130°C/湿度:85%RH，使用助焊剂为坊间常见免清洗型助焊剂。***项DOE样品不做助焊剂清洁(Flux clean)，第二项DOE样品做助焊剂清洁(Flux Clean)，DOE结果可清楚看到，未做Flux Clean的样品，出现了ECM现象(图五(左))，而有做Flux Clean的样品，尽管同样出现ECM现象(图五(右))，但非常细微。海南电阻测试报价

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